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最新专利技术
  • 一种药物靶标亲和力预测方法、设备及介质
    一种药物靶标亲和力预测方法、设备及介质_中国地质大学(武汉)_202511614287.1
    本申请提供了一种药物靶标亲和力预测方法、设备及介质，涉及药物识别领域，方法包括：获取三维结构数据进行特征提取，得到几何特征和化学特征；通过几何感知图神经网络将几何特征和化学特征进行融合得到复合物特征；将复合物特征分解为药物特征和靶标特征；分...
    2026-05-06
  • 一种生物分子结构预测方法、装置、设备及介质
    一种生物分子结构预测方法、装置、设备及介质_深圳瑞德林生物技术有限公司_202411342183.5
    本申请公开了一种生物分子结构预测方法、装置、设备及介质，涉及生物分子技术领域，包括：判断接收的生物分子结构预测请求是否包含生物分子基本信息；若不包含，则利用预设生物分子序列生成算法并根据生物分子结构预测请求的生物分子生成信息生成对应的生物分...
    2026-05-06
  • 一种固态硬盘的故障修复方法、装置、介质和设备
    一种固态硬盘的故障修复方法、装置、介质和设备_雷智数系统技术(西安)有限公司_202511943788.4
    本发明公开了一种固态硬盘的故障修复方法、装置、介质和设备，涉及计算机存储技术领域。本发明对固态硬盘的运行过程进行实时监测，并通过预设阈值实时判断固态硬盘是否陷入需要修复的故障状态，以便在固态硬盘故障时及时地向用户反馈，并提示用户进行修复确认...
    2026-05-06
  • 掉电续测数据一致性的验证方法、装置、设备及介质
    掉电续测数据一致性的验证方法、装置、设备及介质_成都芯忆联信息技术有限公司_202511897022.7
    本申请提供一种掉电续测数据一致性的验证方法、装置、设备及介质，所述方法包括：下发查询指令以获取当前连接的SSD的盘信息；根据所述盘信息判断是否下发续测请求；若下发续测请求，则通过预设处理规则根据所述盘信息和所述续测请求返回处理结果；根据处理...
    2026-05-06
  • 一种非易失性存储器数据读操作测试方法及硬件设备
    一种非易失性存储器数据读操作测试方法及硬件设备_芯合电子(上海)有限公司_202511858578.5
    本申请实施例提供了一种非易失性存储器数据读操作测试方法及硬件设备，通过将测试数据烧录至存储器后，系统能够自动执行测试数据的读取与比较操作，基于比较结果以便确定期望值，系统可自适应地调节初步稳定读出数据的时钟周期范围，以精确地捕捉到数据读取成...
    2026-05-06
  • 一种非易失性存储器数据读操作测试系统
    一种非易失性存储器数据读操作测试系统_芯合电子(上海)有限公司_202511858467.4
    本申请实施例提供了一种非易失性存储器数据读操作测试系统，通过将测试数据烧录至存储器后，系统能够自动执行测试数据的读取与比较操作，基于比较结果以便确定期望值，系统可自适应地调节初步稳定读出数据的时钟周期范围，以精确地捕捉到数据读取成功的临界时...
    2026-05-06
  • 一种高速并行EMMC测试方法及系统
    一种高速并行EMMC测试方法及系统_湖北长江万润半导体技术有限公司_202511818865.3
    本发明公开了一种高速并行EMMC测试方法及系统，其中方法包括：生成测试脚本；所述测试脚本包括基于待测EMMC的接口协议类型生成协议设置指令、基于待测EMMC的测试项类型生成测试命令，以及设置测试结束条件；基于所述测试脚本，通过包含多通道的多...
    2026-05-06
  • 相变存储器耐久性测试方法、存储介质和相变存储器
    相变存储器耐久性测试方法、存储介质和相变存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511684724.7
    本申请公开了一种相变存储器耐久性测试方法、存储介质和相变存储器，涉及半导体技术领域，该方法包括：在相变存储器中确定目标测试区域；向目标测试区域进行第一全0数据模式写入操作后，对目标测试区域执行至少一次目标操作；目标操作包括：延迟预设时间后，...
    2026-05-06
  • 存储介质颗粒寿命预测方法、装置、电子设备及存储介质
    存储介质颗粒寿命预测方法、装置、电子设备及存储介质_置富科技(深圳)股份有限公司_202511572930.9
    本申请公开了一种存储介质颗粒寿命预测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及闪存测试技术领域，只需要少量的基础测试数据，便可以利用颗粒寿命预测模型实现对其的寿命预测，显著缩短测试周期，降低测试成本，可以更好地满足快速批量颗粒分级的需求。所述方法...
    2026-05-06
  • 芯片、控制存储器故障修复的方法、电子设备和介质
    芯片、控制存储器故障修复的方法、电子设备和介质_北京有竹居网络技术有限公司_202411337585.6
    提供芯片、控制存储器故障修复的方法、电子设备、非暂时计算机可读存储介质、计算机程序产品。该芯片包括电源管理单元、修复管理单元和修复执行单元，其中电源管理单元被配置为通过多个电源域的中的第一电源域的上电情况提供针对第一电源域的修复启动信号；修...
    2026-05-06
  • 存储控制器、存储系统和电子设备
    存储控制器、存储系统和电子设备_珠海格力电器股份有限公司_202511674981.2
    本申请提供了一种存储控制器、存储系统和电子设备，属于电子设备技术领域。存储控制器包括：错误定位单元、数据处理单元和纠错单元，错误定位单元与处理器、存储器和数据处理单元连接，处理器输出第一读指令，从存储器中读取第一数据进行错误字节定位，若存在...
    2026-05-06
  • 存储设备、存储设备的数据处理方法
    存储设备、存储设备的数据处理方法_慧忆微电子(上海)有限公司_202411329324.X
    本申请公开了一种存储设备，包括：存储块；控制器，与所述存储块连接；其中，所述控制器用于：从所述存储块中读取原始数据；计算所述原始数据的征状权重值；基于所述征状权重值，对所述存储块执行数据操作，以完成对所述存储块的背景扫描。本申请还公开了存储...
    2026-05-06
  • 用于DRAM测试的电气时序与协议分析方法及系统
    用于DRAM测试的电气时序与协议分析方法及系统_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202610182799.3
    本发明提供了一种用于DRAM测试的电气时序与协议分析方法及系统，属于半导体芯片测试技术领域。该方法包括：通过可配置的时钟延时链或相位插值器生成与被测DRAM接口信号同频的多个等相位采样时钟；通过多个等相位采样时钟对接口信号进行分时采样以在一...
    2026-05-06
  • 移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路、显示面板
    移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202411329024.1
    本公开涉及一种移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路、显示面板，移位寄存器单元包括第一输入电路，其控制端连接第一时钟信号，其输入端连接触发信号，其输出端连接第一节点；第二输入电路，用于根据第一时钟信号和触发信号将第一恒压信号或第一时钟信号...
    2026-05-06
  • 存储器系统及其操作方法、可读存储介质
    存储器系统及其操作方法、可读存储介质_长江存储科技有限责任公司_202511665333.0
    本公开实施例公开了一种存储器系统及其操作方法以及可读存储介质，所述存储器系统包括：存储器装置，所述存储装置包括多个存储块，每个所述存储块包括多条字线以及耦接于所述多条字线上的多个存储单元；存储器控制器，与所述存储装置耦合，且被配置为：利用第...
    2026-05-06
  • 存储器设备、包括存储器设备的存储器系统和操作存储器设备的方法
    存储器设备、包括存储器设备的存储器系统和操作存储器设备的方法_爱思开海力士有限公司_202510893674.7
    本公开提供了存储器设备、包括存储器设备的存储器系统和操作存储器设备的方法。一种存储器设备可以包括：连接到多个字线的存储器块；电压生成器，其被配置为在读取操作和读取重试操作期间生成要被施加到被选择的字线的读取电压；以及控制逻辑，其被配置为控制...
    2026-05-06
  • 控制电路、基于QSPI的非易失性存储模块写入方法及芯片
    控制电路、基于QSPI的非易失性存储模块写入方法及芯片_杭州朔天科技有限公司_202511898993.3
    本申请涉及存储技术领域，尤其是提供一种控制电路、基于QSPI的非易失性存储模块写入方法及芯片，控制电路包括：控制模块、非易失性存储模块和AHB模块，控制模块包括QSPI控制器、MUX模块、CTRL模块、REG模块、以及BIU模块；QSPI控...
    2026-05-06
  • 基于忆阻器的三值可重构逻辑电路
    基于忆阻器的三值可重构逻辑电路_西南大学_202511936706.3
    一种基于忆阻器的三值可重构逻辑电路，属于存内计算技术领域，具体电路包括第一忆阻器和第二忆阻器，所述第一忆阻器的顶端为X端，所述第二忆阻器的顶端为Y端，所述第一忆阻器和第二忆阻器的底端并接在一起为Z端；所述第一忆阻器和第二忆阻器的阻态包括高阻...
    2026-05-06
  • 存储器的操作方法及存储器
    存储器的操作方法及存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202511780647.5
    本申请公开了存储器的操作方法及存储器，所述存储器包括呈阵列分布的多个存储单元，所述方法包括：对所述多个存储单元中的目标存储单元，施加与目标存储状态相对应的写入脉冲；响应于所述写入脉冲施加结束，对所述目标存储单元施加反向消除脉冲，所述反向消除...
    2026-05-06
  • 电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程
    电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程_威比特纳米有限公司_202511345746.0
    电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程。一种对电阻式随机存取存储器(MEM)的存储器元件(Stck)部分的高电阻状态进行编程的方法(100)，该方法(100)包括：写入存储器元件(Stck)的高电阻状态的初始步骤(S110)；以及在写入高...
    2026-05-06
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