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最新专利技术
  • 磷扩散方法和磷扩散炉
    磷扩散方法和磷扩散炉_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511544913.4
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种磷扩散方法和磷扩散炉，以减少磷扩散工艺中留在过滤器内的固体量，延长过滤器的滤芯使用寿命。该磷扩散方法包括：打开炉体的炉门之后，抽取炉体内的尾气，以使空气进入炉体内，并使空气连同尾气依次流过冷却器和过滤器，...
    2026-03-07
  • 一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法
    一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法_国机金刚石(河南)有限公司_202511730882.1
    本发明属于超精密加工技术领域，涉及一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法。该方法先将切削过树脂工件的刀尖加热至树脂软化温度，用工具轻刮去除软化树脂，避免划伤刀具表面，初步降低刀具表面粗糙度。通过超精密抛光预处理，进一步降低刀具表...
    2026-03-07
  • 一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法
    一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法_哈工大郑州研究院_202511731761.9
    本发明公开了一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法，涉及金刚石材料制备技术领域，通过构建缓释界面层、低温高甲烷浓度形核以及高温低甲烷渐变生长，实现金刚石膜的厚度可达100‑1000µm。通过力学模型调控冷却应力，并辅以...
    2026-03-07
  • 一种用于钼铼合金单晶制备的多晶原料棒材电子束增材制造方法
    一种用于钼铼合金单晶制备的多晶原料棒材电子束增材制造方法_西北有色金属研究院_202511732949.5
    本发明公开了一种用于钼铼合金单晶制备的多晶原料棒材电子束增材制造方法，该方法包括以下步骤：一、制备钼铼合金的混合粉体；二、冷等静压；三、烧结；四、旋锻和拉丝；五、碱洗和乙醇清洗；六、电子束熔丝增材制造；七、将钼铼合金多晶原料棒材用于电子束悬...
    2026-03-07
  • 结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法
    结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202610070618.8
    本发明公开了一种结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法，通过惰性气体冲击和等离子活化对生长层表面进行极化残留中和处理，以生成再生长基底界面。再通过能量脉冲辅助控制生长层表面处于加热和冷却的交替状态，以获取设定厚度的再生长层。对再生长层...
    2026-03-07
  • 一种制备高质量二氧化锡薄膜及其钽掺杂的雾化学气相沉积方法
    一种制备高质量二氧化锡薄膜及其钽掺杂的雾化学气相沉积方法_湖北大学_202511730230.8
    本发明提供制备高质量二氧化锡薄膜及其钽掺杂的雾化学气相沉积方法，包括以下步骤：采用蓝宝石作为衬底，使用乙酸亚锡作为锡源，乙醇/乙二醇和去离子水作为溶剂，加入适量盐酸促进乙酸亚锡溶解；配置好的溶液作为前驱体置入雾化器容器中，将衬底放置在管式炉...
    2026-03-07
  • MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料
    MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料_苏州晶歌半导体有限公司_202610084295.8
    本发明公开了一种MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料。所述方法包括：在生长所述外延材料的过程中，不同时通入Al源和Sb源。本发明至少具有以下优点之一：一、采用循环分段式间隔通入Al与Sb的方法，有效避免了Al与...
    2026-03-07
  • 一种VCSEL外延生长方法
    一种VCSEL外延生长方法_全磊光电股份有限公司_202610099031.X
    本发明涉及VCSEL外延生长技术领域，尤其涉及一种VCSEL外延生长方法。本发明提供的VCSEL外延生长方法在每个DBR周期交界处插入ALE微循环界面平整化，并结合低折射率层前的HCl脉冲清洁和载气切换, 以及低温AsH33去氢退火工艺，在...
    2026-03-07
  • 超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法、刀具及超精密切削方法
    超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法、刀具及超精密切削方法_浙江大学_202610083769.7
    本发明涉及超精密切削用金刚石领域，具体涉及一种超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法、刀具及超精密切削方法。一种超精密加工刀具用自发热单晶金刚石的生产方法，包括以下步骤：S1.提供晶向倾角为45‑55°的高质量单晶金刚石作为籽晶；S2....
    2026-03-07
  • 一种N型重掺杂碳化硅晶体及其制备方法、功率器件
    一种N型重掺杂碳化硅晶体及其制备方法、功率器件_嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司_202511836214.7
    本发明涉及一种N型重掺杂碳化硅晶体及其制备方法、功率器件，具体涉及半导体领域，所述制备方法包括：利用籽晶采用硅源、碳源和掺杂源进行高温化学气相沉积，得到N型掺杂浓度≥2×101919个/cm33的N型重掺杂碳化硅晶体；其中，所述掺杂源包括：...
    2026-03-07
  • 一种用于金刚石均匀生长的自支撑衬底的制备方法
    一种用于金刚石均匀生长的自支撑衬底的制备方法_上海晶世创新材料科技有限公司_202511654867.3
    本发明提供一种用于金刚石均匀生长的自支撑衬底的制备方法，涉及金刚石晶体生长领域。本发明包括如下几个步骤：步骤1)生长出特质金刚石层和自支撑金刚石层，获得自支撑金刚石衬底；步骤2)对自支撑金刚石衬底的背面进行等离子体刻蚀；步骤3)对自支撑金刚...
    2026-03-07
  • 一种用于处理CVD单晶金刚石边缘多晶的方法
    一种用于处理CVD单晶金刚石边缘多晶的方法_河南省惠丰金刚石有限公司_202511571664.8
    本发明属于金刚石制备技术领域，尤其为一种用于处理CVD单晶金刚石边缘多晶的方法，将完成阶段性生长后的CVD金刚石采用激光切割机对金刚石多晶边缘进行一次切割倒边处理，其中生长面切割深度为a，垂直于生长面切割高度为b，此阶段生长完成的生长面记为...
    2026-03-07
  • 一种晶体生长装置
    一种晶体生长装置_深圳市重投天科半导体有限公司_202511826035.5
    本申请公开一种晶体生长装置，包括反应室、坩埚、激光加热系统和冷却基架。坩埚设置于反应室内，用于容纳晶体原料，坩埚承受从激光加热系统传递来的热量，使晶体原料升华为气相。坩埚的顶部设置有籽晶，籽晶用于供气相的所述晶体原料凝结。激光加热系统包括多...
    2026-03-07
  • 一种抑制液相外延碲镉汞材料抖舟条纹的方法
    一种抑制液相外延碲镉汞材料抖舟条纹的方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511531684.2
    本申请公开了一种抑制液相外延碲镉汞材料抖舟条纹的方法，涉及半导体薄膜制备、液相外延技术，包括：预先在石墨舟的拉杆上设置所需精度的传感器；在石墨舟和拉杆投入液相外延使用前，进行预先检测，记录拉杆和石墨舟的拉力数据，所述预先检测包括：将液相外延...
    2026-03-07
  • 一种碲镉汞液相外延用吸片及碲镉汞液相外延工艺方法
    一种碲镉汞液相外延用吸片及碲镉汞液相外延工艺方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511684646.0
    本申请提供一种碲镉汞液相外延用吸片及碲镉汞液相外延工艺方法，涉及晶片加工技术领域；所述吸片呈条状且具有波浪形结构；波浪形结构由条状碲锌镉晶体腐蚀清洗制成；条状碲锌镉晶体由碲锌镉晶体切割并划切成条状晶片制成；波浪形结构包括交替的凸部和凹部，使...
    2026-03-07
  • 一种基于多传感器的晶体生长炉温度控制系统
    一种基于多传感器的晶体生长炉温度控制系统_厦门宇电自动化科技有限公司_202610090870.5
    本发明涉及晶体生长控制技术领域，尤其涉及一种基于多传感器的晶体生长炉温度控制系统，该系统包括晶体单元、加热单元、搅拌单元、气体输送单元、提拉单元、温度采集单元、饱和核算单元、识别单元和分析单元；其中，晶体单元设有升华区和晶种区；温度采集单元...
    2026-03-07
  • 一种直拉法晶体生长控制方法
    一种直拉法晶体生长控制方法_森一量子科技(厦门)有限公司_202610088713.0
    本发明涉及一种直拉法晶体生长控制方法，用于加热坩埚的感应加热线圈为单层线圈，通过增设一支路 LC 调谐电路，在不同生长阶段利用该 LC 调谐电路对两条线路的电流进行调整，进而实现对加热坩埚功率的灵活调控。所述感应加热线圈设置有至少三个连接端...
    2026-03-07
  • 一种用于连续直拉单晶炉的碳碳复合材料热场系统
    一种用于连续直拉单晶炉的碳碳复合材料热场系统_江苏岚玥新材料科技有限公司_202610084327.4
    本发明涉及碳碳复合材料热场技术领域，公开了一种用于连续直拉单晶炉的碳碳复合材料热场系统，包括：在预设红外波段采集碳碳复合材料热屏的辐射强度数据。基于辐射强度数据计算谱发射率比指纹，并根据谱发射率比指纹确定环带高度和计算等效发射率，进而依据几...
    2026-03-07
  • 一种单晶炉拉晶调温方法
    一种单晶炉拉晶调温方法_四川永祥光伏科技有限公司_202511721058.X
    本发明提供了一种单晶炉拉晶调温方法，涉及单晶拉制技术领域。该单晶炉拉晶调温方法，包括：进入籽晶熔融阶段，采用低埚转减少熔体内扰动，同时施加升温系数对应的功率，使得熔体快速升温至籽晶熔接所需温度。检测到籽晶熔接完成后，采用加埚转，并调整与加埚...
    2026-03-07
  • 一种基于单晶炉压力调控的N型硅棒电阻优化方法
    一种基于单晶炉压力调控的N型硅棒电阻优化方法_包头美科硅能源有限公司_202511527107.6
    本发明涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种基于单晶炉压力调控的N型硅棒电阻优化方法，包括以下步骤：步骤S1：根据产品规格，明确N型硅棒的目标电阻率范围；步骤S2：收集以往生产的N型硅棒数据，构建经验模型；步骤S3：根据目标硅棒的电阻要求，主...
    2026-03-07
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