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最新专利技术
  • 光伏玻璃及其制备方法和光伏组件
    光伏玻璃及其制备方法和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511755768.4
    本申请公开了一种光伏玻璃及其制备方法和光伏组件，光伏玻璃包括玻璃基底，包括相对的第一侧和第二侧；玻璃增透层，位于玻璃基底的第一侧；沿背离玻璃基底的方向，玻璃增透层的孔隙率增大；闭孔层，包括若干纳米粒子，覆盖在玻璃增透层背离玻璃基底的一侧，纳...
    2026-04-17
  • 低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法
    低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511714969.X
    本发明提供了一种低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法。本发明通过在跨接第一N阱与第一P阱之间的第三N+注入区下方通过离子注入的形式增加一层P型注入区，将雪崩击穿面转移到第三N+注入区与P型注入区，从而降低器件的触发电压；通过引入...
    2026-04-17
  • 具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置
    具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置_德州仪器公司_202511319321.2
    本公开是针对具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置。举例来说，半导体装置[600]包含p型场效应晶体管，所述p型场效应晶体管包括栅极[G]、连接到上部电源端子[606]的源极区[S]和连接到输出端子[607]的漏极区[D]。所述源极区为形...
    2026-04-17
  • 具有跨势垒ESD保护的半导体装置
    具有跨势垒ESD保护的半导体装置_德州仪器公司_202511317881.4
    本公开涉及一种具有跨势垒ESD保护的半导体装置。一种半导体装置(200A)包含被配置成处理IEC电流的跨势垒ATB ESD保护电路系统。在一个实例中，所述半导体装置(200A)包括电路(202A)，所述电路包含：第一端口(265‑1)和第二...
    2026-04-17
  • 静电放电防护结构以及静电放电防护电路
    静电放电防护结构以及静电放电防护电路_华邦电子股份有限公司_202411575703.7
    本发明提供一种静电放电防护结构以及静电放电防护电路。静电放电防护结构包括基底、硅穿孔、内衬氧化层、第一重掺杂区以及第二重掺杂区。基底耦接至一第一电压轨线。硅穿孔形成在基底中。内衬氧化层环绕硅穿孔的侧表面。第一重掺杂区形成在基底中，并接触内衬...
    2026-04-17
  • 半导体布局图案以及射频电路布局图案
    半导体布局图案以及射频电路布局图案_联华电子股份有限公司_202411420114.1
    本发明公开一种半导体布局图案以及射频电路布局图案，其中半导体布局图案包含一基底，基底上定义有一主动区，多个栅极结构位于主动区内，多个掺杂区，位于主动区内，其中主动区内所包含的些多个栅极结构以及多个掺杂区组成一第一放大器与一第二放大器，第一放...
    2026-04-17
  • 一种电荷泵单元电路的版图结构和半导体器件
    一种电荷泵单元电路的版图结构和半导体器件_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202411358451.2
    本申请提供一种电荷泵单元电路的版图结构及半导体器件，包括：交叉耦合区，该交叉耦合区包括第一工作区，包括第一沟道类型的第一MOS管和第二MOS管；第二工作区，包括第二沟道类型的第三MOS管和第四MOS管，第一MOS管和第二MOS管与第三MOS...
    2026-04-17
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202511831825.2
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板，包括：第一晶体管，包括第一有源层、第一绝缘层以及第一栅极，第一有源层、第一绝缘层以及第一栅极依次设置；第二晶体管，包括第二有源层、第二绝缘层以及第二栅极，第二有源层、第二绝缘层以及第二栅极依次设置...
    2026-04-17
  • 薄膜晶体管衬底和包括该薄膜晶体管衬底的显示设备
    薄膜晶体管衬底和包括该薄膜晶体管衬底的显示设备_乐金显示有限公司_202511107617.8
    本公开内容提供了一种薄膜晶体管衬底和使用该薄膜晶体管衬底的显示设备。该薄膜晶体管衬底包括：设置在衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括设置在衬底上并且包括硅半导体材料的第一有源层；设置在第一有源层上的氢供应层；设置在氢供...
    2026-04-17
  • FDSOI集成器件及其制造方法
    FDSOI集成器件及其制造方法_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202511950985.9
    本公开提供了一种FDSOI集成器件及其制造方法，可以应用于半导体技术领域。根据实施例，该FDSOI集成器件包括：FDSOI集成器件包括形成在绝缘体上半导体衬底上的多个场效应晶体管，绝缘体上半导体衬底包括埋氧层和埋氧层上与埋氧层邻接的SiGe...
    2026-04-17
  • 用于具有全环绕栅极晶体管和二极管器件的背侧功率输送的绝缘体上硅集成
    用于具有全环绕栅极晶体管和二极管器件的背侧功率输送的绝缘体上硅集成_英特尔公司_202511205058.4
    公开了用于具有全环绕栅极晶体管和二极管器件的背侧功率输送的绝缘体上硅集成。本文描述了涉及用于全环绕栅极场效应晶体管和二极管器件的绝缘体上硅(SOI)衬底集成的器件、晶体管结构、系统和技术。集成电路管芯包括：具有在SOI衬底的绝缘体层上的半导...
    2026-04-17
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411322347.8
    本发明公开一种电子装置，包括基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第三金属层、电子元件、覆晶薄膜接垫及软性电路板接垫。基板包括第一侧及对应于第一侧的第二侧。第一金属层设置于基板上。第一绝缘层设置于第一金属层上。第二金属层设置于第一绝缘层...
    2026-04-17
  • 具有差异化释放层的全环绕栅极集成电路结构
    具有差异化释放层的全环绕栅极集成电路结构_英特尔公司_202511320917.4
    描述了具有差异化释放层的全环绕栅极集成电路结构。例如，集成电路结构包括子鳍结构上方的第一组水平纳米线。第一栅极结构处于第一组水平纳米线之上。第一组水平纳米线横向延伸超过第一栅极结构。第二组水平纳米线处于第一组水平纳米线之上。第二栅极结构处于...
    2026-04-17
  • 带有在其中具有接触部的垂直沟槽的源极或漏极结构
    带有在其中具有接触部的垂直沟槽的源极或漏极结构_英特尔公司_202511207677.7
    本公开描述了带有在其中具有接触部的垂直沟槽的源极或漏极结构。描述了具有这样的源极或漏极结构的集成电路结构：该源极或漏极结构带有在其中具有接触部的垂直沟槽。在示例中，集成电路结构包括在子鳍片上方的纳米线堆叠。外延源极或漏极结构位于纳米线堆叠的...
    2026-04-17
  • 用于应变优化的互补栅极切割插塞
    用于应变优化的互补栅极切割插塞_英特尔公司_202511128891.3
    一种集成电路(IC)器件具有分离栅极电极的互补电介质插塞。IC器件包括在第一导电类型的晶体管的两个栅极结构之间并且与其接触的硅和氮的第一栅极切割插塞，以及在与第一导电类型互补的第二导电类型的晶体管的两个栅极结构之间并与其接触的第二栅极切割插...
    2026-04-17
  • 集成流程中的混合的(100)表面和(110)表面的带状FET
    集成流程中的混合的(100)表面和(110)表面的带状FET_英特尔公司_202511115043.9
    本公开涉及集成流程中的混合的(100)表面和(110)表面的带状FET，并且涉及具有互补导电类型的非平面晶体管结构的集成电路(IC)设备。IC设备可以包括第一晶体管和第二晶体管，其中，纳米带堆叠体在第一晶体管的沟道区中，并且一个或多个鳍在第...
    2026-04-17
  • 具有带气隙的电介质脊的叉片晶体管
    具有带气隙的电介质脊的叉片晶体管_英特尔公司_202511015146.8
    本公开提供了用于形成半导体器件的技术，所述半导体器件包括具有自对准电介质脊的叉片晶体管，所述电介质脊具有气隙。所述气隙可以构成所述电介质脊的总体积的大部分，这降低了所述电介质脊的介电常数并且减少了寄生电容。在一个示例中，第一和第二半导体器件...
    2026-04-17
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510675297.X
    一种半导体器件包括衬底、衬底绝缘层、第一隔离区域、栅电极、多个沟道层、源极/漏极区域、背侧接触插塞和背侧隔离区域。所述衬底包括第一区域和第二区域。所述衬底绝缘层设置在所述衬底的下表面上。所述第一隔离区域穿过所述衬底并且朝向所述衬底绝缘层延伸...
    2026-04-17
  • 具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构
    具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构_英特尔公司_202511985895.3
    描述了具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构，以及制造具有包括再生长中心部分的源极或漏极结构的全环栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括纳米线的垂直布置。栅极堆叠体在纳米线的垂直布置上方。第一外延源极或漏极结构...
    2026-04-17
  • 半导体装置
    半导体装置_福建省晋华集成电路有限公司_202511620511.8
    本发明公开了半导体装置，包括衬底、有源区、绝缘结构以及多个插塞。有源区相互分隔地定义在衬底内，各有源区包括有源鳍片以及设置于有源鳍片两侧的有源端部，有源鳍片与有源端部的材质不同。绝缘结构设置在衬底内，环绕有源区；多个插塞，设置于所述衬底上，...
    2026-04-17
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