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办公文教;装订;广告设备的制造及其产品制作工艺
  • 一种电解液添加剂、电解液、锂离子电池及用电装置
    一种电解液添加剂、电解液、锂离子电池及用电装置_清陶动力科技(上海)有限公司_202511805549.2
    本申请公开一种电解液添加剂、电解液、锂离子电池及用电装置，涉及电池技术领域。电解液添加剂包括1‑乙炔基‑4‑甲氧基‑2‑(三氟甲基)苯，本申请提供的电解液添加剂1‑乙炔基‑4‑甲氧基‑2‑(三氟甲基)苯中含有氟原子、炔基、苯环及醚键，四个功...
    2026-03-31
  • 一种高通用性的锂电池保护板
    一种高通用性的锂电池保护板_东莞市嘉佰达电子科技有限公司_202520072732.5
    本实用新型涉及锂电池保护板技术领域，具体为一种高通用性的锂电池保护板，包括防护板和锂电池组，防护板的内部设置有散热网，且防护板的两侧均开设有限位槽，防护板的一侧表面靠两组限位槽两侧的位置均安装有固定块，且固定块的内部均开设有固定孔，防护板的...
    2026-03-31
  • 汇流排结构及电池包
    汇流排结构及电池包_蜂巢能源科技股份有限公司_202520594063.8
    本实用新型涉及电池技术领域，并提供了一种汇流排结构及电池包。该汇流排结构包括汇流排支架，以及设于汇流排支架上的汇流排组件和BMS从板；BMS从板位于汇流排组件的远离汇流排支架的一侧，BMS从板的朝向汇流排组件的一侧设有隔热部，隔热部用于阻隔...
    2026-03-31
  • 冷藏装置和分析仪
    冷藏装置和分析仪_中元汇吉生物技术股份有限公司_202310011091.8
    本发明涉及仪器分析技术领域，特别涉及一种冷藏装置和分析仪。冷藏装置包括基体、制冷机构、冷藏室，制冷机构设于基体，制冷机构上形成有储液室，冷藏室设于制冷机构，冷藏室开设有过液通道，过液通道与储液室连通，以使冷藏室的液体收集于储液室。在制冷机构...
    2026-03-31
  • 一种负性光刻胶显影用gemini表面活性剂及其显影液
    一种负性光刻胶显影用gemini表面活性剂及其显影液_杭州格林达电子材料股份有限公司_202511947681.7
    本发明涉及gemini表面活性剂技术领域，属于一种负性光刻胶显影用gemini表面活性剂。本发明还公开一种显影液，包含上述的负性光刻胶显影用gemini表面活性剂，所述gemini表面活性剂重量份为2～10%，所述显影液还包括5～15%重量...
    2026-03-31
  • 一种电磁感应加热的电子雾化装置
    一种电磁感应加热的电子雾化装置_深圳市欧迪恩科技发展有限公司_202510069668.X
    本发明涉及电子烟技术领域，具体为一种电磁感应加热的电子雾化装置。一种电磁感应加热的电子雾化装置，包括一中空的电感发热体，所述电感发热体表面开设有若干通孔；还包括一导液件，所述导液件的一端包裹于所述电感发热体外壁；还包括一底座，所述底座具有第...
    2026-03-31
  • 一种接地结构、电连接组件、电连接器及连接器组件
    一种接地结构、电连接组件、电连接器及连接器组件_安费诺电子装配(厦门)有限公司_202520106047.X
    本实用新型公开了一种接地结构、电连接组件、电连接器及连接器组件，属于连接器领域，一种接地结构，用于端子组的接地，包括第一接地件、以及第二接地件，第一接地件和第二接地件分别设置于端子组相对的两侧，第一接地件、第二接地件、以及端子组的接地端子间...
    2026-03-31
  • 雾化器和电子雾化装置
    雾化器和电子雾化装置_深圳市吉迩科技有限公司_202512061546.9
    本申请提供一种雾化器和电子雾化装置，雾化器包括壳体组件和雾化组件，壳体组件设有用于储存雾化基质的储液腔以及与储液腔连通的雾化腔；雾化组件设于雾化腔内，雾化组件包括供液件、导液件及发热件，供液件包括相连的第一段和第二段，第一段至少部分位于储液...
    2026-03-31
  • 便携式红外热波检测装置
    便携式红外热波检测装置_常州阿米琦智能装备科技有限公司_202521035975.8
    本实用新型涉及红外热波检测技术领域，且公开了便携式红外热波检测装置，包括两个滑管架和检测箱，所述两个滑管架的顶部均开设有滑孔，滑孔内滑动连接有滑板，滑板的顶部开设有卡槽，所述检测箱的两侧均通过螺栓固定有挂耳，且挂耳位于卡槽内，所述滑板的顶部...
    2026-03-31
  • 一种正极极片及二次电池
    一种正极极片及二次电池_广州天赐高新材料股份有限公司_202610210925.1
    本申请涉及二次电池制备技术领域，提供了一种正极极片及二次电池，正极材料层包括层状过渡金属氧化物、导电剂、粘结剂、分散剂和分子式为MaZr6Om(OH)n(OL)6‑(x+y)/2(sol)x(blank)yNb的金属元素掺杂的金属有机框架材...
    2026-03-31
  • 陶瓷基板上跨层孔的加工方法、系统和陶瓷线路板
    陶瓷基板上跨层孔的加工方法、系统和陶瓷线路板_深圳市大族微电子科技有限公司_202610198694.7
    本申请适用于工业技术领域，提供了一种陶瓷基板上跨层孔的加工方法、系统和陶瓷线路板。其中，所述陶瓷基板上跨层孔的加工方法包括：获取陶瓷基板的结构信息；根据结构信息，在深度方向上规划激光加工与机械钻孔的加工顺序及区域；所述陶瓷基板的加工深度范围...
    2026-03-31
  • 镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法
    镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202110856137.7
    一种镶嵌于铜互连中的电容器结构及其形成方法，衬底，衬底包括基底和器件层，器件层内具有第N层铜金属连线层；位于第N层铜金属连线层上的第一绝缘层和第一顶电极；位于器件层上具有第一高度尺寸且覆盖第一绝缘层和第一顶电极的第N+1层介质结构；位于第N...
    2026-03-31
  • 一种手机壳装配缺陷检测方法及系统
    一种手机壳装配缺陷检测方法及系统_东莞市林泽通讯器材有限公司_202510990605.8
    本申请提供了一种手机壳装配缺陷检测方法及系统，应用于机器视觉检测技术领域，通过在单一图像采集周期内同步提取全局轮廓特征和激光线局部形变特征，并基于全局轮廓特征计算位姿以确定动态检测区域，解决了现有技术中图像质量不稳定、位姿不确定性以及处理时...
    2026-03-31
  • 端到端AI图像压缩的码率控制方法、系统、设备及介质
    端到端AI图像压缩的码率控制方法、系统、设备及介质_上海双深信息技术有限公司_202211496153.0
    本发明公开了一种端到端AI图像压缩的码率控制方法、系统、设备及介质，利用端到端图像压缩模型可以在最高和最低码点间无限插值的特性，插值出较多码点，从而获得码率控制表(Rate Control Table，简写为RCT)，并根据超先验及上下文模...
    2026-03-31
  • 一种高速宽光谱响应光电探测器
    一种高速宽光谱响应光电探测器_成都西交杰睿光电科技有限公司_202521026485.1
    本实用新型公开了一种高速宽光谱响应光电探测器，包括：多Pi n蝶形管壳、缓冲组件，所述多Pi n蝶形管壳的下端设置有用于对多Pi n蝶形管壳进行缓冲的缓冲组件，所述缓冲组件包括缓冲板、上安装块、弹簧缓冲器、下安装块、支撑板、限位组件，所述多...
    2026-03-31
  • 正极片、电池及电子设备
    正极片、电池及电子设备_广东省豪鹏新能源科技有限公司_202511990723.5
    本申请涉及一种正极片、电池及电子设备，该正极片包括正极集流体和设置于正极集流体至少一侧表面的正极涂层；正极涂层包括层叠设置的第一活性层和第二活性层，第一活性层设置于正极集流体的表面；第一活性层包括正极补锂剂，正极补锂剂包括富锂化合物；电池满...
    2026-03-31
  • 一种全金属结构双圆极化滤波天线
    一种全金属结构双圆极化滤波天线_西北工业大学_202512038715.7
    本申请属于双圆极化天线技术领域。本申请提供一种全金属结构双圆极化滤波天线。本公开实施例利用竖直金属馈电柱连接滤波器和天线，实现滤波器和天线一体化，直接对天线进行竖直馈电，解决了现有损耗高和阻抗匹配差的问题，结构简单不复杂。并且天线全金属化，...
    2026-03-31
  • 雷达罩
    雷达罩_乌尔布里希特有限责任公司_202480052613.1
    本发明涉及一种设计用于覆盖车辆雷达的雷达罩(10)，所述雷达罩包括：第一塑料部件(1)；第二塑料部件(2)；至少一个界面(4)，其形成在所述第一塑料部件(1)和所述第二塑料部件(2)之间，所述第一塑料部件(1)通过注塑成型在所述界面(4)处...
    2026-03-31
  • 储油仓、烟弹及电子雾化器
    储油仓、烟弹及电子雾化器_深圳市斯科尔科技股份有限公司_202520037536.4
    本申请公布了一种储油仓，以及具有储油仓的烟弹和电子雾化器，其中，储油仓包括外壳，外壳内部形成有用于存储流体的储油腔，外壳上设有过气孔及出油口，过气孔一端连通外部大气，另一端连通储油腔；过气孔靠近储油腔的一端覆盖有防油透气膜；具有弹性的膜瓣及...
    2026-03-31
  • 一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法
    一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法_上海乐瓦微电子科技有限公司_202610073350.3
    本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法，包括在形成沟槽的半导体衬底上，采用原子层沉积工艺共形沉积一层非晶态金属硅化物前驱体薄膜；随后，对所述前驱体薄膜进行两步连续的等离子体原位转换处理：首先，在含氧或含氮...
    2026-03-31
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