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一种晶圆键合的方法及产品
本发明提出了一种晶圆键合的方法及产品。所述方法包含以下步骤:步骤S1:提供半导体材料供体片和支撑片,所述支撑片包含第一介质层,在所述半导体材料供体片上设置第二介质层;步骤S2:使用离子注入工艺在所述第一介质层表面之下注入轻质离子;然后在热退...
一种半导体芯片的封装方法
本发明公开了一种半导体芯片的封装方法,涉及半导体封装技术领域,包括,对半导体芯片进行凸点制备后进行数据采集,得到凸点形貌数据集,完成基板的制备后进行清洗,得到基板表面数据,并与凸点形貌数据集融合,生成形貌质量数据集,建立芯片预测模型,输出焊...
功率模块元器件封装回流工艺
本发明涉及一种功率模块元器件封装回流工艺,包括以下步骤:根据芯片布局及尺寸,设计印刷网版;通过设计好的印刷网版将甲酸锡膏印刷至陶瓷覆铜板上表面,得到印刷好的产品;将芯片贴装至甲酸锡膏上表面,得到贴装好的产品;将组装限位治具安装在铜底板上;将...
高压器件衬底针尖状缺陷判断方法
本发明公开了一种高压器件衬底针尖状缺陷判断方法,包括以下步骤:S1,通过缺陷扫描确认存在衬底针尖状缺陷;S2,旋涂对工艺无影响具有流动性的材料形成测量层,测量层厚度为当前高压器件所能容忍衬底针尖状缺陷的最大高度;S3,根据衬底针尖状缺陷顶部...
集成电路出货自动判定管理方法、系统、设备及介质
本发明关于一种集成电路出货自动判定管理方法、系统、设备及介质,涉及集成电路领域。本技术方案通过先行预约自动锁定、特定项目单独判定及分支流程自动化处理,无需人工介入,判定锁定与反溯同步完成,反溯时间从人工判断的4小时缩短至1小时内,大幅提升效...
一种晶圆内部缺陷检测方法
本发明涉及芯片缺陷检测领域,公开了一种晶圆内部缺陷检测方法,所述检测方法包括:正面检测,基于晶圆正面切割道路径对晶圆正面内部检测;背面检测,在晶圆背面的不透明支撑膜表面加入介质层,基于介质层平衡不透明支撑膜表面以使晶圆背面穿透不透明支撑膜而...
一种硅片制程部署方法及装置
本发明提供了一种硅片制程部署方法及装置,涉及半导体加工技术领域,该方法包括:在以预设加工流程对目标硅片进行加工过程中,对目标硅片经过第一制程后得到的第一硅片进行污染量测试,得到第一硅片的污染量;对第一硅片经过第二制程后得到的第二硅片进行污染...
半导体制造设备和基座温场校正方法
本发明提供一种半导体制造设备和基座温场校正方法,通过增设加热升降装置,在执行生长工艺的过程中同步获取并根据各所述基片的当前表面温度和目标设定温度得到各所述基片的当前温差,根据各所述当前温差和所述第一标定关系确定温度异常的目标基片、所述目标基...
一种晶圆检测方法及装置
本发明提供了一种晶圆检测方法及装置,属于半导体制造技术领域。该方法包括:基于待测晶圆集中各待测晶圆对应的纳米表面形貌图,确定第一批次晶圆和第二批次晶圆,第一批次晶圆和第二批次晶圆为不同批次加工后得到的晶圆;利用第一自动缺陷分类模型对目标晶圆...
一种测量样件孔洞的方法
本申请提供一种测量样件孔洞的方法,涉及半导体技术领域,包括标记待测样品的第一目标面,通过第一目标面确定待测样品的目标孔洞位于待测样品的区域范围;在待测样品的第一目标面涂覆,以形成胶类保护层;在胶类保护层上沉积金属,形成金属保护层;胶类保护层...
构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统,包括:选取标准件,标准件的XY平面上定义至少三个同心圆形区域,每个圆形区域内设置多个测量点,测量并记录测量点的标准润湿角;选取多个样本,样本为经预设工...
一种过度刻蚀识别方法及系统
本申请提供了一种过度刻蚀识别方法及系统,其中,该方法包括:获取待刻蚀芯片的初始套刻标记在预设位置的初始长度;控制刻蚀机台对待刻蚀芯片进行钝化层刻蚀之后,获取待测量套刻标记在预设位置的目标长度,待测量套刻标记指的是通过钝化层刻蚀来去除初始套刻...
一种可靠性评价方法、设备、存储介质及程序产品
本申请涉及元器件可靠性技术领域,具体涉及一种可靠性评价方法、设备、存储介质及程序产品。该方法包括:获取对多个待测元器件中的复合键合点分别进行初次性能状态检查的第一检查结果;根据所述第一检查结果确定初次合格的复合键合点的数量达到第一数量时,输...
用于分配流体材料的设备和方法以及冷却装置
本申请提供了一种用于分配流体材料的设备和方法,以及一种冷却装置。所述设备可包括:注射器容器,所述注射器容器被配置成用于容纳流体材料;以及分配泵,所述分配泵与所述注射器容器流体连通,且被配置成用于将所述流体材料分配在物体上;以及冷却装置,所述...
一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法
本申请公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法,工艺腔室包括:室本体,所述腔室本体上设有传片口;第一内衬,设置于所述腔室本体内;第二内衬,由所述第一内衬的底端间隔套设在所述第一内衬的外侧或内侧,以使两者形成交叠区;压环,连接在所述第二内...
基板热处理装置
本申请公开了一种基板热处理装置,包括基板承载台、第一支撑部、弹性缓冲件和压板组件。其中,基板承载台用于承载并加热基板。第一支撑部用于支撑基板承载台。弹性缓冲件装设于第一支撑部与基板承载台之间。压板组件沿基板承载台的边缘排布,压板组件被构造为...
基于图像分析的设备前端模块以及设备前端检测方法
本发明公开了一种基于图像分析的设备前端模块以及设备前端检测方法,设备前端模块连接外部的一收纳装置。基于图像分析的设备前端模块包括一移载装置、一校准载台、一图像捕获装置以及一图像处理装置。移载装置用于移动收纳装置内的一待测物。校准载台承载并校...
基板处理方法以及基板处理装置
本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置,该基板处理方法,包括:第一单侧吐出工序,一边使第二外喷嘴停止处理液的吐出,一边使第一外喷嘴执行处理液的吐出,该第二外喷嘴配置于比内槽靠上方,且朝向保持于升降器的基板吐出处理液,该第一外喷嘴以在沿相...
衬底处理设备
本发明涉及一种用于处理衬底的设备,更具体地,涉及一种通过使用超临界流体来干法处理衬底的设备。用于处理衬底的所述设备包括:容器,其具有处理空间;支撑单元,其用于在所述处理空间中支撑衬底;流体供应单元,其用于向所述处理空间供应处理流体;流体排出...
工艺配方的控制参数的补偿方法、装置、系统、存储介质及程序产品
本申请提供了一种工艺配方的控制参数的补偿方法、装置、系统、存储介质及程序产品,涉及半导体技术领域,能够精准地对半导体材料进行快速热处理。该方法包括:执行工艺配方执行步骤:基于工艺配方的控制参数对目标产品进行加工,并获取目标产品在加工过程中的...
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