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最新专利技术
  • 一种静电释放结构、显示基板及显示装置
    一种静电释放结构、显示基板及显示装置_成都京东方显示科技有限公司_202410689251.9
    本发明公开了一种静电释放结构、显示基板及显示装置，该静电释放结构，用于连接于两条信号线之间，包括至少一个薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构包括栅极、氧化物半导体、第一电极、第二电极以及N个导电机构；氧化物半导体位于栅极的一侧、且与栅极绝缘，氧化...
    2025-12-25
  • 一种III-V族/硅叠层光伏电池及其制备方法
    一种III-V族/硅叠层光伏电池及其制备方法_江苏宜兴德融科技有限公司_202511158480.9
    本申请公开了一种III‑V族/硅叠层光伏电池及其制备方法。所述III‑V族/硅叠层光伏电池包括硅电池片、III‑V族太阳电池片及设置在硅电池片和III‑V族太阳电池片之间的复合键合层，其中，所述复合键合层具有纳米级厚度，包括多个金属纳米颗粒...
    2025-12-25
  • 一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202511054976.1
    本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低第一半导体层与第一集电电极之间的接触电阻，进而利于降低第一半导体层内收集的载流子传输至第一集电电极的传输损耗。所述太阳能电池包括半导体基底、第一半导体层和多个第一集电...
    2025-12-25
  • 一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件
    一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202511079906.1
    本发明涉及一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件，该太阳能电池中，电性不同的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层交替设置在硅基底的第一表面；第一掺杂半导体层的第二区域和第三区域中设置有结构层，结构层包括第一钝化层和第二掺杂半导体层的一部分；在第...
    2025-12-25
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件和叠层电池
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件和叠层电池_江苏隆基乐叶光伏科技有限公司_202511102667.7
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和叠层电池，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括硅基底；沿着硅基底的厚度方向，硅基底包括：相对的向光面和背光面；向光面和背光面均具有绒面结构，且向光面的绒面结构的平均尺寸，小于背光面的绒面结构的平...
    2025-12-25
  • 太阳能电池片及其制作方法、光伏组件
    太阳能电池片及其制作方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511660489.X
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池片及其制作方法、光伏组件，其中，太阳能电池片可以包括：基底，背面包括间隔排布的第一区、第二区及间隔区，间隔区包括平台区和过渡区，第一区与正面之间的间距为第一间距，平台区与正面之间的间距为第二间距，...
    2025-12-25
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511102550.9
    本发明公开了一种光伏组件，包括电池串，电池串包括交叠排布的至少三个电池片，电池串中，第N个电池片与第N+1个电池片边缘交叠形成交叠区域，N为正整数；沿光伏组件的背面指向正面的方向，电池串中，第N1个电池片压在与第N1个电池片相邻的电池片上，...
    2025-12-25
  • 一种曲面光伏组件
    一种曲面光伏组件_深圳市华宝新能源股份有限公司_202410737806.2
    本发明属于电池技术领域，公开了一种曲面光伏组件，该曲面光伏组件包括电池单元和设在电池单元两侧的曲面玻璃和曲面背板，曲面玻璃和电池单元之间设有第一胶膜层，曲面背板和电池单元之间均设有第二胶膜层。第一胶膜层的厚度为0.8mm‑2mm，第二胶膜层...
    2025-12-25
  • 太阳能发电面板构造体
    太阳能发电面板构造体_丰田自动车株式会社_202510662550.8
    本发明提供一种太阳光发电面板构造体。在尽可能不增加太阳能发电面板结构(1)的重量的情况下，提高太阳能发电面板结构的耐冲击性或耐负荷性。在太阳能发电面板(2)上层叠并固定有加强板(3)的太阳能发电面板构造体中，在加强板上呈蜂窝状排列的多个正六...
    2025-12-25
  • 具有导光元件的聚光光伏发电模组及其制作方法
    具有导光元件的聚光光伏发电模组及其制作方法_上海先稼半导体科技有限公司_202511253296.2
    本发明公开了一种具有导光元件的聚光光伏发电模组及其制作方法，包括导光元件和发电模块；导光元件内侧具有贯通的第一中空腔室，第一中空腔室的上开口尺寸大于第一中空腔室的下开口尺寸，第一中空腔室的内侧面为反射面，导光元件的元件外侧面的底部与反射面的...
    2025-12-25
  • 一种光伏组件及光伏组件的制造方法
    一种光伏组件及光伏组件的制造方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511438920.6
    本发明涉及一种光伏组件及光伏组件的制造方法。光伏组件包括：层压部，该层压部包括依次层叠的盖板、前胶膜、太阳能电池阵列、后胶膜以及背板；以及弯折部，其形成于层压部的端部处并重叠于背板上。弯折部包括：弯折背板，其从背板延伸并弯折重叠于背板上；弯...
    2025-12-25
  • 一种层压件、光伏组件和层压件制备方法
    一种层压件、光伏组件和层压件制备方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511440387.7
    本发明公开一种层压件、光伏组件和层压件制备方法。该层压件包括：盖板、正面胶膜、电池阵列、背面胶膜和背板，电池阵列包括电池串、端部互联带和端部汇流条；盖板、正面胶膜、电池串、背面胶膜和背板按顺序层叠设置；端部汇流条设置于背板的背面，背面胶膜和...
    2025-12-25
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511612647.4
    本申请提供了一种光伏组件，其包括汇流条、缓冲垫片和依次层叠的玻璃背板、第一胶膜、电池片、第二胶膜和玻璃前板。玻璃背板上设置有第一通孔。缓冲垫片设置于玻璃背板和第一胶膜之间，缓冲垫片上设置有第二通孔，第二通孔与第一通孔连通，缓冲垫片连接于玻璃...
    2025-12-25
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_隆基绿能科技股份有限公司_202511074354.5
    本发明提供了一种光伏组件及其制备方法，涉及光伏技术领域。光伏组件包括：导电背板和位于导电背板上的多个复合背接触电池片；导电背板包括：层叠设置的导电层和背板；复合背接触电池片包括：一个背接触电池片和位于背接触电池片背光侧的绝缘层，绝缘层和导电...
    2025-12-25
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511148847.9
    本申请提供一种光伏组件，包括正面封装结构、电池单元、中间汇流带、旁路模块、端部汇流带、跳线、贯穿汇流带和背面封装结构；中间汇流带位于沿第一方向布置且并联的第一电池子单元和第二电池子单元之间，中间汇流带沿第二方向延伸，中间汇流带包括彼此电隔离...
    2025-12-25
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511208267.4
    本申请公开了一种光伏组件，包括：多个电池串和汇流件；多个电池串沿第一方向排布，电池串包括多个沿第二方向排布的电池片，第一方向垂直于第二方向；汇流件设于电池片的背面，且至少一个汇流件沿第一方向跨越且电连接相邻的两个电池片，汇流件设有多个沿第一...
    2025-12-25
  • 一种异质结紫外光电探测器及其制备方法
    一种异质结紫外光电探测器及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511197120.X
    本申请提供了一种异质结紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体技术领域。该探测器包括至少一个功能单元，每一所述功能单元均包括P型硅衬底层、二氧化钛层、纳米线阵列和电极结构，所述P型硅衬底层、所述二氧化钛层和纳米线阵列依次层叠设置，所述纳米线阵...
    2025-12-25
  • 光侦测元件
    光侦测元件_晶元光电股份有限公司_202511168102.9
    本发明公开一种光侦测元件包含基板；一第一半导体层，位于基板上；一第二半导体层，位于基板上；一吸收结构，位于第一半导体层和第二半导体层之间；一改质区，形成于第二半导体层中；一反射结构，位于基板和第一半导体层之间；一接合结构，位于反射结构和基板...
    2025-12-25
  • 一种具有I型异质结的光电探测器及其制备方法和应用
    一种具有I型异质结的光电探测器及其制备方法和应用_电子科技大学_202511078649.X
    本发明提供一种具有I型异质结的光电探测器及其制备方法应用，属于光电探测器技术领域。该光电探测器通过选择能级匹配的两层吸光层材料形成I型异质结构，其在正偏压下发生FN隧穿，从而具备正向光电流；因正反偏压下的暗电流具有不同的量级使得探测器在正反...
    2025-12-25
  • 一种石墨烯与MoS2二维异质结光电探测器件
    一种石墨烯与MoS2二维异质结光电探测器件_华中科技大学_202511228538.2
    本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种石墨烯与MoS2二维异质结光电探测器件，所述光电探测器件自下而上依次为衬底、垂直异质结、电极；所述垂直异质结包括石墨烯层和MoS2层；所述MoS2层覆盖或包覆所述石墨烯层；所述电极包括源电极和漏电极...
    2025-12-25
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