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最新专利技术
  • 光伏组件和光伏组件的制造方法
    光伏组件和光伏组件的制造方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511615835.2
    本申请提供了一种光伏组件和光伏组件的制造方法。光伏组件包括：第一透明盖板；第二透明盖板；环状的连接件，连接件设于第一透明盖板和第二透明盖板之间，第一透明盖板、连接件和第二透明盖板限定出安装空间，安装空间填充有保护气体或为真空状态；导热基座，...
    2026-04-13
  • 背接触电池、背接触电池的制备方法、叠层电池和光伏组件
    背接触电池、背接触电池的制备方法、叠层电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610248955.1
    背接触电池、背接触电池的制备方法、叠层电池和光伏组件，属于光伏技术领域，背接触电池包括：衬底包括第一面和第二面，第一面包括第一导电区和第二导电区，第一导电区包括第一区和位于第一区和第二导电区之间的第二区，第一半导体层设置在第一导电区，第二半...
    2026-04-13
  • 背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511924758.9
    本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，具体涉及太阳能电池制备技术领域。该背接触太阳能电池包括N型晶体硅基底，在所述N型晶体硅基底的背面设置有交替排列的P型载流子收集区和N型载流子收集区；其中，所述P型载流子收集区和所述N型...
    2026-04-13
  • 用于保护氮化硅的氮氧化硅膜
    用于保护氮化硅的氮氧化硅膜_德州仪器公司_202511335022.8
    公开了用于保护氮化硅的氮氧化硅膜。所描述实例包含集成电路(100)，所述集成电路包含延伸到半导体衬底(106)中的沟槽。氮化硅主体(122)位于所述沟槽内。多晶硅电极(128)在所述氮化硅主体(122)上方延伸，且氮氧化硅层(124)位于所...
    2026-04-13
  • 静电放电保护电路
    静电放电保护电路_华邦电子股份有限公司_202411531621.2
    本发明提供一种静电放电保护电路。静电放电保护电路耦接在第一垫以及第二垫之间。静电放电保护电路包括衬底、第二导电型晶体管结构、电阻结构及硅控整流器结构。衬底具有第一导电型。第二导电型晶体管结构位于衬底中，且具有栅极端。电阻结构位于衬底中，且包...
    2026-04-13
  • 单向低电压SIDACTOR
    单向低电压SIDACTOR_力特半导体(无锡)有限公司_202411357974.5
    本发明公开了一种单向低电压SIDACTor。一种半导体器件、装置、结构及其相关联的方法。该器件包括衬底、第一基层、第二基层和第三基层。衬底被设置在第一基层和第二基层与第三基层之间。该器件包括一个或多个第一掺杂区和一个或多个第二掺杂区。第一掺...
    2026-04-13
  • 无突出电极架构的TFT模块结构及其制备方法、TFT显示面板
    无突出电极架构的TFT模块结构及其制备方法、TFT显示面板_北京大学长三角光电科学研究院_202511667555.6
    本发明涉及柔性显示技术领域，尤其涉及一种无突出电极架构的TFT模块结构及其制备方法、TFT显示面板。无突出电极架构的TFT模块结构包括带凹槽的柔性衬底、嵌入凹槽且与衬底平齐的内嵌式电极、覆盖内嵌式电极和衬底的TFT有源层、绝缘层以及与TFT...
    2026-04-13
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202512014845.7
    本公开提供一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，其中，显示面板包括第一焊盘和第一辅助部，至少两个第一焊盘之间间隔设置有第一辅助部。第一辅助部相同于填充了第一焊盘排布区域内的金属空白区，如此使得整个第一焊盘所在区域的金属图形密度趋于均匀，...
    2026-04-13
  • 一种低温多晶硅晶体管制作方法、阵列基板及显示装置
    一种低温多晶硅晶体管制作方法、阵列基板及显示装置_信利(仁寿)高端显示科技有限公司_202511945085.5
    本申请公开了一种低温多晶硅晶体管制作方法、阵列基板及显示装置，方法包括步骤：对非晶硅薄膜进行激光退火，得到第一多晶硅薄膜，对第一多晶硅薄膜进行整面轻掺杂，调节第一多晶硅薄膜的电学特性，得到第二多晶硅薄膜；对第二多晶硅薄膜进行光刻胶涂覆、刻蚀...
    2026-04-13
  • 用于制备柔性衬底和导电电极的可循环使用的图案化母版及其制备方法、平坦化柔性衬底和导电电极结构
    用于制备柔性衬底和导电电极的可循环使用的图案化母版及其制备方法、平坦化柔性衬底和导电电极结构_北京大学长三角光电科学研究院_202511667641.7
    本发明涉及柔性电子技术领域，尤其涉及一种用于制备柔性衬底和导电电极的可循环使用的图案化母版及其制备方法、平坦化柔性衬底和导电电极结构。可循环使用的图案化母版包括导电基板，导电基板上设置绝缘层，绝缘层表面形成图案化凹陷结构，凹陷内填充金属层，...
    2026-04-13
  • 使用终点子鳍蚀刻的自对准背侧过孔
    使用终点子鳍蚀刻的自对准背侧过孔_英特尔公司_202511189034.4
    本文公开了具有自对准背侧触点的半导体装置和系统及其形成方法。在一个示例中，半导体装置包括沟道、源极和漏极、源极和漏极触点以及栅极。沟道包括竖直且基本平行布置的多个沟道结构。源极和漏极位于沟道的相对端。源极触点和漏极触点分别耦合到源极和漏极。...
    2026-04-13
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510603203.8
    一种半导体器件包括：基体绝缘层；沟道结构，所述沟道结构位于所述基体绝缘层的第一表面上；栅极结构，所述栅极结构围绕所述沟道结构；以及第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案沿着第一方向彼此间隔开地...
    2026-04-13
  • 碳化硅MOSFET以及半导体器件
    碳化硅MOSFET以及半导体器件_上海贝岭股份有限公司_202511964855.0
    本公开提供了一种碳化硅MOSFET以及半导体器件。该碳化硅MOSFET包括电流扩展层、若干个P型体区以及若干个N+型源区；电流扩展层包括若干个第一鳍状结构；每一P型体区包括第二鳍状型结构；每一N+型源区包括第三鳍状型结构；每一第一鳍状结构和...
    2026-04-13
  • 具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构
    具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构_英特尔公司_202511961408.X
    描述了具有含金属鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括位于第一子鳍状物之上的水平纳米线的竖直堆叠体。栅极结构位于水平纳米线的竖直堆叠体之上以及位于第一子鳍状物上。电介质结构与栅极结构横向间隔开。电介质结构不位于沟道结构之上...
    2026-04-13
  • 在接触器件层的金属化层中实现的栅极到源极/漏极接触部链接
    在接触器件层的金属化层中实现的栅极到源极/漏极接触部链接_英特尔公司_202511205722.5
    集成电路(IC)器件具有栅电极耦合到源极或漏极的晶体管，例如，连接成二极管的晶体管。IC器件可以包括在晶体管上(例如，在器件层上和之上)的金属化层级，其中连续的第一金属主体在金属化层级中并且直接在源极或漏极接触部和栅电极上。金属化层级中的第...
    2026-04-13
  • 一种集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法
    一种集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法_广州智明微电子科技有限公司_202511914193.6
    本发明属于功率半导体器件技术领域，具体公开了一种集成温度传感器的功率半导体器件及制备方法。本发明在相同衬底和外延层上集成了功率半导体器件以及由多个二极管串联组成的温度传感器。在功率半导体器件与温度传感器之间、以及组成温度传感器的各个二极管之...
    2026-04-13
  • 结型二极管隔离
    结型二极管隔离_德州仪器公司_202511326794.5
    本公开大体上涉及集成电路裸片中的结型二极管隔离。在示例中，半导体装置包含二极管和晶体管。所述二极管在半导体衬底(302)中。所述二极管包含各自在所述半导体衬底(302)中的阳极区(208)、n型阱(204)、阴极区(206)和n型埋层(20...
    2026-04-13
  • 一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法
    一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法_广州智明微电子科技有限公司_202511914157.X
    本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种基于BCD工艺的半导体器件及其制造方法。本发明利用BCD工艺的制备流程设计了三个二极管串联的结构形式，当二极管导通时，此时器件阳极上的电位较高，用于温度检测时精度较高。此外，本发明针对器件工作在低...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311465723.4
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供包括NMOS区与PMOS区的衬底，衬底上形成有栅极结构、硬掩膜层、第一侧墙以及第一保护层或第二侧墙，NMOS区内的硬掩膜层的厚度大于PMOS区内的硬掩膜层的厚度；形成覆盖衬底的填充层；...
    2026-04-13
  • 半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法
    半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610249024.3
    本发明公开了一种半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法，属于半导体技术领域。本发明通过先对半导体衬底进行刻蚀，以形成若干第一沟槽，再在第一沟槽的侧壁形成用于提高第一区域或第二区域载流子迁移率的半导体应力材料层，得到第二沟槽，然后在...
    2026-04-13
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