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最新专利技术
  • 基板处理装置
    基板处理装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411290587.4
    本申请涉及半导体器件制造领域，具体为基板处理装置，包括承载平台，用于放置基板；腔室，用于容纳所述承载平台；进气单元，用于依据控制器的指令导入脱附气体至所述腔室内，所述脱附气体为氧气和/或臭氧；光照单元，设置在所述腔室内，包括UV灯管，所述U...
    2026-03-25
  • 一种晶圆支撑装置及半导体工艺设备
    一种晶圆支撑装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411288095.1
    本申请提供了一种晶圆支撑装置及半导体工艺设备，晶圆支撑装置用于在反应腔室中承载晶圆并带动所述晶圆升降，包括：托盘，用于承载晶圆；托盘承载台，用于承载托盘，且内部具有隔离内腔；冷却盘，设置在隔离内腔中；边缘支撑组件，围绕托盘设置，用于承载晶圆...
    2026-03-25
  • 加热机构的工艺参数获取装置和方法
    加热机构的工艺参数获取装置和方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411282612.4
    本申请提供了一种加热机构的工艺参数获取装置和方法，装置包括测温机构和控制单元，测温机构用于保持在夹持机构上并置于液体喷头和加热机构之间，加热机构包括分布在不同半径上的流道空腔，测温机构内设有温度传感器；控制单元被配置成调节与该区域对应半径上...
    2026-03-25
  • 基板升降机构及基板处理装置
    基板升降机构及基板处理装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411282607.3
    本申请公开了一种基板升降机构及基板处理装置。该基板升降机构包括：固定板，具有相对设置的第一侧面和第二侧面；第一支撑组件，可升降设置于第一侧面，用于支撑和带动基板升降；第二支撑组件，可升降设置于第一侧面，用于支撑和带动基板升降，且第一支撑组件...
    2026-03-25
  • 机台温度补偿方法及系统
    机台温度补偿方法及系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411281543.5
    本发明提供了一种机台温度补偿方法及系统，其中机台温度补偿方法包括以下步骤：收集晶圆同一个直径上的测量数据，并根据机台的温度探针信息进行存储，以获得每个所述温度探针对应的数据组；根据所述数据组计算出每个所述温度探针的温度补偿值；通过机台自动化...
    2026-03-25
  • 加热机构及基板处理装置
    加热机构及基板处理装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411281509.8
    本申请提供了一种加热机构及基板处理装置，加热机构包括加热盘组件和至少两根管道，加热盘组件内部开设有至少两个沿径向方向间隔设置的流道空腔；加热盘组件的顶部开设有至少两组流体流出孔，加热盘组件的底部设有至少两个管道连接口，每根管道的输入端用于连...
    2026-03-25
  • 基片干燥方法和装置
    基片干燥方法和装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411281496.4
    本申请的实施例提供了一种基片干燥方法和装置，基片经过清洗液清洗后基片表面具有残留的清洗液，方法包括基片向基片喷洒与清洗液互溶的第一液体，直至基片表面的清洗液被清洗干净，基片表面残留第一液体；向腔体内通入设定量的第一干燥气体，同时向基片喷洒改...
    2026-03-25
  • 一种半导体生产设备及半导体工艺方法
    一种半导体生产设备及半导体工艺方法_江苏翼泷芯科技有限公司_202511899480.4
    本发明涉及半导体生产技术领域，具体为一种半导体生产设备及半导体工艺方法包括洗台、支架和刷辊，清洗台上滑动设置有安装板，安装板与刷辊转动连接，安装板上位于刷辊一侧安装有喷射板和与喷射板配合使用的负压回收板，安装板上，喷射板、负压回收板及刷辊沿...
    2026-03-25
  • 一种晶圆清洗方法
    一种晶圆清洗方法_杭州富芯半导体有限公司_202511851289.2
    本申请提供了晶圆清洗方法，第一清洗中采用SPM试剂去除晶圆表面的有机残留物，第二清洗中采用DHF试剂去除晶圆表面的氧化物杂质，之后，晶圆暴露在空气中会产生的新的氧化物杂质。在第三清洗槽中依次采用多轮不同成分的化学试剂对晶圆进行清洗，该过程中...
    2026-03-25
  • 一种晶圆清洗装置和清洗方法
    一种晶圆清洗装置和清洗方法_华海清科(北京)科技有限公司_202511833144.X
    本发明公开了一种晶圆清洗装置和清洗方法，涉及半导体制造技术领域。该晶圆清洗装置包括：旋转组件，设置于箱体中，用于水平夹持并驱动晶圆旋转；后处理组件，设置于旋转组件上方，以朝向晶圆喷淋流体而清洁晶圆；旋转组件包括转盘，其上配置有第一夹持组件和...
    2026-03-25
  • 一种用于晶圆预清洗设备的防刻蚀装置及其使用方法
    一种用于晶圆预清洗设备的防刻蚀装置及其使用方法_盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司_202511823594.0
    本发明公开了一种用于晶圆预清洗设备的防刻蚀装置及其使用方法，其属于半导体设备技术领域，所述用于晶圆预清洗设备的防刻蚀装置包括绝缘体，所述绝缘体的顶面开设有凹槽，所述凹槽用于放置金属盘，所述凹槽侧壁上开设有第二硅棒孔，所述绝缘体的顶面竖直设有...
    2026-03-25
  • 一种去除半导体刻蚀残留物的方法
    一种去除半导体刻蚀残留物的方法_安徽晶微科技有限公司_202511586202.3
    本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种去除半导体刻蚀残留物的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上沉积膜层，得到基片；步骤2：对基片依次进行涂胶、曝光及显影，得到带有光刻胶图形的基片；步骤3：将带有光刻胶图形的基片置入等离子体刻蚀机中进行预...
    2026-03-25
  • 一种定向清洗超导量子芯片的方法
    一种定向清洗超导量子芯片的方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411125137.X
    本申请公开了一种定向清洗超导量子芯片的方法，属于量子芯片制造技术领域。定向清洗超导量子芯片的方法包括：将设置有窗口的挡板覆盖于超导量子芯片的表面，使得窗口露出位于超导量子芯片表面的污物；通过窗口对污物进行清理。通过上述方式，本发明能够根据需...
    2026-03-25
  • 一种自动添加切割药水的改进装置及方法
    一种自动添加切割药水的改进装置及方法_矽品科技(苏州)有限公司_202511671961.X
    本发明提供一种自动添加切割药水的改进装置及方法，原液水箱和纯水接入管向混合水箱提供原液和纯水，流量计监控原液和纯水到混合水箱的流量；余量报警器和水位感应器监测原液水箱和混合水箱的余量；机台端溶液水箱从混合水箱向切割机提供按比例混合的切割药水...
    2026-03-25
  • 一种InAs/GaSb二类超晶格台面湿法腐蚀液及其使用方法
    一种InAs/GaSb二类超晶格台面湿法腐蚀液及其使用方法_南京国科半导体有限公司_202511893691.7
    本发明涉及半导体器件微纳加工技术领域，具体涉及一种InAs/GaSb二类超晶格台面湿法腐蚀液及其使用方法，所述腐蚀液为包括柠檬酸、磷酸和双氧水的水溶液，其中，所述柠檬酸为一水柠檬酸，所述磷酸的质量浓度为85%，所述双氧水的质量浓度为30%。...
    2026-03-25
  • 一种半导体刻蚀设备和方法
    一种半导体刻蚀设备和方法_上海稷以科技有限公司_202511893724.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种半导体刻蚀设备及方法。本发明提供的半导体刻蚀设备，包括真空腔室和温控系统：真空腔室内集成有低温反应区和高温挥发区，低温反应区位于真空腔室的底部，设有用于承载晶圆的载台，高温挥发区位于真空腔室...
    2026-03-25
  • 来自反应室部分的碳化硅膜的光子辅助化学蚀刻
    来自反应室部分的碳化硅膜的光子辅助化学蚀刻_LPE公司_202511279938.6
    本发明涉及一种用于从适于在衬底上沉积碳化硅层的反应室的一个或多个部分蚀刻碳化硅膜的方法。该方法包括以下步骤：(i)在用于沉积碳化硅的反应器的反应室的一个或多个部分上提供碳化硅膜；(ii)执行蚀刻过程的至少一个循环。蚀刻过程包括至少一个UV光...
    2026-03-25
  • 沟槽的制备方法
    沟槽的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411266085.8
    本发明提供了一种沟槽的制备方法。该制备方法中，在掩模层内形成开口之后，还通过氧化工艺在开口的侧壁上形成氧化物侧墙，以自动缩减开口的宽度，从而在掩模层和氧化物侧墙的共同掩模下，即可有效缩减最终形成的沟槽的尺寸。本发明提供的制备方法，工艺简单、...
    2026-03-25
  • 一种高均匀性硼扩散硅片及其制备方法与应用
    一种高均匀性硼扩散硅片及其制备方法与应用_正奇光能科技有限公司_202511746621.9
    本发明公开了一种高均匀性硼扩散硅片及其制备方法与应用，属于光伏太阳能电池制造工艺的技术领域，在硼扩散工序中，本发明通过梯度升温、多步通源的技术手段，合理地调控每一阶段的升温温度与特气(N2、O2与BCl3)的气流量，在高温低压的条件下，促进...
    2026-03-25
  • 一种改善高速流离子注入能量污染的方法
    一种改善高速流离子注入能量污染的方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411273816.1
    本公开涉及一种改善高速流离子注入能量污染的方法，该方法使高能离子束经过校正磁场前经一次减速，将高能离子束的速度降至安全速度以下形成中能离子束，然后再经二次减速，使离子束的能量降至离子注入所需的能量后进行离子注入。采用上述方式，一方面，中能离...
    2026-03-25
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