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最新专利技术
  • 一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用
    一种基于皮秒激光-离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用_四川轻化工大学_202511249287.6
    本发明公开了一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料及制备方法和应用，属于半导体光电子材料技术领域；一种基于皮秒激光‑离子注入的S、Se共掺杂硅基近红外光敏材料的制备方法，包括以下步骤：采用真空沉积工艺在硅基底表面沉积S...
    2026-01-26
  • 一种半导体材料表面缺陷消除装置及系统
    一种半导体材料表面缺陷消除装置及系统_重庆联晶通半导体科技有限公司_202511295439.6
    本发明提供一种半导体材料表面缺陷消除装置及系统，属于半导体领域，用于解决现有技术中外延层的缺陷影响器件性能和成品良率的问题；通过在安装座上设置有激光器和反射机构，通过反射机构将激光器所发射的激光反射到表面缺陷检测件的正下方，以对半导体材料表...
    2026-01-26
  • 金属硅化物层及MOS器件的制备方法
    金属硅化物层及MOS器件的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708505.7
    本发明提供一种金属硅化物层及MOS器件的制备方法，在同时对PMOS器件及NMOS器件进行金属硅化物工艺时，先在PMOS器件所在区域进行氮离子的离子注入，以在PMOS器件所在区域的硅材料表面预设深度形成氮离子的掺杂层，然后对NMOS器件及PM...
    2026-01-26
  • 锗硅源漏上钴硅化物的制造方法
    锗硅源漏上钴硅化物的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708763.5
    本发明提供一种锗硅源漏上钴硅化物的制造方法，在第一退火工艺前，在钴金属层上沉积盖帽保护层和介质缓冲层，利用盖帽保护层来防止钴金属层流动，利用介质缓冲层来进行热量缓冲和阻挡使得第一退火工艺时的热量更均匀，避免因钴金属层流动以及受热不均而导致C...
    2026-01-26
  • 基片处理方法
    基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202511234239.X
    本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对...
    2026-01-26
  • 一种非光刻工艺制备导向自组装引导模板的方法及导向自组装图形化技术
    一种非光刻工艺制备导向自组装引导模板的方法及导向自组装图形化技术_广州光电存算芯片融合创新中心_202511237498.8
    本发明属于集成电路制造领域，具体公开一种非光刻工艺制备导向自组装引导模板的方法及导向自组装图形化技术。本发明的引导模板制备方法中，先在基底上制备由纳米颗粒构成凹凸微结构的第一模板层，再在第一模板层上沉积第二模板层，然后经过去除第一模板层并通...
    2026-01-26
  • 沟槽的刻蚀方法
    沟槽的刻蚀方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511188225.9
    本申请提供一种沟槽的刻蚀方法，采用分段式采用不同刻蚀工艺的方式刻蚀深沟槽，首先采用稳定溅射刻蚀工艺对外延层进行第一次刻蚀处理，以形成第一深度的沟槽，其中稳定溅射刻蚀工艺的稳定刻蚀参数保持不变，能够精确调整刻蚀深度，补偿后段渐进刻蚀深度量化不...
    2026-01-26
  • 改善轴芯刻蚀图形负载的方法
    改善轴芯刻蚀图形负载的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232074.2
    本发明公开了一种改善轴芯刻蚀图形负载的方法，包括：步骤一、在底层材料层上提供第一轴芯材料层。步骤二、对第一轴芯材料层进行第一次图形化刻蚀形成第一轴芯图形和第一间隔区。步骤三、在第一轴芯图形的侧面形成第一侧墙。步骤四、形成第一SOC层。步骤五...
    2026-01-26
  • 等离子体刻蚀终点的检测方法
    等离子体刻蚀终点的检测方法_厦门东微电子装备有限公司_202511273607.1
    本申请提供了一种等离子体刻蚀终点的检测方法。该方法包括：在刻蚀过程中，实时采集反应产物的第一特征谱线和反应气体的第二特征谱线，其中，第一特征谱线为反应产物的发射光谱线，第二特征谱线为反应气体的发射光谱线；根据第一特征谱线与第二特征谱线之差建...
    2026-01-26
  • 一种多层膜结构的制备方法
    一种多层膜结构的制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511163924.8
    本申请提供了一种多层膜结构的制备方法，属于硅光电子刻蚀工艺技术领域。制备方法为：在硅衬底表面依次生长易被腐蚀膜层、刻蚀终止膜层和顶层膜层；在顶层膜层和刻蚀终止膜层的刻蚀选择比大于4 : 1的条件下，对顶层膜层进行刻蚀，刻蚀过程由顶层膜层开始...
    2026-01-26
  • 形成氧化层的方法
    形成氧化层的方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202410728548.1
    本公开提出了一种形成氧化层的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供半导体材料；以及执行原位水汽生成工艺，以使反应气体与所述半导体材料反应以在所述半导体材料的表面生成氧化层，所述反应气体包括多种氧化剂。
    2026-01-26
  • 金属零层的制造方法
    金属零层的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232113.9
    本发明公开了一种金属零层的制造方法，包括步骤：在第零层第零层层间膜的顶部表面形成金属硬质掩膜层。依次对金属硬质掩膜层和第零层第零层层间膜进行刻蚀形成金属零层开口。涂布形成第一SOC层。进行回拉工艺将第一SOC层的顶部表面降低到金属零层开口的...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_宝鼎乾芯集成电路(杭州)有限公司_202511164765.3
    一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底；在所述基底上依次形成粘附材料、隔离材料和增厚材料；依次刻蚀所述增厚材料、隔离材料和粘附材料，形成电极结构，所述电极结构包括：依次位于所述基底上的粘附层、隔离层和增厚层；通过漂洗腐蚀液对...
    2026-01-26
  • 用于在具有平放的III-V半导体层的锗半导体晶片的情况下制造贯通开口的方法
    用于在具有平放的III-V半导体层的锗半导体晶片的情况下制造贯通开口的方法_阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司_202510743259.3
    本发明涉及用于在具有平放的III‑V层的锗半导体晶片的情况下制造贯通开口的方法，该锗半导体晶片具有带有多个III‑V层的前侧，其中，在第一光刻工艺中构造用于构造贯通开口的第一无漆区域，或者借助第一印刷工艺结构化地施加第一漆以便构造第一无漆区...
    2026-01-26
  • 嵌埋器件封装基板的制作方法
    嵌埋器件封装基板的制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510964169.7
    本公开提供一种嵌埋器件封装基板的制作方法。具体地，通过在具有双层可分离铜箔的刚性承载板上施加具有黏性的第一介质层；在第一介质层上贴合包括开口的框架，然后将元器件贴附在开口暴露的第一介质层上，并通过预烘烤半固化第一介质层；再在框架的表面压合第...
    2026-01-26
  • 一种带导电通孔的玻璃基板的制作方法及芯片封装结构
    一种带导电通孔的玻璃基板的制作方法及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511209876.1
    本申请提供一种带导电通孔的玻璃基板的制作方法及芯片封装结构，方法包括：提供玻璃基板，玻璃基板包括相对的第一面和第二面；形成玻璃基板的第一面贯穿至第二面的第一通孔；在第一通孔内形成导电柱，导电柱与第一通孔之间具有间隙；在导电柱与第一通孔的内壁...
    2026-01-26
  • 功率模块的新型封装结构及其封装方法
    功率模块的新型封装结构及其封装方法_哈尔滨工业大学(威海)_202511222492.3
    本发明提供了一种功率模块的新型封装结构及其封装方法，包括：清洗并烘干陶瓷基板；将烘干后的陶瓷基板放于蒸发镀膜室腔体内进行真空蒸发镀膜，以对陶瓷基板改性处理；清洗并烘干铜材；将铜材安装在陶瓷基板的上表面获得装配组件，并将装配组件置于真空扩散连...
    2026-01-26
  • 一种面板级可拆卸式芯片封装结构的工艺方法
    一种面板级可拆卸式芯片封装结构的工艺方法_江门市华凯科技有限公司_202510991142.7
    本发明涉及一种面板级可拆卸式芯片封装结构的工艺方法，包括以下步骤：步骤一、面板级基板准备；步骤二、涂布热解胶膜；步骤三、粘贴下层金属引线框；步骤四、烘烤固化；步骤五、去除下层金属引线框外框和连筋；步骤六、涂布导电粘结物质；步骤七、置放芯片；...
    2026-01-26
  • 一种面板级功率芯片封装PPLA结构的工艺方法
    一种面板级功率芯片封装PPLA结构的工艺方法_江门市华凯科技有限公司_202510991160.5
    本发明涉及一种面板级功率芯片封装PPLA结构的工艺方法，包括以下步骤：步骤一、面板级基板准备；步骤二、涂布热解胶膜；步骤三、粘贴下层金属引线框；步骤四、烘烤固化；步骤五、去除下层金属引线框外框和连筋；步骤六、涂布导电粘结物质；步骤七、置放芯...
    2026-01-26
  • 用于电子组件的制造方法与制造设备
    用于电子组件的制造方法与制造设备_印能科技股份有限公司_202410695564.5
    一种电子组件的制造方法，其包含下列步骤：提供一载板；提供一电子组件；使位于该电子组件的至少一面的导电块固定于该载板以形成一整体组件；将该整体组件置入一处理腔室中；使该处理腔室内的温度下降至低于常温的一第一预定温度；使该处理腔室内的压力下降至...
    2026-01-26
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