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最新专利技术
  • 包括熔丝的半导体元件及其制备方法
    包括熔丝的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510268624.X
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一熔丝金属、一掺杂结构、一第一介电层、一第二介电层以及二掺杂部。该第一介电层沿着一第一方向延伸且设置在该熔丝金属上方。该第一介电层包括用于容纳该熔丝金属的一第一凹陷结构。该掺杂结构形成在...
    2026-03-14
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511906666.8
    本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：有源层和位于所述有源层上的多层布线层；所述多层布线层包括叠设的底层布线层和高层布线层，所述底层布线层位于所述高层布线层与所述有源层之间；所述半导体结构的核心线路设置于所述高层布线层；其...
    2026-03-14
  • 集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置
    集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置_清华大学_202511834403.0
    一种集成电路芯片、集成电路芯片的制备方法以及电子装置。该集成电路芯片包括：衬底层、第一功能层、第二功能层和芯片电压端口，其中，衬底层、第一功能层以及第二功能层至少部分层叠，第一功能层设置在衬底层的上方，第二功能层设置在第一功能层远离衬底层的...
    2026-03-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511166137.9
    本公开涉及一种包括锥形间隔件的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：导线接触插塞和导电图案，它们在第一方向上彼此间隔开；导线，其设置在导线接触插塞之上，并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及间隔结构，其配置为接触导线的侧壁和导线接触插塞...
    2026-03-14
  • 背面电力分配网络架构中的半导体集成电路
    背面电力分配网络架构中的半导体集成电路_三星电子株式会社_202510382157.3
    一种集成电路，包括：绝缘层；第一导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第二导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第三导电层，在绝缘层中沿第一方向延伸；第一标准单元，在绝缘层中，包括第一单元边界；以及第二标准单元，其中，第一导电层在第一方向上与第一单...
    2026-03-14
  • 半导体装置
    半导体装置_碇基半导体股份有限公司_202510303921.3
    一种半导体装置，包含主动层、源极电极与漏极电极、源极金属层、漏极金属层以及源极垫。主动层包含主动区。源极电极与漏极电极设置于主动层的主动区上且延伸于第一方向。源极金属层设置于主动区且电性连接至源极电极，其中源极金属层延伸于第二方向并在俯视图...
    2026-03-14
  • 一种金属导线的形成方法及半导体结构
    一种金属导线的形成方法及半导体结构_武汉楚兴技术有限公司_202411179266.7
    本申请提供一种金属导线的形成方法及半导体结构，半导体结构包括层叠的第二介电层和第一介电层，第一介电层包括多孔材料，第二介电层中具有金属层，第一介电层中具有多个通孔，金属层的表面暴露在通孔的底部；至少在通孔的侧壁上形成保护层；保护层的材料包括...
    2026-03-14
  • 具有电容器结构的导电结构及其制备方法
    具有电容器结构的导电结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510183764.7
    本申请公开一种导电结构及其制备方法。该导电结构包括一第一支撑层、一第二支撑层、一第一电极层、一中间介电层及一第二电极层。该第二支撑层配置于该第一支撑层上，并与该第一支撑层间隔开。该第一电极层包括一第一部分。该第一部分包括一第一区域及一第二区...
    2026-03-14
  • 一种长距离跨度空气桥制程方法
    一种长距离跨度空气桥制程方法_福建省福联集成电路有限公司_202511531490.2
    本发明涉及一种长距离跨度空气桥制程方法，所述制程方法包括在衬底材料上沉积第一光阻层，并进行曝光/显影，采用湿法蚀刻衬底材料，在衬底材料上形成第一台面，去除第一光阻层；按照同样操作，继续涂布第二光阻层至第n台面；在第n台面的外侧涂布第n+1光...
    2026-03-14
  • 一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法
    一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130212.4
    本发明涉及一种通过牺牲层实现三维堆叠芯片连接的方法，包括：提供至少两层待堆叠的多层芯片，每层芯片包括功能结构、第一易结合层和/或第二易结合层；其中，至少一层芯片还包括牺牲层和连接孔；将多层芯片按功能要求对准、堆叠并键合，形成堆叠芯片；采用第...
    2026-03-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511821527.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上堆叠的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；第一通孔结构，填充所述SOI衬底中的第一通孔，所述第一通孔贯穿所述SOI衬底，所述第一通孔结构包括衬垫结构和金属层，所述衬...
    2026-03-14
  • 芯片封装单元、堆叠封装及电子设备
    芯片封装单元、堆叠封装及电子设备_华为技术有限公司_202411124565.0
    本申请提供一种芯片封装单元、堆叠封装及电子设备，涉及芯片领域。该芯片封装单元中包括堆叠设置的第一芯片和第二芯片、重布线层、垂直互连结构；垂直互连结构设置在第一芯片和第二芯片的侧面，重布线层设置在一个芯片的有源面一侧、并与有源面连接；或者，重...
    2026-03-14
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511904260.6
    一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供表面有介质层的衬底，第一区域衬底上的介质层内有第一金属层，第二区域衬底上的介质层内有第二金属层，第一金属层顶面的介质层厚度大于第二金属层顶面的介质层厚度；通过图形化工艺在介质层...
    2026-03-14
  • 一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质
    一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质_宁波芯健半导体有限公司_202511744753.8
    本申请涉及一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质，涉及芯片加工领域，其方法包括：在晶圆上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层的铜柱位置形成第一开口；通过电镀工艺，在第一开口内形成第一层铜柱；去除第一光刻胶层；在晶圆上形成塑封层，使塑...
    2026-03-14
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511667429.0
    本发明公开了半导体器件的制造方法及半导体器件，包括：提供基体，其中，基体包括半导体衬底和形成在半导体衬底的第一表面上的栅极结构，半导体衬底中形成有引出区和浅沟槽隔离结构，引出区包括第一引出区和第二引出区中的至少之一，第一引出区位于栅极结构与...
    2026-03-14
  • 互连结构的形成方法
    互连结构的形成方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411166219.9
    本发明提供一种互连结构的形成方法，先在第一牺牲层与第一介电层中形成第一凹槽；在第一凹槽中和第一牺牲层上形成第一金属互连层，第一凹槽中的第一金属互连层与第一牺牲层上的第一金属互连层相互分离，如此，可以将第一牺牲层及第一牺牲层上的第一金属互连层...
    2026-03-14
  • 第零层层间膜的制造方法
    第零层层间膜的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411147063.X
    本发明公开了一种第零层层间膜的制造方法，包括：步骤一、提供完成了接触刻蚀停止层形成工艺的半导体衬底。步骤二、采用HARP工艺进行第一次沉积工艺形成第一氧化层将间隔区无空洞完全填充。步骤三、采用第一次化学机械研磨工艺对第一氧化层进行研磨并停止...
    2026-03-14
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_LX半导体科技有限公司_202511201106.2
    本说明书公开了一种包括双沟槽的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括在基板上设置有多个第一半导体元件的第一区域、在基板上设置有多个第二半导体元件的第二区域、设置在第一区域与第二区域之间的基板中的隔离区域、形成在第一区域和第二区域的基板中的浅...
    2026-03-14
  • 浅沟槽隔离结构的制备方法
    浅沟槽隔离结构的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411180985.0
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法，基于前驱体在氮化硅硬掩膜与氧化硅介电层上的吸附活化能的差异，实现在氮化硅硬掩膜与氧化硅介电层上的选择性沉积，以形成可填充氧化硅介电层中的孔隙的氧化硅填充层；本发明可有效填充氧化硅介电层中的孔隙，解决浅...
    2026-03-14
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411178202.5
    本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，通过提供基底结构，所述基底结构包括依次层叠的背衬底、缓冲层和顶硅层；在所述基底结构中形成第二沟槽，通过所述第二沟槽刻蚀去除所述缓冲层以在所述背衬底和所述顶硅层之间形成空腔；在所述空腔中填充埋氧化层以形...
    2026-03-14
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