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最新专利技术
  • 一种复合铜集流体及其制备方法和锂离子电池
    一种复合铜集流体及其制备方法和锂离子电池_江阴纳力新材料科技有限公司_202311838629.9
    本发明提供一种复合铜集流体及其制备方法和锂离子电池，所述复合铜集流体包括：聚合物基膜；设置于所述聚合物基膜至少一表面的粘结层；设置于所述粘结层的相对远离所述聚合物基膜一侧表面上的复合铜层，所述复合铜层由无定形铜层和晶态铜层交替层叠而成。本发...
    2025-08-23
  • 正极材料及其制备方法、锂离子电池
    正极材料及其制备方法、锂离子电池_贝特瑞(江苏)新材料科技有限公司_202311820819.8
    本申请涉及正极材料及其制备方法，锂离子电池，正极材料的化学通式为LiNiaCobMncMdO2，其中，0.7＜a＜0.98，0＜b...
    2025-08-23
  • 硅碳复合材料及其制备方法、负极和电池
    硅碳复合材料及其制备方法、负极和电池_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311824026.3
    本发明涉及电池材料技术领域，公开了硅碳复合材料及其制备方法、负极和电池。公开的硅碳复合材料，包括多孔碳基体和沉积在多孔碳基体的孔隙内的石墨炔和硅，石墨炔与多孔碳基体的质量比为5～10:100；硅与多孔碳基体的质量比为45～70:100。公开...
    2025-08-23
  • 一种硅碳负极材料及其制备方法与电池
    一种硅碳负极材料及其制备方法与电池_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311819702.8
    本发明公开了一种硅碳负极材料及其制备方法与电池，属于负极材料技术领域。该硅碳负极材料的压实密度≥1.1g/cm3，NLDFT总孔容≤0.005cm3/g；且，该硅碳负极材料的NLDFT总孔容中，不...
    2025-08-23
  • 一种高粘结力极片及其制备方法
    一种高粘结力极片及其制备方法_万华化学(烟台)电池材料科技有限公司_202311818689.4
    本发明提供了一种高粘结力电池涂布工艺，包含以下步骤：箔材在放卷模块由托辊牵引经过涂布模块，浆料在箔材上表面形成湿膜层得到带料箔材，带料箔材由托辊通过高温烘箱的烘干模块，最后通过收卷机构得到带干膜的膜卷；所述干燥烘箱的托辊连接外置直流电源的正...
    2025-08-23
  • 一种高强度双极性极片及其制备方法
    一种高强度双极性极片及其制备方法_天津中能锂业有限公司_202311817529.8
    本发明提供了一种高强度双极性极片及其制备方法。该双极性极片包括集流体层，设置在集流体层两侧的正极层和锂碳复合材料层，其中，锂碳复合材料层中包含金属锂和质量分数为9％至65％的碳纳米管，还可包含质量分数小于10％的第二碳源。锂碳复合材料层作为...
    2025-08-23
  • 一种改性镍基正极材料及其制备方法和锂离子电池
    一种改性镍基正极材料及其制备方法和锂离子电池_巴斯夫杉杉电池材料有限公司_202311830412.3
    一种改性镍基正极材料，包括镍基正极材料基体以及掺杂于镍基正极材料基体中的掺杂元素，掺杂元素的电负性高于镍基正极材料基体内锂和过渡金属元素的电负性，材料孔隙率为10％‑20％。其制备方法：将正极材料前驱体、锂源和掺杂剂混合后烧结，得到烧结产物...
    2025-08-23
  • 电极组件及其制备方法、自组装固态电池及其制备方法、用电装置
    电极组件及其制备方法、自组装固态电池及其制备方法、用电装置_重庆太蓝新能源有限公司_202311831894.4
    本发明公开了电极组件及其制备方法、自组装固态电池及其制备方法、用电装置。制备电极组件的方法包括：(1)准备复合固态电解质物料：所述复合固态电解质物料包括无机材料、热塑性弹性体和锂盐，所述无机材料包括无机陶瓷材料和/或无机固态电解质，所述复合...
    2025-08-23
  • 包含正温度系数（PTC）材料的电极
    包含正温度系数（PTC）材料的电极_通用汽车环球科技运作有限责任公司_202311826626.3
    本发明涉及包含正温度系数(PTC)材料的电极。一种用于电池组电池的电极包括集流体和布置在所述集流体上的活性材料层。在一些实例中，所述活性材料层包括活性材料、导电添加剂、正温度系数(PTC)材料和粘合剂。在其它实例中，所述活性材料层包括具有包...
    2025-08-23
  • 极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法
    极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法_安迈特科技(北京)有限公司_202311824192.3
    本公开提供一种极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法，极片极耳包括：至少一个复合集流体，所述复合集流体表面设有焊接层，所述焊接层由焊接材料涂覆于所述复合集流体表面的至少一部分形成；所述焊接材料包括由胶黏液和颗粒状的导电材料组成的混...
    2025-08-23
  • 极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法
    极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法_安迈特科技(北京)有限公司_202311824173.0
    本公开提供一种极片极耳、极耳焊接结构、复合极片、锂电池及其方法，极片极耳，包括：至少一个复合集流体，所述复合集流体表面设有胶黏层，所述胶黏层由胶黏材料组成；所述胶黏材料包括胶液和导电材料，所述导电材料占所述胶黏材料的质量百分比为5％～70％...
    2025-08-23
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_无锡华润安盛科技有限公司_202311833102.7
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括引线框、第一芯片、第二芯片及片状连接件。引线框包括依序间隔设置的第一键合部、第二键合部及第三键合部；第一芯片设于引线框之上，第一芯片的正面设有第一电极和第二电极，第一芯片的背面设有第三电极...
    2025-08-23
  • 一种封装结构及电子设备
    一种封装结构及电子设备_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202311832272.3
    本公开实施例提供一种封装结构及电子设备。所述封装结构包括：封装基板；芯片，位于所述封装基板表面，与所述封装基板电连接；所述封装基板内形成有供电布线，电连接至所述芯片内的负载模块的电源输入端，用于提供电源供电路径；其中，所述电源供电路径上形成...
    2025-08-23
  • 测试结构及测试方法
    测试结构及测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311830981.8
    一种测试结构及测试方法，测试结构包括：多个待测单元沿第一方向和第二方向呈矩阵间隔排布；其中，待测单元包括多个相间隔且依次串联的晶体管，多个晶体管均包括栅极结构和位于栅极结构两侧的源漏掺杂层、以及与源漏掺杂层电连接的源漏插塞；第一电信号加载端...
    2025-08-23
  • 芯片封装结构及其制作方法、电子设备
    芯片封装结构及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202311834089.7
    本申请提供一种芯片封装结构及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够解决在晶圆背面显露硅通孔(reveal TSV)过程中的金属污染问题。本申请提供的芯片封装结构中包括硅衬底、钝化层、硅通孔TSV、有源器件。其中，硅衬底的背面具有硅损...
    2025-08-23
  • 一种冷却液供应系统和一种等离子处理器
    一种冷却液供应系统和一种等离子处理器_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311829363.1
    本发明公开一种用于控制基座温度的冷却液供应系统，所述冷却液供应系统包括两个三通阀门，分别控制输出冷却液流量比例和回流冷却液流量比例，还包括两个旁路阀实现输出和回流的冷却液流量稳定。本发明通过三个控制回路分别独立控制输出到基座的冷却液温度、两...
    2025-08-23
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202311847335.2
    本公开实施例涉及一种半导体器件及其制备方法。该方法包括：提供基底，基底包括阵列区，阵列区中形成有沿第一方向间隔排布的第一沟槽，第一沟槽的侧壁形成有绝缘介质层，位于阵列区的中心区域的第一沟槽的底部形成有第一凹槽，相邻第一凹槽之间相互隔离；于第...
    2025-08-23
  • 半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法
    半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311826996.7
    一种半导体结构的形成方法及刻蚀腔体的清洗方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成多元氧化物层；采用反应离子束刻蚀工艺刻蚀所述多元氧化物层，在所述多元氧化层内形成暴露出所述介质层的开口，所述反应...
    2025-08-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311840254.X
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成沟槽，所述沟槽的侧壁和底部构成的夹角为圆角；采用反应离子束刻蚀工艺对所述圆角处的基底进行改性处理，在所述圆角处的基底内形成改性层；采用离子束刻蚀工艺去除所述改性层。本发明实施例提供的...
    2025-08-23
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311834026.1
    本发明还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述基底，在所述基底内形成初始浅沟槽；采用至少一次第二刻蚀工艺刻蚀所述初始浅沟槽的表面，形成浅沟槽，所述浅沟槽的表面粗糙度小于所述初始浅沟槽的表面粗糙度；消除浅沟槽表...
    2025-08-23
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