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最新专利技术
  • 存储器件的测试方法
    存储器件的测试方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610158024.2
    本申请提供一种存储器件测试方法，存储器件包括命令引脚、数据引脚、缓冲电路以及失调补偿电路，缓冲电路用于接收经由命令引脚传输来的命令信号。测试方法包括：配置存储器件进入初始化训练模式，包括配置阶段、失调测试阶段以及训练阶段；在配置阶段结束后，...
    2026-05-09
  • 一种高精密存储芯片高保真测试板装卸模组
    一种高精密存储芯片高保真测试板装卸模组_沛顿科技(深圳)有限公司_202511903729.4
    本发明公开了一种高精密存储芯片高保真测试板装卸模组，旨在解决当前装卸模组成本高、重量大和操作困难的技术问题，包括Pin的锥形结构，解决了作业中反复对位失败问题；定位模组使用了非常多的高强度但轻量化设计，极大减轻了重量，使得2人作业变为1人作...
    2026-05-09
  • 一种基于边缘计算的存储芯片的内存测试方法、设备及介质
    一种基于边缘计算的存储芯片的内存测试方法、设备及介质_深圳科摩思智能科技有限公司_202511783869.2
    本发明公开了一种基于边缘计算的存储芯片的内存测试方法、设备及介质，涉及信息处理技术领域，包括，边缘节点读取自描述信息并装载模板，建立采样网格与参考轨迹，按采样网格采集观测量生成在流摘要序列；将在流摘要序列和参考轨迹对齐，对在流摘要序列高于参...
    2026-05-09
  • CXL内存测试方法、装置、电子设备及测试组网
    CXL内存测试方法、装置、电子设备及测试组网_新华三技术有限公司_202511735350.7
    本申请实施例提供CXL内存测试方法、装置、电子设备及测试组网。本申请实施例为CXL内存测试搭建了测试组网，该测试组网至少包括测试服务器、机头服务器和机尾服务器，机头服务器上被部署了需要测试的CXL内存模块，机头服务器与机尾服务器之间通过至少...
    2026-05-09
  • 一种异常断电状态测试方法、装置、设备及存储介质
    一种异常断电状态测试方法、装置、设备及存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511728909.3
    本申请涉及固态存储介质的技术领域，尤其涉及一种异常断电状态测试方法、装置、设备及存储介质。方法包括：向目标存储设备下发携带有当前待测参数组合配置命令；响应于预设匹配触发条件达成，判断当前待写入数据是否与当前处理类型相匹配；若匹配，则经当前延...
    2026-05-09
  • 固态硬盘的自动化测试方法、设备及存储介质
    固态硬盘的自动化测试方法、设备及存储介质_深圳市晶存科技股份有限公司_202511719133.9
    本发明公开了一种固态硬盘的自动化测试方法、设备及存储介质，该方法包括：中央控制主机初始化测试环境，控制测试设备对固态硬盘执行自动化测试操作，包括工作模式切换和外设模拟操作，并在测试过程中同步采集固态硬盘的功耗数据、内部状态数据及外部环境数据...
    2026-05-09
  • 存储装置及其上电读取方法
    存储装置及其上电读取方法_华邦电子股份有限公司_202511210856.6
    本发明提供一种存储装置及其上电读取方法。存储器装置的上电读取方法包括：根据存储装置的电源电压的电压电平产生上电读取信号；依序分别检测存储器装置中多个电路的多个准备状态以产生多个就绪信号；依序读取多个熔丝状态以产生多个熔丝状态信号；以及通过串...
    2026-05-09
  • 存储器、测试方法、存储器系统、电子设备
    存储器、测试方法、存储器系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411259560.9
    本公开实施例公开了一种存储器、测试方法、存储器系统和电子设备。该存储器包括多个引脚以及连接多个引脚的引脚连接电路；多个引脚包括一个测试切换引脚和多个控制引脚；引脚连接电路被配置为：基于第一测试模式信号以及测试切换引脚处于第一电平，生成第一测...
    2026-05-09
  • 一种铁电存储器性能的测试方法
    一种铁电存储器性能的测试方法_无锡华润微电子有限公司_202411195070.7
    本发明公开了一种铁电存储器性能的测试方法，方法包括：初始化铁电电容，以使铁电电容处于第一极化状态；执行第一电压扫描，以获得第一起点电流和第一尖峰电流；计算第一电流差值，并在第一电流差值超出预设电流差值范围时执行以下步骤：执行第二电压扫描，第...
    2026-05-09
  • 藉助于通道内编码进行存储器装置的增强型数据保护的方法及设备
    藉助于通道内编码进行存储器装置的增强型数据保护的方法及设备_慧荣科技股份有限公司_202510282185.8
    本发明提供藉助于通道内编码进行存储器装置的增强型数据保护的方法及设备，存储器装置包含存储器控制器和非挥发性(NV)存储器并经历回流制程将存储器装置安装至印刷电路板上。该方法可包含：在电子装置的系统层次初始化期间，利用存储器控制器开始对NV存...
    2026-05-09
  • 存储器、存储器模块及半导体系统及其操作方法
    存储器、存储器模块及半导体系统及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510234534.9
    本公开涉及存储器、存储器模块及半导体系统及其操作方法。一种半导体系统可以包括：命令地址总线；数据总线；管理总线；存储器模块，其包括多个存储器并耦接到命令地址总线、数据总线和管理总线；存储器控制器，其被配置为通过命令地址总线和数据总线控制存储...
    2026-05-09
  • SRAM器件测试结构及其测试方法
    SRAM器件测试结构及其测试方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511818194.0
    本发明公开了一种SRAM器件测试结构及其测试方法，属于半导体技术领域，该SRAM器件测试结构，包括衬底和有源区；至少一个轻掺杂漏区，形成在有源区中；多晶硅，被布置在有源区的顶面上，通过多晶硅露出至少部分有源区，用于形成轻掺杂漏区；侧墙，位于...
    2026-05-09
  • 一种ROM自动化测试电路及其测试方法
    一种ROM自动化测试电路及其测试方法_西安微电子技术研究所_202511755057.7
    本申请公开一种ROM自动化测试电路及其测试方法，属于集成电路设计技术领域。包括ROM控制器、MISR模块、接口模块以及TAP控制器；ROM控制器与接口模块交互；MISR模块，用于通过位运算压缩算法对从ROM中读取的存储数据进行压缩以得到特征...
    2026-05-09
  • NAND FLASH的上电自检方法、系统和装置
    NAND FLASH的上电自检方法、系统和装置_联和存储科技(江苏)有限公司_202511611246.7
    本发明公开一种NAND FLASH的上电自检方法、系统和装置，方法包括：检测NAND FLASH是否上电；在NAND FLASH上电时，对存储芯片的首次轮询延迟进行检测得到目标延迟，其中，NAND FLASH包括存储芯片；将目标延迟发送至上...
    2026-05-09
  • eFlash参数的修调方法
    eFlash参数的修调方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511429846.1
    本发明提供了一种eFlash参数的修调方法，包括：对eFlash的参考单元晶体管进行擦写操作；对参考单元选择测试模式；固定第一恒流源和/或第二恒流源，以确定动态负载的压降；将动态负载电压固定为量测参考单元电流时的理论偏置电压与动态负载的压降...
    2026-05-09
  • 一种基于拓扑排序的储存芯片老化预测方法、设备及介质
    一种基于拓扑排序的储存芯片老化预测方法、设备及介质_深圳科摩思智能科技有限公司_202511783945.X
    本发明公开了一种基于拓扑排序的储存芯片老化预测方法、设备及介质，涉及芯片老化测试技术领域，包括，基于预定义的储存芯片内部依赖关系构建初始静态拓扑图；采集储存芯片性能监测数据，并进行时序关联性识别，生成动态依赖边；将动态依赖边与初始静态拓扑图...
    2026-05-09
  • 对输出的影子逻辑、用于无输入数据的存储器的全速测试(存储器旁路)架构
    对输出的影子逻辑、用于无输入数据的存储器的全速测试(存储器旁路)架构_意法半导体国际公司_202511203560.1
    本公开涉及对输出的影子逻辑、用于无输入数据的存储器的全速测试(存储器旁路)架构。本文公开了一种用于测试输出影子逻辑的具有旁路模式的自定时存储器电路。该电路适用于各种存储器类型，包括ROM、HistoRAM和TCAM。在正常操作中，存储器阵列...
    2026-05-09
  • SRAM存储器的故障定位方法、装置、设备、介质及产品
    SRAM存储器的故障定位方法、装置、设备、介质及产品_上海集成电路研发中心有限公司_202411229831.6
    本申请提供一种SRAM存储器的故障定位方法、装置、设备、介质及产品。该方法包括：通过确定原始数据的工作模式得到预处理数据，通过预设拟合算法对预处理数据进行拟合，根据拟合结果进一步确定目标拟合曲线，之后根据工作模式确定目标拟合曲线对应的噪声容...
    2026-05-09
  • 一种电阻校准电路、存储器和电子设备
    一种电阻校准电路、存储器和电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202610154880.0
    本公开涉及半导体技术领域，针对于ZQ锁存命令的发送时机不当导致的阻值校准码锁定错误的问题，提供了一种电阻校准电路、存储器和电子设备，电阻校准电路包括：主校准电路，配置为在ZQ校准过程中，对阻值校准码进行调整；状态机，配置为产生校准状态信号；...
    2026-05-09
  • 数据接收电路、偏移校准电路、数据接收系统以及存储装置
    数据接收电路、偏移校准电路、数据接收系统以及存储装置_长鑫科技集团股份有限公司_202411260963.5
    本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种数据接收电路，包括：数据接收模块，数据反相模块，反馈均衡模块以及数据判决模块，反馈均衡模块与数据接收模块单独设置，且反馈均衡模块被配置为，基于使能信号和反馈信号执行判决反馈均衡，其中，反馈信号基于先前接...
    2026-05-09
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