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最新专利技术
  • 激光对位清洗设备
    激光对位清洗设备_微劲精密有限公司_202510781646.6
    一种激光对位清洗设备，包含基座单元、驱动单元、喷座单元及激光单元。所述基座单元用于承载晶材。所述驱动单元包括载板。所述喷座单元连接于所述载板底侧，且包括喷座本体，及至少一个固接于所述喷座本体的喷嘴件，所述至少一个喷嘴件面向所述晶材喷出药剂。...
    2026-04-13
  • 加工方法、加工设备及其上模装置
    加工方法、加工设备及其上模装置_万润科技股份有限公司_202510506314.7
    本发明提供一种加工方法、加工设备及其上模装置，该加工方法包括使一积体电路元件以一基板载置在一下模装置上。使一上模装置与该下模装置结合，以相配合界定出对该积体电路元件进行加工的一加工区间。使一负压源对该加工区间抽气，以使一加工气体流入该加工区...
    2026-04-13
  • 一种大尺寸磷化铟晶片的清洗方法
    一种大尺寸磷化铟晶片的清洗方法_广东先导微电子科技有限公司_202512052194.0
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种大尺寸磷化铟晶片的清洗方法，清洗步骤如下：将大尺寸磷化铟晶片固定于载物台上，调节载物台倾斜角度使磷化铟晶片与水平面呈夹角；启动载物台使其旋转，同时向处理室注入清洗液进行喷洗；喷洗结束后，清洗液注入...
    2026-04-13
  • 一种半导体封装结构的分片方法及系统
    一种半导体封装结构的分片方法及系统_华天科技(江苏)有限公司_202512040397.8
    本发明公开了一种半导体封装结构的分片方法及系统，采用纤维切割线对半导体封装结构进行切割分片。本发明采用包含硬质颗粒的纤维切割线作为切割介质，替代传统的刚性刀轮，通过控制纤维切割线的运动实现对整条切割道的同步切割，突破了切割刃长的物理限制，能...
    2026-04-13
  • 一种背锡硅晶圆的划切方法
    一种背锡硅晶圆的划切方法_郑州三磨超硬材料有限公司_202511944039.3
    本发明提出了一种背锡硅晶圆的划切方法，包括：S1、在背锡硅晶圆的背面贴上胶膜进行烘烤后自然冷却；S2、选用轮毂型电镀划片进行磨刀处理和开刃处理；S3、将步骤S1处理完的晶圆固定于划片机载盘上，划片机上安装步骤S2处理完的轮毂型电镀划片，采用...
    2026-04-13
  • 制造半导体器件的方法和半导体器件
    制造半导体器件的方法和半导体器件_株式会社东芝_202510192441.4
    根据制造半导体器件的方法和半导体器件的实施例中的至少一个，可以防止形成有多个半导体元件的半导体晶圆在特定方向上翘曲。根据实施例的制造半导体器件的方法包括：在半导体晶圆的第一主表面的器件区域中形成多个半导体元件；以及在半导体晶圆上形成边沿，该...
    2026-04-13
  • 经由定向的晶片装载作不对称性校正
    经由定向的晶片装载作不对称性校正_应用材料公司_202512024583.2
    一种化学机械研磨系统包括：计量站，具有被配置为测量基板的厚度轮廓的传感器；机械臂，被配置为将基板从计量站传送到研磨站，研磨站具有：用于支撑具有研磨表面的研磨垫的平台；研磨表面上的承载头，承载头具有经配置以施加压力至承载头中基板的膜；以及控制...
    2026-04-13
  • 减薄碳化硅晶圆的方法及碳化硅晶圆
    减薄碳化硅晶圆的方法及碳化硅晶圆_珠海格力电子元器件有限公司_202511911785.2
    申请涉及半导体技术领域，提供了一种减薄碳化硅晶圆的方法及碳化硅晶圆，减薄碳化硅晶圆的方法包括：在待减薄碳化硅晶圆的背面形成多个间隔设置的金属催化剂颗粒；将具有金属催化剂颗粒的待减薄碳化硅晶圆置入第一腐蚀液中，以腐蚀待减薄碳化硅晶圆，得到减薄...
    2026-04-13
  • 形成刻蚀孔的方法
    形成刻蚀孔的方法_东微电子(内江)有限公司_202512021304.7
    本发明提供一种形成刻蚀孔的方法，包括：提供晶圆，晶圆包括衬底以及位于衬底表面的待刻蚀膜层；采用预设刻蚀工艺去除部分待刻蚀膜层，在衬底上形成刻蚀孔；在形成刻蚀孔的过程中，利用CCD相机实时采集刻蚀孔底部的光学信息；基于光学信息，计算刻蚀孔的实...
    2026-04-13
  • 一种BCDMOS的离子注入工艺
    一种BCDMOS的离子注入工艺_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202411328581.1
    本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种BCDMOS的离子注入工艺，包括：准备衬底，在衬底上生长氧化层；在衬底上依次沉积多晶硅层、硬掩膜版，在硬掩膜版的多个保留位置涂布光阻，依次进行对准、两次蚀刻以去除非保留区域的硬掩膜版和多晶硅层...
    2026-04-13
  • 一种调控沟道效应的离子注入方法及功率器件制作方法
    一种调控沟道效应的离子注入方法及功率器件制作方法_上海鼎泰匠芯科技有限公司_202511739083.0
    本发明提供一种调控沟道效应的离子注入方法，包括：提供一半导体衬底；对半导体衬底进行一道可控注入，通过控制可控注入的剂量，在半导体衬底内形成可控的晶格损伤，以主动调控后续注入的沟道效应程度；对半导体衬底进行多道元素注入；对半导体衬底进行一道调...
    2026-04-13
  • 六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器
    六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器_吉林大学_202610237158.3
    本发明涉及化学气相沉积技术制备宽禁带半导体材料，提供了六方氮化硼薄膜及其制备方法、能带调控方法和宽光谱紫外光电探测器，以氮化镁为掺杂源，采用化学气相沉积法在h‑BN薄膜外延同步引入掺杂源，实现镁元素在h‑BN晶格中的原位掺杂，通过控制镁掺杂...
    2026-04-13
  • 用于在衬底上形成外延结构的方法和衬底处理设备
    用于在衬底上形成外延结构的方法和衬底处理设备_ASMIP私人控股有限公司_202511367679.2
    本公开涉及用于在衬底上形成外延结构的方法、衬底处理设备、计算机程序以及非暂时性计算机可读介质。该方法包括在处理室中提供衬底，并且通过在存在活性物质的情况下将处理室中的衬底暴露于至少一种前体来在衬底上形成外延层。
    2026-04-13
  • 一种衬底表面处理方法及多晶硅沉积方法
    一种衬底表面处理方法及多晶硅沉积方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511856301.9
    本发明提供一种硅衬底表面处理及多晶硅沉积方法，所述硅衬底表面处理方法包括以下步骤：依次通过热氧化工艺、湿法腐蚀、表面脱气及离子体对衬底进行表面处理。本发明提出的硅衬底表面处理方法，各个工艺之间相互配合，前置氧化‑腐蚀工艺为后续离子处理工艺打...
    2026-04-13
  • 无源器件和集成无源器件
    无源器件和集成无源器件_京东方科技集团股份有限公司_202411357870.4
    本公开提供一种无源器件和集成无源器件。无源器件包括衬底基板和位于衬底基板一侧的电感电感包括第一导电层和第二导电层，第一导电层设置于衬底基板一侧；第二导电层设置于第一导电层远离衬底基板的一侧，第一导电层和第二导电层的厚度不同；第一绝缘层，设置...
    2026-04-13
  • 一种基于晶界工程的多晶金刚石忆阻器及其制备方法
    一种基于晶界工程的多晶金刚石忆阻器及其制备方法_郑州大学_202512048137.5
    本发明公开了一种基于晶界工程的多晶金刚石忆阻器及其制备方法，涉及半导体电子器件技术领域；为了解决现有氧化物或硫化物忆阻器难以适应高温、高频及高功率等极端工况，以及现有金刚石忆阻器开关比低、导电通道随机性大导致稳定性差的问题，提出以下技术方案...
    2026-04-13
  • 铁电调控的垂直结构二极管及阵列
    铁电调控的垂直结构二极管及阵列_华中科技大学_202511969499.1
    本申请公开了一种铁电调控的垂直结构二极管及阵列，无需设置栅极结构，利用双极性二维半导体的偏压使铁电极化翻转，从而在另一侧的二维半导体内部诱导可切换的载流子调控，实现整流方向的可重构整流翻转特性及光电响应的动态调节，通过垂直堆叠结构可有效减小...
    2026-04-13
  • 全无机电解质门控突触阵列及其全光刻制备方法
    全无机电解质门控突触阵列及其全光刻制备方法_北京科技大学_202511953698.3
    本发明公开了一种全无机电解质门控突触阵列及其全光刻制备方法，涉及神经形态计算及半导体器件的技术领域，本发明旨在解决有机电解质与光刻工艺不兼容、以及现有技术难以实现全无机材料体系晶圆级高密度集成的问题，本发明包括有晶圆级衬底，所述衬底上设置有...
    2026-04-13
  • 一种基于聚电解质构象迟滞效应的纳米流体忆阻器及其制备方法
    一种基于聚电解质构象迟滞效应的纳米流体忆阻器及其制备方法_山东大学_202511734950.1
    本发明涉及纳米流体忆阻器，公开了一种基于聚电解质构象迟滞效应的纳米流体忆阻器及其制备方法，忆阻器包括玻璃基底，玻璃基底中央沉积有多层介质纳米薄膜层，多层介质纳米薄膜层上依次覆盖有流道层和密封层；流道层包括两个流道，两个流道通过多层介质纳米薄...
    2026-04-13
  • 一种基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件及其制备方法
    一种基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件及其制备方法_南方科技大学_202511267376.3
    本申请仿生突触器件技术领域，具体公开一种基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件及其制备方法，基于纳米流体通道的三端电压门控突触器件包括：纳米通道层；门控电极层，所述门控电极层与所述纳米通道层连接，用于施加栅极电压脉冲，模拟突触前膜；包覆在所...
    2026-04-13
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