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最新专利技术
  • 字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路
    字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路_华邦电子股份有限公司_202510135308.5
    本发明提供一种字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路。字线编码器包括字线驱动电路。字线驱动电路包括第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。第一驱动晶体管的第一端接收第一信号，且第一驱动晶体管的控制端接收第一控制信号。第二驱动晶体管耦接到第一驱...
    2026-05-10
  • 半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202411139689.6
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质，半导体器件包括存储阵列和与存储阵列耦接的外围电路，外围电路被配置为：在第一编程循环的验证阶段，对目标存储单元耦接的字线施加第一验证电压；在利用半导体器件进行运算阶段，对目标存...
    2026-05-10
  • 包括块选择电路的存储器装置
    包括块选择电路的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510310654.2
    公开了一种存储器装置。存储器装置包括：第一半导体层，包括减薄区、在第一方向上布置在减薄区的两侧的第一单元区和第二单元区；以及第二半导体层，包括与减薄区竖直重叠的通道晶体管区域、以及通过多条块选择信号线连接到通道晶体管区域的第一块选择电路区域...
    2026-05-10
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510100440.2
    本发明提供一种半导体存储装置，其能够提高动作速度。实施方式的半导体存储装置具备：位线；存储单元晶体管，与所述位线电连接；以及感测放大器模块，经由所述位线从所述存储单元晶体管读出数据；所述感测放大器模块包含：第1节点，能够与所述位线电连接；以...
    2026-05-10
  • 用于非易失性存储器的编程
    用于非易失性存储器的编程_意法半导体国际公司_202511164146.4
    本公开涉及用于非易失性存储器的编程。根据实施例，公开了一种用于为相变存储器(PCM)单元生成自适应置位脉冲电流的电路。该电路包括：第一电流数模转换器(IDAC)和第二IDAC，每个IDAC被配置为生成具有可编程曲线的偏置电流，该可编程曲线包...
    2026-05-10
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510841018.2
    一种存储装置，第二导电体位于比第一导电体更靠第一方向。第三导电体沿第一方向延伸，与第一导电体以及第二导电体相交，并具有第一端以及第二端，第一端位于比第二端更靠第一方向。第一存储单元与第一导电体以及第三导电体连接。第二存储单元与第二导电体以及...
    2026-05-10
  • 存储器件、包括其的电子设备、以及制造存储器件的方法
    存储器件、包括其的电子设备、以及制造存储器件的方法_三星电子株式会社_202511223791.9
    本发明提供包括氧和硫属化物存储器件、包括存储器件的电子设备、以及制造存储器件的方法。存储器件可包括：在第一方向上延伸的多条位线；在第二方向上延伸的多条字线，其中所述第二方向与所述第一方向交叉；以及在所述多条位线和所述多条字线彼此交叉的点处的...
    2026-05-10
  • 10T-SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片
    10T-SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片_安徽大学_202610129028.8
    本发明涉及集成电路领域，特别是一种10T‑SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片。10T‑SRAM单元由5个PMOS管P1~P5和5个NMOS管N1~N5构成。P1、P2、N1～N4构成包含NMOS管型数据传输通道的6T‑SRA...
    2026-05-10
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510187931.5
    本申请涉及一种半导体存储装置。多个存储单元与多个字线及多个位线的交叉位置对应，使用氧化物半导体构成。字线控制电路使依照第1地址选择的第1字线的电压变化而使第1字线激活或失活。感测放大器电路检测并锁存连接于第1字线的多个第1存储单元的数据。读...
    2026-05-10
  • 存储器装置及存储器系统
    存储器装置及存储器系统_旺宏电子股份有限公司_202411922374.9
    本发明提供一种存储器装置及存储器系统。存储器装置包含存储器字串。存储器字串用以储存一储存数据，并比较一输入数据与该储存数据以产生一字串电流信号。存储器字串包含多个存储器单元。存储器单元包含串联耦接的多个开关元件。当该输入数据的一量化值等于该...
    2026-05-10
  • 能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置
    能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置_三星电子株式会社_202511159236.4
    示例实施例涉及一种能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置。该存储器装置包括电源线、接地源线、功率门控开关电路和具有多个字线驱动器电路的行译码器。字线驱动器电路基于译码后的行地址当中的第一最高有效位(MSB)信号被分为第一组和第二...
    2026-05-10
  • 具有选择元件的半导体器件
    具有选择元件的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511273578.9
    本申请涉及具有选择元件的半导体器件。半导体器件包括：包括第一子单元区域和第二子单元区域的单元区域；在第一方向上与单元区域的一侧相邻的第一外围电路区域；以及在与第一方向垂直的第二方向上与单元区域的另一侧相邻的第二外围电路区域。第一子单元区域包...
    2026-05-10
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_202511167989.X
    提供了一种存储器设备，其被配置为从外部主机设备接收处理命令。该存储器设备包括存储器内处理器和错误报告电路，存储器内处理器被配置为响应于处理命令执行存储器内处理操作，错误报告电路被配置为响应于处理命令向外部主机设备提供指示在存储器内处理操作期...
    2026-05-10
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_202511108367.X
    一种存储器设备包括：存储器单元阵列，包括与对应于多个行的多个字线耦合的正常单元和每行激活计数(PRAC)单元；刷新控制电路，被配置为基于刷新命令来刷新对应于多个行的多个字线；以及激活生成电路，被配置为基于激活命令来生成行激活信号。行激活信号...
    2026-05-10
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_铠侠股份有限公司_202510234237.4
    实施方式提供能够抑制存储特性的劣化、或者能够使存储特性恢复的半导体存储装置及其控制方法。本实施方式的半导体存储装置具备存储器件，其包含由晶体管构成且能够保持数据的多个存储单元。控制器使用从第一电压到最高阈值电压为止的第一范围将数据写入多个存...
    2026-05-10
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202510275151.6
    本发明提供能够提高动作性能的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备存储单元(MC)、恒流源(CS)、开关(S1、S2以及S3)、峰值检测电路(51)、以及感测放大器(SA)。存储单元包括可变电阻元件(VR)以及选择器元件(SE)。恒流源(CS...
    2026-05-10
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510223368.2
    实施方式提供能够高精度地存储数据的存储装置。一实施方式的存储装置包含第一存储单元、第一布线、第二布线、第一开关、第三布线、第二开关、第四布线、第一晶体管、第三开关及读出放大器电路。第一存储单元包括第一磁阻效应元件和与第一磁阻效应元件连接的第...
    2026-05-10
  • 一种一次性可编程存储器及其写入方法与读取方法
    一种一次性可编程存储器及其写入方法与读取方法_浙江驰拓科技有限公司_202411206568.9
    本发明涉及存储器制造领域，特别是涉及一种一次性可编程存储器及其写入方法与读取方法，包括位线、源线及存储单元；所述存储单元包括串接的单极性选择器与磁性隧道结；多个所述存储单元在所述一次性可编程存储器的存储区阵列排布；在所述一次性可编程存储器的...
    2026-05-10
  • 一种存储器及其访问控制方法、电子设备
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411266221.3
    一种存储器及其访问控制方法、电子设备，存储器包括：至少一个存储阵列，存储阵列包括沿垂直堆叠的多层存储单元阵列，多条垂直延伸的局域位线；存储单元阵列包括：多条沿第二方向延伸的局域字线；同一存储单元阵列的多条局域字线分成多个字线组，每个字线组包...
    2026-05-10
  • 时钟传输电路、相位校准方法及存储器
    时钟传输电路、相位校准方法及存储器_长鑫科技集团股份有限公司_202411206661.X
    本公开提供一种时钟传输电路、相位校准方法和存储器。时钟传输电路包括：第一时钟分布网络和第二时钟分布网络，分别接收第一输入时钟信号和第二输入时钟信号，传输至输出端口区域，输出第一目标时钟信号和第二目标时钟信号；当正常工作模式下，第二输入时钟信...
    2026-05-10
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