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最新专利技术
  • 一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法
    一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610131782.5
    本发明涉及一种适用于三维堆叠芯片直接键合的超深孔制备方法，包括：提供半导体芯片，所述芯片制作有功能结构及第一小孔；将所述芯片减薄到预设厚度或刻蚀阻挡层；将所述芯片背面涂胶，与芯片正面已有功能结构及对准结构对准、曝光、显影；从所述芯片背面刻蚀...
    2026-03-16
  • 一种TGV结构及其制备方法、电气封装结构
    一种TGV结构及其制备方法、电气封装结构_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511879527.0
    本发明提供了一种TGV结构及其制备方法、电气封装结构，涉及TGV技术领域。由于种子层位于玻璃基板和载片之间，通孔暴露出的种子层的部分表面作为有效的电镀起始区域，该电镀起始区域位于通孔的底部，因此在电镀过程中金属只能从通孔底部向上的方向进行沉...
    2026-03-16
  • 铝互连结构的形成方法
    铝互连结构的形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746031.6
    本申请公开了一种铝互连结构的形成方法，包括：在介质层中形成凹槽，该凹槽的宽度小于30纳米，介质层形成于衬底上方，该衬底用于形成半导体器件；在介质层和凹槽的表面形成阻挡层；通过至少两次沉积循环形成铝金属层填充凹槽；进行平坦化处理，去除凹槽外的...
    2026-03-16
  • 一种防止桥面凹陷的长距离空气桥及其制备方法
    一种防止桥面凹陷的长距离空气桥及其制备方法_福建省福联集成电路有限公司_202511733044.X
    本发明涉及一种防止桥面凹陷的长距离空气桥及其制备方法，包括将GaAs层和InGaP层交替设置多次形成第一层至第N层，第N层的下方设置有AlxGa1‑×As层；在第一层上沉积第一光阻层，并进行曝光/显影，蚀刻第一层，形成第一台面；对第二层进行...
    2026-03-16
  • 用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法
    用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511905779.6
    本发明公开了一种用于低噪声器件隔离的沟槽结构及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：提供一衬底并在所述衬底上形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；在所述第一浅沟槽和第二浅沟槽中淀积形成第二氧化层；在所述第一浅沟槽的中部刻蚀形成穿过第二氧化层并伸入衬底...
    2026-03-16
  • 一种基于直边为标准的晶圆矫正方法、应用
    一种基于直边为标准的晶圆矫正方法、应用_广东长信精密设备有限公司_202511502533.4
    本发明属于芯片加工领域，公开了一种基于直边为标准的晶圆矫正方法、应用，所述基于直边为标准的晶圆矫正方法，包括：步骤1，将晶圆粗胚放置于晶圆矫正装置上，输入晶圆粗胚的参数；步骤2，将晶圆粗胚旋转一圈，初步定位晶圆的圆心位、大边位和小边位；步骤...
    2026-03-16
  • 用于形成半导体器件的方法
    用于形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511498985.X
    本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔件中...
    2026-03-16
  • 一种TBC电池的硅片表面洁净度检测及主动干预纠偏装置
    一种TBC电池的硅片表面洁净度检测及主动干预纠偏装置_安徽旭合新能源科技有限公司_202511961256.3
    本发明公开了一种TBC电池的硅片表面洁净度检测及主动干预纠偏装置，包括滚轮组件，还包括：框架，其悬设在滚轮组件上方，其上设置有光源；检测模块，其设置在框架上，且以对应硅片四边的方式对称设置有四组；滚轮组件包括磁悬浮辊轴，毛细滚轮与滚筒；中央...
    2026-03-16
  • 一种硅通孔缺陷检测方法及系统
    一种硅通孔缺陷检测方法及系统_上海新微技术研发中心有限公司_202511871631.5
    本发明提供了一种硅通孔缺陷检测方法及系统，涉及硅通孔缺陷检测领域。本发明中先获取由光源照射硅通孔晶圆后在光学接收部形成的光斑图像，再提取光斑图像的光斑特征，生成清晰度指标，之后，在清晰度指标低于目标指标阈值时，根据清晰度指标调整光源和/或用...
    2026-03-16
  • 一种4H-SiC单晶晶圆层错类型检测方法及系统
    一种4H-SiC单晶晶圆层错类型检测方法及系统_山东中晶芯源半导体科技有限公司_202511858700.9
    本申请公开了一种4H‑SiC单晶晶圆层错类型检测方法及系统，方法包括采用激光器照射待测4H‑SiC单晶晶圆的待测面；基于CCD阵列相机获取待测面经激光器照射后的多个荧光图像；多个荧光图像分别由搭载不同波长通滤波片的CCD相机获取；将多个荧光...
    2026-03-16
  • 检测设备及基片状态的检测方法
    检测设备及基片状态的检测方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511850870.2
    本申请公开了检测设备及其基片状态检测方法。检测设备包括载具和光电传感器。载具用于承载基片。光电传感器配置为能够根据其检测路径是否被遮挡输出相应的检测信息；载具相对传感器沿着第一方向移动。方法包括：控制载具沿着预设路径相对光电传感器移动；获取...
    2026-03-16
  • 晶圆检测方法及检测系统
    晶圆检测方法及检测系统_昂坤视觉(北京)科技有限公司_202511807295.8
    本发明涉及晶圆检测技术领域，更具体地说涉及晶圆缺陷检测的方法以及设备，依据晶圆缺陷检测过程中，晶圆表面散射光和缺陷散射光的相应特性，采用偏振调制和分解方案来对晶圆缺陷进行检测，以形成有提高晶圆缺陷检测准确性的晶圆检测方法，并依据该晶圆检测方...
    2026-03-16
  • 一种三维薄膜光电特性一体化测试装置及方法
    一种三维薄膜光电特性一体化测试装置及方法_中步擎天新能源(湖北)有限公司_202511768220.3
    本发明涉及一种三维薄膜光电特性一体化测试装置及方法，包括底座、三维运动系统、双功能测试探头、双层样品载物台以及控制系统；所述三维运动系统包括两条平行固定于所述底座上的Y轴直线模组、架设于两条所述Y轴直线模组滑块之上的Z轴横梁、架设于Z轴横梁...
    2026-03-16
  • 半导体器件及其制造方法和测试方法
    半导体器件及其制造方法和测试方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511840085.9
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法和测试方法。上述半导体器件包括：基底，基底包括芯片区域和围绕芯片区域的切割道区域；位于基底沿第一方向一侧的至少一个法珀腔结构，第一方向垂直于基底，法珀腔结构位于切割道区域中，法珀腔结构包括：沿第一方...
    2026-03-16
  • 晶圆表面状态检测装置及加工设备
    晶圆表面状态检测装置及加工设备_深圳云电电子有限公司_202511566988.2
    本发明公开了晶圆表面状态检测装置及加工设备，属于晶圆加工领域，所述工作台的上表面连接有支撑板，所述工作台的上方设置有放置架，所述放置架的内壁开设有若干个放置槽，所述放置架的外表面连接有滑动槽，所述滑动槽的内部滑动连接有滑动板，所述滑动板的左...
    2026-03-16
  • 不良判定方法
    不良判定方法_丰田自动车株式会社_202511173880.7
    目的在于能够容易且高精度地从表面加工前的基材的图像截取与表面加工后的加工区域对应的区域的图像来容易地实施高精度的不良判定。不良判定方法具有：第一图像取得工序，取得拍摄了基材的第一图像；第二图像取得工序，取得拍摄了对在第一图像取得工序之后的基...
    2026-03-16
  • 一种降低抓取翘曲概率优化桁架架构的半导体固晶装置
    一种降低抓取翘曲概率优化桁架架构的半导体固晶装置_深圳龙芯半导体科技有限公司_202511740077.7
    本发明涉及半导体固晶技术领域，具体为一种降低抓取翘曲概率优化桁架架构的半导体固晶装置，包括底桁架，所述底桁架顶部的后侧固定连接有侧桁架，所述底桁架的顶部设有承载台，所述侧桁架的内侧通过螺栓固定连接有邦头架，所述邦头架的前侧设有电机安装座，所...
    2026-03-16
  • 用于芯片基板加工的吸附定位旋转平台
    用于芯片基板加工的吸附定位旋转平台_苏州恩欧西智能科技有限公司_202511678919.0
    本发明涉及芯片基板加工技术领域，尤其涉及用于芯片基板加工的吸附定位旋转平台，包括底座，以及转动安装在底座顶部的转动台，转动台上设置有对芯片基板中部固定的吸附机构，以及联动吸附机构对芯片基板自定位并对各边部支撑固定的让位式定位机构；本发明借助...
    2026-03-16
  • 一种顶针装置及固晶机
    一种顶针装置及固晶机_长沙大微半导体有限公司_202610150082.0
    本发明属于半导体产品生产技术领域，尤其是一种顶针装置及固晶机，包括顶杆、顶针组件以及顶吸套筒，其特征在于，顶针组件包括与顶杆连接的固定套筒，所述固定套筒内围绕轴线设置有多个能够调节自转角度的顶针座，所述顶针座上偏心安装有顶针套筒，所述顶针套...
    2026-03-16
  • 晶圆扩膜机构
    晶圆扩膜机构_江苏联赢半导体技术有限公司_202512036921.4
    本发明提供了一种晶圆扩膜机构，包括第一料仓、晶片扩膜模块和搬移模块，搬移模块用于将晶片环在第一料仓和晶片扩膜模块之间转运；搬移模块包括推料底座，推料底座上设置有沿第一方向延伸的架杆，架杆的自由端设置有轴承座，轴承座与推料底座之间设置有推料棒...
    2026-03-16
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