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最新专利技术
  • 一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件
    一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511815880.2
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件，其中方法包括：沉积介电保护层；在介电保护层上形成光刻胶层，保留多晶硅熔丝结构熔丝区的光刻胶层，以暴露其他非多晶硅熔丝结构熔丝区的介电保护层；刻蚀去除其他非多晶硅熔丝结...
    2026-03-13
  • 静电释放防护结构及其制造方法
    静电释放防护结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511745958.8
    本发明提供一种静电释放防护结构及其制造方法。该结构包括衬底、设置在衬底上的埋氧层、设置在埋氧层上的有源区以及横跨有源区的栅极结构。在有源区内设置有至少一个浅层隔离区，该浅层隔离区沿栅极结构的宽度方向延伸，将有源区在宽度方向上分隔为至少两个子...
    2026-03-13
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510163184.1
    根据一个实施例，一种半导体装置包括：第一端子和第二端子；与所述第一端子电连接的第一导电构件；设置在所述第一导电构件上的半导体芯片；设置在所述半导体芯片上并与所述第二端子电连接的第二导电构件；设置在所述第二导电构件上并覆盖所述半导体芯片的第一...
    2026-03-13
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411133716.9
    本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构至少包括：底层导电层和格挡部，格挡部所在平面位于底层导电层所在平面上方，格挡部与底层导电层在竖直方向上的投影具有重叠区域；立体结构，立体结构包括第一部和第二部，格挡部的顶面高于第二部的底面且低...
    2026-03-13
  • 电压控制系统以及半导体封装
    电压控制系统以及半导体封装_联想(新加坡)私人有限公司_202510790363.8
    本发明提供一种改善的电压控制系统以及半导体封装。半导体封装具备：IC芯片，包含进行信号的处理的处理电路部、和与上述处理电路部连接并用于向上述处理电路部施加电压的内部布线；电压施加路径，与上述内部布线连接，并且至少一部分在上述半导体封装的表面...
    2026-03-13
  • 一种具有温度感应功能的功率器件组件
    一种具有温度感应功能的功率器件组件_钰泰半导体股份有限公司_202610140788.9
    本发明提供一种具有温度感应功能的功率器件组件，包括集成于同一硅基衬底上的主功率器件和第二镜像功率器件，第二镜像功率器件被偏置以测量阈值电压，阈值电压含有温度信息，从而实现温度检测。本发明的具有温度感应功能的功率器件组件，其第二镜像功率器件与...
    2026-03-13
  • 集成封装件、电子系统和用于集成封装的方法
    集成封装件、电子系统和用于集成封装的方法_三星电子株式会社_202511088082.4
    公开了一种集成封装件、一种电子系统和一种用于集成封装的方法。中介体具有顶表面和底表面。第一电路层通过第一接合设置在顶表面上并且具有至少一个第一电路。第二电路层通过第二接合设置在第一电路层上并且具有至少一个第二电路。具有嵌入液体冷却通道的热层...
    2026-03-13
  • 一种微流散热结构
    一种微流散热结构_中国科学院微电子研究所_202411147960.0
    本发明公开一种微流散热结构，涉及芯片散热技术领域，包括：微通道基板，包括有用于导流的微通道，且微通道基板开设有安放孔；微流基板，微流基板的第一面设置用于冷却介质流动的微流结构，与微流基板的第一面相对应的微流基板的第二面用于与芯片相贴合，微流...
    2026-03-13
  • 一种芯片散热用低热膨胀-高导热梯度复合材料及其制备方法
    一种芯片散热用低热膨胀-高导热梯度复合材料及其制备方法_东莞理工学院_202511875509.5
    本发明提出了一种芯片散热用低热膨胀‑高导热梯度复合材料及其制备方法，属于电子设备散热结构与有色金属多孔复合材料技术领域。本发明的复合材料从芯片接触面到散热面依次为内层热匹配层和外层高效散热层，所述内层热匹配层为ZrW2O8增强Al基复合材料...
    2026-03-13
  • 一种集成电路专用散热装置
    一种集成电路专用散热装置_成都鑫睿众诚科技有限公司_202511503118.0
    本发明涉及集成电路散热技术领域，具体是一种集成电路专用散热装置，包括IC，所述IC的上表面涂覆有导热界面材料，所述IC的上方设置有TEG，所述TEG的下表面通过导热界面材料与IC的上表面固定连接，所述TEG的上表面固定连接有散热板，所述TE...
    2026-03-13
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511464364.X
    提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括形成在基板之上的第一晶粒、以及围绕第一晶粒的第一封装层。封装结构包括形成在第一晶粒和第一封装层之上的盖结构、以及形成在第一晶粒和盖结构之间的第一热界面材料(TIM)。第一热界面材料包括液态金属。封装...
    2026-03-13
  • 一种芯片散热结构
    一种芯片散热结构_联德电子科技(常熟)有限公司_202610043024.8
    本发明提供了一种芯片散热结构，其使得热管能够合理布置、并优化整个散热结构对芯片散热效率。其包括：铜块，其包括有受热面、散热面，受热面用于接收芯片的热能；N根热管，每根热管包括打扁部分、转向折弯部分、柱体插装部分, N为大于等于3的自然数；散...
    2026-03-13
  • 一种散热器及其制作方法、芯片、服务器
    一种散热器及其制作方法、芯片、服务器_浪潮(重庆)计算机科技有限公司_202511785479.9
    本申请涉及散热领域，公开了一种散热器及其制作方法、芯片、服务器，包括：纳米纤维散热网络，所述纳米纤维散热网络原位集成于芯片的表面；所述纳米纤维散热网络包括多个相互分离的散热体，所述散热体向远离所述芯片的表面的方向延伸。本申请中纳米纤维散热网...
    2026-03-13
  • 一种3D打印高性能计算芯片液冷板
    一种3D打印高性能计算芯片液冷板_宁波诺丁汉大学_202511723813.8
    本发明公开了一种3D打印高性能计算芯片液冷板，涉及散热器技术领域，包括基板，所述基板中部两侧对称固定有导流墙，所述导流墙上倾向进液口位置开设有导流孔，且导流墙之间形成内流道，内流道分布有仿涡轮叶片式翅片，所述导流墙外侧与外壳内侧之间形成外流...
    2026-03-13
  • 压电降膜循环散热装置
    压电降膜循环散热装置_中国科学院工程热物理研究所_202511467251.5
    本发明属于芯片散热领域，尤其涉及一种压电降膜循环散热装置，包括密闭空腔，在密闭空腔的外侧设置有取热面，在密闭空腔的内侧设置有降膜蒸发沸腾面、液体工质、压电泵、液顶盒及冷凝面，降膜蒸发沸腾面为金属多孔结构；液体工质在密闭空腔内形成液池，压电泵...
    2026-03-13
  • 半导体封装组件和用于其形成的方法
    半导体封装组件和用于其形成的方法_星科金朋私人有限公司_202411125172.1
    一种半导体封装组件，包括：半导体封装，包括：基板；安装在基板上的半导体裸片；互连块对，安装在基板上并位于半导体裸片的相对侧处；以及密封剂层，形成于基板上以密封半导体裸片和互连块对，互连块对具有暴露于密封剂层的相应顶面，并且半导体裸片的顶面暴...
    2026-03-13
  • 具有侧壁耦合导热元件的半导体装置封装及其制造方法
    具有侧壁耦合导热元件的半导体装置封装及其制造方法_钰创科技股份有限公司_202511175745.6
    本发明揭示一种半导体装置封装。该半导体装置封装包括堆叠结构，该结构包括多个相对于彼此垂直堆叠的电子部件。该等多个电子部件的每一者均设置成在垂直方向上提供电连接。第一导热元件围绕该堆叠结构的侧表面，并且热耦合到该等多个电子部件的至少一者的一侧...
    2026-03-13
  • 熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路
    熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路_浙江创芯集成电路有限公司_202511815881.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种熔丝结构及其制备方法、半导体器件和集成电路，该熔丝结构包括：衬底；位于衬底上的熔丝体；其中，熔丝体的材质为多晶硅材质；刻蚀停止层；其中，刻蚀停止层覆盖在熔丝体的正上方，且刻蚀停止层的厚度为35埃至65埃；...
    2026-03-13
  • 熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法
    熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511666196.2
    本发明涉及一种熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法。所述熔丝互连结构包括：衬底、N条熔丝、N个测试引脚、N个隔离层和N层连接线。其中，第1隔离层覆盖在所述衬底表面，所述N层连接线位于所述第1隔离层上，每两层连接线之间通过隔离层...
    2026-03-13
  • 包括熔丝的半导体元件及其制备方法
    包括熔丝的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510268624.X
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一熔丝金属、一掺杂结构、一第一介电层、一第二介电层以及二掺杂部。该第一介电层沿着一第一方向延伸且设置在该熔丝金属上方。该第一介电层包括用于容纳该熔丝金属的一第一凹陷结构。该掺杂结构形成在...
    2026-03-13
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