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最新专利技术
  • InGaAsP外延片的生长方法及外延片
    InGaAsP外延片的生长方法及外延片_埃特曼(厦门)光电科技有限公司_202511195455.8
    本申请实施例涉及一种InGaAsP外延片的生长方法及InGaAsP外延片，通过先确定符合所需制备器件的目标波长的x的理论值和y的理论值，并根据x的理论值和y的理论值进行外延生长，通过对生长得到的InxGa1‑xAsyP1‑y层进行检测，首先...
    2025-12-30
  • 一种背接触电池制备方法及背接触电池
    一种背接触电池制备方法及背接触电池_正泰新能科技股份有限公司_202511232407.1
    本申请公开了一种背接触电池制备方法及背接触电池，属于电池领域。本申请通过在衬底引入一层本征非晶硅作为缓冲层，再依次沉积中间层和沉积第二层本征非晶硅层，形成三明治结构，再经高温退火修复本征非晶硅层的晶格结构得到本质多晶硅层，形成双层钝化结构，...
    2025-12-30
  • 一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法
    一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法_江苏大学_202511289814.6
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种全金属氧化物异质结紫外光电探测器的制备方法。该探测器基于SrSnO3/NiO异质结，通过构建pn结实现自供能紫外光探测。本发明采用掺杂手段SrSnO3优化n型导电性能，提升其迁移率，同时与p型NiO结合形...
    2025-12-30
  • 一种基于NiO/SiC异质结的新型双功能紫外探测器的制备方法
    一种基于NiO/SiC异质结的新型双功能紫外探测器的制备方法_江苏大学_202511289817.X
    本发明属于半导体光电器件及传感器技术领域，公开了一种基于NiO/SiC异质结的新型双功能紫外探测器的制备方法。采用SiC单晶衬底作为器件基础结构和电子供体，在SiC单晶衬底的碳截止面制备欧姆接触金属电极，Si截止面沉积NiO薄膜；当器件用于...
    2025-12-30
  • 一种基于MXene静电吸附的夹层式异质结光电探测器
    一种基于MXene静电吸附的夹层式异质结光电探测器_湘潭大学_202511297364.5
    本发明涉及了一种基于MXene静电吸附的夹层式异质结光电探测器。采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对Nb2CTx(MXene材料)进行表面改性，将其表面电位由负转正，进而通过静电自组装与带负电的WSe2和MoS2纳米片复合，成功构建三明治...
    2025-12-30
  • 一种基于光刻技术的Poly finger结构的TOPCon电池的制备方法
    一种基于光刻技术的Poly finger结构的TOPCon电池的制备方法_江苏光启灵犀装备有限公司_202511310236.X
    本发明公开一种基于光刻技术的Poly finger结构的TOPCon电池的制备方法，属于电池技术领域。方法包括：碱制绒、正面硼扩散、链式HF去BSG绕度及碱抛光去绕度处理，制备第二p+发射极层和第二BSG膜层；背面沉积、退火处理，制备第一隧...
    2025-12-30
  • 一种混合钝化背接触电池及其生产方法
    一种混合钝化背接触电池及其生产方法_晋能光伏技术有限责任公司_202511317642.9
    本发明公开了一种混合钝化背接触电池及其生产方法，涉及太阳能电池领域；制备方法包括硅片抛光；抛光后的硅片背面依次沉积隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；在硅片背面的掺杂多晶硅层通过激光烧蚀定义出未来的P区和N区；硅片正面进行酸抛处理；硅片正面进行碱制绒...
    2025-12-30
  • 一种荧光聚光器应用的二维纯碘钙钛矿纳米晶原位制法
    一种荧光聚光器应用的二维纯碘钙钛矿纳米晶原位制法_内蒙古科技大学包头师范学院_202511319296.8
    本发明公开一种荧光聚光器应用的二维纯碘钙钛矿纳米晶原位制法，包括前驱体‑聚合物母体制备、液相热注入诱导成核、气相辅助结晶与维度调控、后处理与器件组装四步骤。采用原位生长策略，结合液相热注入与气相辅助结晶，解决纳米晶团聚问题，实现二维结构精准...
    2025-12-30
  • 一种适用于氮化镓基深紫外光电器件的硅掺杂氧化镓导电电极及其制备方法
    一种适用于氮化镓基深紫外光电器件的硅掺杂氧化镓导电电极及其制备方法_厦门大学深圳研究院_202511319585.8
    本发明公开了一种适用于氮化镓基深紫外光电器件的硅掺杂氧化镓导电电极及其制备方法。硅掺杂氧化镓导电电极的硅掺杂氧化镓外延层与n型氮化镓衬底之间形成优异欧姆接触，界面接触电阻低，深紫外波段(280~400 nm)透过率可达85%，可满足氮化镓基...
    2025-12-30
  • 曲面光伏组件的制备方法和曲面光伏组件
    曲面光伏组件的制备方法和曲面光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511326117.3
    本公开涉及一种曲面光伏组件的制备方法及曲面光伏组件，属于光伏组件制造技术领域。曲面光伏组件的制备方法包括：将初始BC电池片与第一电连接件焊接得到曲率半径为R1的曲面电池片，初始BC电池片中细栅线的延伸方向与第一电连接件的延伸方向相垂直；通过...
    2025-12-30
  • 一种T2SL长波红外光电探测器的制备方法
    一种T2SL长波红外光电探测器的制备方法_苏州恒影感知科技有限公司_202511329440.6
    本申请公开了一种T2SL长波红外光电探测器的制备方法，涉及光电探测器技术领域。制备方法包括利用分子束外延工艺制备外延生长结构，所述外延生长结构包括由下至上层叠布置的Te掺杂GaSb衬底、缓冲层、吸收层、阻挡层和接触层；对所述外延生长结构进行...
    2025-12-30
  • 一种双色二类超晶格红外探测器的刻蚀方法
    一种双色二类超晶格红外探测器的刻蚀方法_苏州恒影感知科技有限公司_202511335747.7
    本申请提供了一种双色二类超晶格红外探测器的刻蚀方法，属于芯片制造技术领域。该方法包括：提供一双色二类超晶格红外探测器，并在所述双色二类超晶格红外探测器表面形成光刻胶掩膜；在纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率之比不低于5 : 1条件下，对所述双色二类...
    2025-12-30
  • 一种太阳能电池的金属化方法及太阳能电池
    一种太阳能电池的金属化方法及太阳能电池_安徽光势能新能源科技有限公司_202511361635.9
    一种太阳能电池的金属化方法及太阳能电池，所述金属化方法包括：提供一电池硅片，在所述电池硅片上制备电极；对所述电极进行电极固化，以提高电极导电性；使用指定频率的电磁波对固化后的电极进行选择性加热。根据本发明所提供的太阳能电池的金属化方法，通过...
    2025-12-30
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511508841.8
    本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域，包括(a)在硅基体背面依次叠层制备隧穿氧化层、本征非晶硅层、第一BSG层和第二BSG层，其中，所述第二BSG层的硼含量高于所述第一BSG层的硼含量；(b)去除...
    2025-12-30
  • 太阳能电池的制作方法
    太阳能电池的制作方法_晶科能源股份有限公司_202511596175.8
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池的制作方法。在本申请实施例中，通过在激光辅助烧结处理过程中配置目标照射过程，使得在目标照射过程中的激光在太阳能电池基底上的移动方向和第一电极的纵长延伸方向彼此相交，不仅可以形成更大的覆盖非电...
    2025-12-30
  • 一种薄膜太阳能电池的制备方法
    一种薄膜太阳能电池的制备方法_瑞昌中建材光电材料有限公司_202511608618.0
    本发明涉及光伏电池制备领域，具体涉及到一种薄膜太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在基板上制备发电层，获得电池芯片；去除发电层边缘一定宽度；将汇流条从发电层引出；在发电层远离基板的一侧按顺序依次放置后封装胶膜和背板并对齐，获得层叠组件；对层...
    2025-12-30
  • 一种光伏组件用电池片及组件和制备方法
    一种光伏组件用电池片及组件和制备方法_眉山琏升光伏科技有限公司_202511640622.5
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种光伏组件用电池片及组件和制备方法，包括以下步骤，对制绒后的硅片正反面均进行选择性图案化刻蚀形成至少一个用于分片的镜面凹槽，硅片两面的镜面凹槽数量相同，在硅片反面叠片处刻蚀镜面平台，再生成用于施胶的金...
    2025-12-30
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202410706606.0
    本发明公开一种光伏组件及其制备方法。该光伏组件可包括：一个或多个电池串，其中，电池串包括有串接的多个长宽比不小于4 : 1的太阳能电池，其中，长宽比不小于4 : 1的太阳能电池基于轴向切割硅棒得到的硅片制备出，太阳能电池的宽度不小于90mm...
    2025-12-30
  • TBC电池的N区刻蚀结构、刻蚀添加剂及刻蚀抛光液
    TBC电池的N区刻蚀结构、刻蚀添加剂及刻蚀抛光液_常州时创能源股份有限公司_202511226664.4
    本发明公开了一种TBC电池的N区刻蚀结构、刻蚀添加剂及刻蚀抛光液；该添加剂按照质量百分比包括以下组分：选择性抑制剂0.5~1%、脱泡剂0.5~1%、分散剂1~1.5%、稳定剂0.5~1%，余量为去离子水；其中，所述选择性抑制剂为二甲基二烯丙...
    2025-12-30
  • 太阳能电池、电池组件和光伏系统
    太阳能电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511523271.X
    本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括：硅基底，以及设置于硅基底的第一侧的多个第一掺杂区和多个第二掺杂区；第一掺杂区和第二掺杂区沿第一方向依次排列，且相互间隔设置；相邻的第一掺杂区和第二掺杂区之间设置有隔离槽，隔离槽...
    2025-12-30
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