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最新专利技术
  • 电容器
    电容器_松下知识产权经营株式会社_202480021795.6
    电容器包含：第1电极、形成于第1电极的表面的电介质层、配置于电介质层上的导电层、以及配置于导电层上的第2电极。导电层在第2电极侧的表层具有由无机材料形成的针状结构。
    2025-11-21
  • 电容器和电极活性物质
    电容器和电极活性物质_松下知识产权经营株式会社_202480021142.8
    电容器包含第一电极、第二电极和电解液。第一电极和第二电极中的至少一者是包含含氮碳材料的电极。含氮碳材料包含六元环，六元环包含1个以上的羰基碳和2个以上的氮原子中的至少一者。
    2025-11-21
  • 电气装置
    电气装置_森萨塔科技公司_202380096813.2
    一种改进的电气装置，其包括高压开关装置和快速断开装置。所述开关装置用于选择性地打开/关闭高压电路。所述快速断开装置可包括烟火致动器，所述烟火致动器能施力使可动接触部远离固定接触部，并可选地将所述可动接触部保持在引爆状态。
    2025-11-21
  • 烧结材料及其制造方法、以及电子源及具备其的装置
    烧结材料及其制造方法、以及电子源及具备其的装置_电化株式会社_202480020601.0
    烧结材料的制造方法，其是由铱和铈构成的烧结材料的制造方法，包括：准备由铱和铈构成的烧结体的工序；和在氧分压为10‑1Pa以下的气氛下，于1400～1800℃的温度经0.5小时以上对烧结体进行加热处理而得到烧结材料的工序。烧结材料，其为由铱和...
    2025-11-21
  • 固定面板至离子源的扣件
    固定面板至离子源的扣件_应用材料股份有限公司_202480025340.1
    公开一种固定面板至离子源的腔室壁的扣件。离子源安置于具有凸缘的源壳体上。扣件包括具有类似于修圆矩形的横截面的两个条带。每一条带具有两个附接部分及一接合部分，所述接合部分靠在面板的外表面上。附接部分穿过凸缘中的开口且附接至设置于凸缘的相对侧上...
    2025-11-21
  • 半导体处理腔室盖及涂层
    半导体处理腔室盖及涂层_应用材料公司_202480023589.9
    描述了半导体处理系统及系统部件。所述系统部件包括半导体处理腔室的腔室盖，所述腔室盖包括电介质材料，所述电介质材料具有基本上圆盘形状且将盖部分及气体输送喷嘴部分整合为单个结构。所述腔室盖包括多个气体流动路径，所述气体流动路径各自从所述腔室盖的...
    2025-11-21
  • 等离子体状态及等离子体工艺状态的监测方法及装置
    等离子体状态及等离子体工艺状态的监测方法及装置_韩国核融合能源硏究院_202480023666.0
    本发明涉及等离子体状态及等离子体工艺状态的监测方法及装置，电子装置从多个传感器获得的传感数据中收集与预设传感数据收集条件对应的传感数据，所述电子装置同时执行所述传感数据的存储和预处理，所述电子装置筛选用于学习的输入数据并执行学习，以及所述电...
    2025-11-21
  • ICP源气体递送中枢和喷嘴
    ICP源气体递送中枢和喷嘴_应用材料公司_202480026540.9
    公开了用于气体中枢和递送喷嘴的增材制造的示例结构、方法和系统。一个示例结构包括一体式气体中枢和分配喷嘴，所述一体式气体中枢和分配喷嘴包括气体中枢部分和气体递送喷嘴部分。所述气体中枢部分包括多个进气口路径和一个或多个充气腔室。所述多个进气口路...
    2025-11-21
  • 并行或周期性蚀刻以及方向性沉积
    并行或周期性蚀刻以及方向性沉积_应用材料股份有限公司_202480026746.1
    一种蚀刻和沉积系统包括：制程腔室，包含用于支撑基底的平台；反应性离子蚀刻(RIE)源，适配于产生离子束并将离子束导入制程腔室中以蚀刻基底；第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)源，位于RIE源的第一侧上，第一PECVD源适配于产生第一自...
    2025-11-21
  • 锥光晶圆定向装置以及包括其的离子植入器
    锥光晶圆定向装置以及包括其的离子植入器_应用材料股份有限公司_202480027007.4
    离子植入器，包括产生离子束的离子源、一组将离子束沿着与参考平面垂直的束轴引导至基板的束线元件、容纳接收离子束的基板的制程腔室，以及锥光系统。锥光系统可包括：将光引导至基板位置的照明光源、第一偏光片组件，包含第一偏光片元件和配置在第一偏光片元...
    2025-11-21
  • 用于离子束质量分析的装置、系统和技术
    用于离子束质量分析的装置、系统和技术_应用材料股份有限公司_202480024148.0
    一种装置可包括设置于会聚离子束总成的下游的电动质量分析(EDMA)总成。EDMA总成可包括第一级，第一级包括：第一上部电极，设置于束轴线上方；以及第一下部电极，设置于束轴线下方且与第一上部电极相对。EDMA总成亦可包括第二级，第二级设置于第...
    2025-11-21
  • 用于IMR/PTR-MS的中空阴极辉光放电试剂离子源
    用于IMR/PTR-MS的中空阴极辉光放电试剂离子源_爱奥尼肯分析股份有限公司_202480024085.9
    本发明涉及一种用于离子分子反应‑质谱(IMR‑MS)和/或质子转移反应‑质谱(PTR‑MS)的装置和用于操作装置的方法，用于通过经由特定类型的试剂离子的化学电离来分析用于至少一种被分析化合物的气体，该装置包括：试剂离子源，具有中空阴极辉光放...
    2025-11-21
  • 半导体器件的制造方法以及接合晶片
    半导体器件的制造方法以及接合晶片_三菱电机株式会社_202380095859.2
    本公开的目的在于，在再次利用晶片的半导体器件的制造中，提高生产率并且抑制晶片破裂。本公开所涉及的半导体器件的制造方法具备：(a)通过在厚度方向上分割多个SiC晶片(13、17)的每一个，从各SiC晶片(13、17)得到不包含器件构造(12、...
    2025-11-21
  • 硬罩幕与光致抗蚀剂中修饰开口以达到预期临界尺寸的方法
    硬罩幕与光致抗蚀剂中修饰开口以达到预期临界尺寸的方法_应用材料股份有限公司_202480026966.4
    修改光罩中的开口以达成期望的临界尺寸的方法，此方法包括在光罩上执行预植入以将掺杂材料植入光罩，其中光罩的材料致密化且开口放大，引导第一基态光束朝向开口的第一横向侧以在第一横向侧上沉积材料层，以及引导第二基态光束朝向与第一横向侧相对的开口的第...
    2025-11-21
  • 用于减少后连续渗透合成缺陷的方法
    用于减少后连续渗透合成缺陷的方法_应用材料公司_202480026981.9
    本文所公开的实施例描述了用于处理基板的方法。在一个实例中，处理膜堆叠的层的方法包括预处理形成在基板上的膜堆叠的底层的表面，并通过在靠近膜堆叠的处理环境中加热含甲基材料以在膜堆叠的光致抗蚀剂层中形成金属氧化物。膜堆叠包括布置在底层顶部上并与底...
    2025-11-21
  • 通过混合工艺于高深宽比结构中制造硅化物的方法
    通过混合工艺于高深宽比结构中制造硅化物的方法_应用材料公司_202480024143.8
    本公开案涉及一种通过使用多步沉积工艺在高深宽比结构中选择性形成硅化物的方法。将第一前体气体输送至设置在维持在第一工艺压力下的工艺腔室的处理区域内的表面，其中所述基板在第一温度下维持持续第一时间段。在所述第一时间段已经过去后输送所述净化气体持...
    2025-11-21
  • 用于导电特征的室温物理气相沉积的低能量底层
    用于导电特征的室温物理气相沉积的低能量底层_应用材料公司_202480027361.7
    本揭露的实施例通常涉及在基板上形成电导特征的方法。在一个实施例中，该方法包括在基板的开口处透过物理气相沉积(PVD)形成第一导电层。第一导电层的厚度小于20埃。该方法进一步包括透过PVD在第一导电层上形成第二导电层。第一导电层和第二导电层是...
    2025-11-21
  • 保护片和电子器件的制造方法
    保护片和电子器件的制造方法_日东电工株式会社_202480021910.X
    本发明提供保护片等，所述保护片具备保护层，所述保护层待贴合于具有保护对象面的电子器件的所述保护对象面、或连结多个所述电子器件而得到的电子器件连结体的保护对象面，浸渍于25℃的水中180秒后的所述保护层的质量减少率WW为0质量％以上且30质量...
    2025-11-21
  • 接合体及接合体的制造方法
    接合体及接合体的制造方法_日本碍子株式会社_202380094498.X
    一种接合体，该接合体具有：压电材料基板11；支撑基板13，其接合于压电材料基板；以及外周加工部，其是使压电材料基板11及支撑基板13的外周部相对于压电材料基板11的主表面倾斜而得到的，外周加工部包括：压电材料基板11面对的第一倾斜面、以及位...
    2025-11-21
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021449.8
    基板处理方法包括：准备基板，所述基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面具有起伏；以及进行所述基板的所述第一主面的激光加工。基板处理方法包括：在所述激光加工之前获取所述第一主面的起伏的映射数据；基于所述...
    2025-11-21
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