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最新专利技术
  • 一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件
    一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件_上海光通信有限公司_202411311806.2
    本申请公开一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件，所述方法包括：提供一衬底，在衬底形成第一伪栅结构、第一源漏结构、第二伪栅结构和嵌有应变材料的第二源漏结构后，第二伪栅结构的高度小于所述第一伪栅结构的高度，对第一伪栅结构进行高度削减，直到第...
    2026-04-10
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411296942.9
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：提供初始半导体结构，包括衬底、位于衬底上分立的鳍部、位于衬底上的隔离结构以及覆盖鳍部和隔离结构的虚设栅极层，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁；刻蚀虚设栅极层，以形成第一凹槽和第二凹槽；第一凹...
    2026-04-10
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备_北京知识产权运营管理有限公司_202411265479.1
    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第二有源结构相较于第一有源结构远离衬底，第二有源结构是进行离子注入的；在第二有源结构的第一区域上外...
    2026-04-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764731.8
    提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括：在衬底上方形成半导体层堆叠件，该半导体层堆叠件具有位于下部沟道层上方的上部沟道层，实施蚀刻工艺以使下部沟道层横向地凹进，而基本不蚀刻上部沟道层，形成耦合至凹进的下部沟道层的第一源极/漏极部件，以...
    2026-04-10
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764729.0
    本公开提供了用于在堆叠的多栅极器件结构中集成高κ介电材料以改进热导率的方法。根据本公开的方法包括：形成第一多栅极器件结构，在衬底上方沉积高κ介电层，在第一多栅极器件结构上方接合高κ介电层，在接合高κ介电层之后，去除衬底，图案化高κ介电层以形...
    2026-04-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511753799.6
    方法包括提供结构，结构包括衬底和从衬底突出的鳍形结构，在衬底上方形成隔离结构和其上的保护层，并且隔离结构和保护层与鳍形结构的侧壁相邻，在鳍形结构的源极/漏极区域上生长源极/漏极部件，在源极/漏极部件上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)，在CE...
    2026-04-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511753793.9
    本公开实施例的一个方面涉及方法。方法包括在衬底上方形成堆叠半导体器件，堆叠半导体器件具有位于底部晶体管上方的顶部晶体管。第一层间介电(ILD)层垂直设置在顶部晶体管和底部晶体管之间。方法包括穿过顶部晶体管的顶部源极/漏极(S/D)部件并且穿...
    2026-04-10
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511730887.4
    本申请实施例提供一种形成半导体器件的方法，包括：形成下部源极/漏极区域；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域；在上部源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层；以及在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质。该方法还包括：使层间电介质凹进以形成...
    2026-04-10
  • 一种芯片以及电子设备
    一种芯片以及电子设备_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511958720.3
    本发明提供一种芯片以及电子设备，本发明提供的芯片包括封装基板、逻辑层和中介层，中介层设置于所述封装基板和所述逻辑层之间；其中，所述封装基板包括第一电源模块，所述逻辑层包括第二电源模块，所述中介层包括若干硅通孔，所述硅通孔连接所述第一电源模块...
    2026-04-10
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510471544.4
    一种半导体封装件包括：第一再分布结构；第一小芯片，所述第一小芯片位于所述第一再分布结构上；第二小芯片，所述第二小芯片位于所述第一再分布结构上并且在与所述第一再分布结构的表面平行的水平方向上邻近所述第一小芯片；第二再分布结构，所述第二再分布结...
    2026-04-10
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202511987189.2
    半导体装置具有至少一个端子，该端子包括具有导电性的筒状的支架以及插入到上述支架的金属销。另外，上述半导体装置具备支撑上述支架的端子支撑体、以及覆盖上述支架的一部分及上述端子支撑体的封固树脂。上述封固树脂具有朝向厚度方向的一方侧的树脂主面。上...
    2026-04-10
  • 体现在半导体材料中的横向取向的晶体管和对应的半导体封装
    体现在半导体材料中的横向取向的晶体管和对应的半导体封装_安世有限公司_202511310248.2
    体现在半导体材料中的横向取向的晶体管，包括第一组直接相邻放置的晶体管单元、第二组直接相邻放置的晶体管单元，其中所述第二组与所述第一组间隔开从而提供间隔，其中所述晶体管单元中的每个晶体管单元包括漏极、源极和栅极，其中所述横向取向的晶体管进一步...
    2026-04-10
  • 半导体器件
    半导体器件_瑞萨电子株式会社_202511153597.8
    本公开的各实施例涉及半导体器件。通过精确地测量流经功率晶体管的电流的值，可以提高半导体器件的可靠性。半导体芯片包括功率晶体管和电连接到功率晶体管的源极区域的源极电极。源极电极和引线端子通过导线彼此电连接。源极电极包括用于检测流经功率晶体管的...
    2026-04-10
  • 半导体结构及其制备方法和半导体器件
    半导体结构及其制备方法和半导体器件_长江存储控股股份有限公司_202411266802.7
    本公开的实施例提供了一种半导体结构及其制备方法和半导体器件，涉及半导体的技术领域。半导体结构包括转接层和键合块，键合块与转接层层叠设置。键合块包括连接部和多个堆叠体，连接部连接任意相邻的两个堆叠体。任一个堆叠体与转接层键合。本公开的实施例中...
    2026-04-10
  • 包括沟槽栅极结构的半导体器件
    包括沟槽栅极结构的半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511280747.1
    提出了包括沟槽栅极结构的半导体器件。半导体器件包括沿垂直方向从第一表面延伸到碳化硅半导体本体中的沟槽栅极结构。半导体器件还包括沿第一横向方向邻接沟槽栅极结构的侧壁的第一导电类型的本体区。本体区包括邻接侧壁的第一本体子区。本体区还包括邻接侧壁...
    2026-04-10
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411878682.6
    本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域，具有中央部和将所述中央部包围的末端区域；第1导电型的第2半导体区域，处于所述第1半导体区域的下部，设置于所述中央部，杂质浓度高于所述第1半导体区域；...
    2026-04-10
  • 一种SiC超级结结构的制作方法、SiC超级结结构以及SiC器件
    一种SiC超级结结构的制作方法、SiC超级结结构以及SiC器件_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202610174494.8
    本申请公开了一种SiC超级结结构的制作方法、SiC超级结结构以及SiC器件。所述制作方法包括如下步骤：选择晶圆，当选择N型晶圆时，对所述晶圆进行预处理；生长掩模，在SiC晶圆表面生长掩模，所述掩模露出N柱的位置；刻蚀沟槽，按照所述掩模刻蚀沟...
    2026-04-10
  • 沟槽型半导体场效应管及其制备方法
    沟槽型半导体场效应管及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202610204418.7
    本申请涉及一种沟槽型半导体场效应管及其制备方法，包括：衬底，具有第一导电类型；漂移区，位于所述衬底上，具有第一导电类型；第一阱区，位于所述漂移区内远离所述衬底的一侧，具有第二导电类型；第二阱区，位于所述漂移区内远离所述衬底的一侧，与所述第一...
    2026-04-10
  • 一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法
    一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法_滁州华瑞微电子科技有限公司_202512022074.6
    本发明涉及半导体领域，公开了一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法，包括：源极和漏极；源极靠近漏极的一侧设置有栅极，栅极的侧边设置有N型源区，N型源区靠近漏极的一侧设置有P型源区，P型源区靠近漏极的一侧设置有P型阱区，P型阱...
    2026-04-10
  • SGT器件及其制造方法
    SGT器件及其制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511894638.9
    本发明公开了一种SGT器件，器件单元结构的栅极沟槽的底部区域形成有源极场板，源极场板和栅极沟槽的内侧表面之间隔离有场板介质层。源极场板的顶部表面之上的栅极沟槽组成的顶部沟槽的底部表面形成有第一介质层，侧面形成有栅介质层以及呈侧墙结构的栅极导...
    2026-04-10
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