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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511532669.X
    方法包括：形成下部源极/漏极区域；形成第一接触蚀刻停止层并且在第一接触蚀刻停止层上方形成第一层间电介质；在第一层间电介质上方形成上部源极/漏极区域；以及形成第二接触蚀刻停止层并且在第二接触蚀刻停止层上方形成第二层间电介质。上部源极/漏极区域...
    2026-02-27
  • 一种Cu互连扩散阻挡层及其制备方法
    一种Cu互连扩散阻挡层及其制备方法_北京科技大学_202511731998.7
    本发明属于金属氮化物涂层的制备方法技术领域，具体涉及一种Cu互连扩散阻挡层及其制备方法，Cu互连扩散阻挡层为TiBN扩散阻挡层，TiBN扩散阻挡层为非晶硼包裹纳米晶结构的TiBN复合膜，纳米晶结构为TiN。本发明提供的一种Cu互连扩散阻挡层...
    2026-02-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511417772.X
    本申请公开了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基体、介质层、电阻层以及金属间化合物保护层；基体包括器件区和电阻区；介质层覆盖基体；电阻层设置在介质层中，且电阻层至少位于电阻区所对应的区域；金属间化合物保护层设置在介质层中并覆盖电阻层，...
    2026-02-27
  • 半导体结构及半导体器件
    半导体结构及半导体器件_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511735413.9
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及半导体器件。半导体结构包括衬底、外延层、接触孔、第一接触槽以及导电互连层。其中，外延层形成于衬底顶部，且外延层的导电类型与衬底的导电类型相反。接触孔沿外延层的厚度方向贯穿外延层，衬底中与接触孔...
    2026-02-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511523646.2
    半导体结构包括：衬底；介电结构，包括多个介电层；环结构，设置在衬底和介电结构中；以及通孔结构，沿垂直方向纵向延伸并且位于由环结构围绕的区域中。多个介电层包括设置在衬底的前侧上的多个前侧介电层和设置在衬底的背侧上的多个背侧介电层。环结构包括设...
    2026-02-27
  • 用于隔离金属互联导线的空气间隙形成方法
    用于隔离金属互联导线的空气间隙形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759668.9
    本发明公开了一种用于隔离金属互联导线的空气间隙形成方法，利用晶圆键合工艺，通过将一片在金属互联层周围的电介质层中已预先刻蚀出沟槽的晶圆与另一形成有电介质层的晶圆合二为一，原本开口的沟槽即被另一晶圆的电介质层封闭，从而形成完整的空气间隙隔离结...
    2026-02-27
  • 半导体互连结构的制造方法
    半导体互连结构的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759644.3
    本发明提供一种半导体互连结构的制造方法。该方法包括：提供衬底并在其上形成介电层；在介电层上形成硬掩模层并对其进行图形化，以形成限定金属布线图形的掩模图形；在掩模图形的表面沉积一层抗刻蚀层，该抗刻蚀层的抗刻蚀能力大于硬掩模层的抗刻蚀能力；随后...
    2026-02-27
  • 半导体结构的形成方法及半导体结构
    半导体结构的形成方法及半导体结构_苏州华太电子技术股份有限公司_202511735230.7
    本申请提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。形成方法包括：形成衬底，并在衬底的表面形成第一离子注入区。在衬底上形成第一外延层，并在第一外延层的表面形成第二离子注入区。在第一外延层上形成第二外延层。形成第二接触孔，并使第二接触孔沿第二外延...
    2026-02-27
  • 一种TGV通孔的填充方法
    一种TGV通孔的填充方法_苏州森丸电子技术有限公司_202511641602.X
    本发明公开了一种TGV通孔的填充方法，包括以下步骤：在绝缘基板上形成TGV通孔；通过分步溅射与冷却交替进行的方式在TGV通孔内沉积种子层；通过电镀工艺进行TGV填孔；对填孔后的TGV通孔进行平坦化，去除多余金属，形成TGV互联孔；分步溅射与...
    2026-02-27
  • 基于FCVD工艺的沟槽填充方法
    基于FCVD工艺的沟槽填充方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411099966.5
    本发明提供一种基于FCVD工艺的沟槽填充方法，在对形成的流动膜层进行初步的插氧处理及固化处理形成固化的富氮氧化硅膜层后，对其进行进一步的氧气等离子体处理，使整个膜层中N、H元素的含量得到锐减，达到提高膜质的效果；另外，氧气等离子体还可对膜层...
    2026-02-27
  • 浅沟槽隔离结构及其制造方法
    浅沟槽隔离结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610086885.4
    本申请涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有隔离沟槽，所述隔离沟槽的侧壁上形成有介质层，所述隔离沟槽的底部暴露；沿垂直射入所述隔离沟槽的方向上，向所述隔离沟槽内照射处理光束，以使所述隔离沟槽周围的所述衬底内形成...
    2026-02-27
  • 浅沟槽隔离结构及其制备方法
    浅沟槽隔离结构及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411099991.3
    本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次形成有绝缘垫层及掩膜层；自掩膜层表面向下刻蚀，经绝缘垫层至半导体衬底中预设深度，形成沟槽；形成沟槽隔离材料层，沟槽隔离材料层填充满沟槽并覆盖掩膜层表...
    2026-02-27
  • 晶圆处理方法及装置、电子设备
    晶圆处理方法及装置、电子设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511775486.0
    本发明提供了一种晶圆处理方法及装置、电子设备，属于半导体制造技术领域。晶圆处理方法，包括：在待处理的晶圆上涂覆光刻胶，利用紫外光以特定偏振角度照射所述晶圆的表面，使得所述晶圆表面的凸起所在区域接受到的光强大于所述晶圆其他区域接受到的光强；对...
    2026-02-27
  • 掩模构件、发光元件转移装置和转移发光元件的方法
    掩模构件、发光元件转移装置和转移发光元件的方法_三星显示有限公司_202511117093.0
    提供了掩模构件、发光元件转移装置和转移方法。掩模构件包括：第一掩模，包括光阻挡图案层和基础层，其中，第一掩模的光阻挡图案层包括开口图案；以及第二掩模，包括光阻挡图案层和基础层，其中，第二掩模的光阻挡图案层包括相对于第二掩模的中心成角度地设置...
    2026-02-27
  • 一种光刻对准标记单元及其制备方法、切割道结构
    一种光刻对准标记单元及其制备方法、切割道结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610036916.5
    本发明提供一种光刻对准标记单元及其制备方法、切割道结构，光刻对准标记单元包括沿厚度方向依次设置在功能区块中的至少两层光刻对准标记，相邻两层所述光刻对准标记之间均设置有一遮光层，所述遮光层用于覆盖下层的光刻对准标记。本发明通过在下层的光刻对准...
    2026-02-27
  • 立式炉、晶圆边缘缺陷在线检测系统及其检测方法
    立式炉、晶圆边缘缺陷在线检测系统及其检测方法_上海微釜半导体设备有限公司_202610036400.0
    本发明提供了一种立式炉、晶圆边缘缺陷在线检测系统及其检测方法，在线检测系统包括第一线扫描相机、晶圆传送机器人、位置调节组件和控制模块，晶圆传送机器人用于同时夹取多片晶圆，并驱动各夹持机构控制多片晶圆在轴向上错位布置及保持旋转；位置调节组件包...
    2026-02-27
  • 晶圆检测装置及方法
    晶圆检测装置及方法_柯尔微电子装备(厦门)有限公司_202511980322.1
    本公开提供一种晶圆检测装置及方法，晶圆检测装置包括：用于放置待检测晶圆的接口装置；用于执行晶圆的对位操作，并设置有晶圆干燥装置的旋转定位装置，晶圆干燥装置用于干燥晶圆；包括第一载台、正面检测装置和背面检测装置的晶圆检测设备，第一载台用于固定...
    2026-02-27
  • 晶圆检测方法及装置
    晶圆检测方法及装置_湖北江城芯片中试服务有限公司_202511654749.2
    本公开实施例提供一种晶圆检测方法及装置，该晶圆检测方法包括：提供待检测的晶圆，所述晶圆包括由所述晶圆的表面延伸至晶圆的内部的凹陷结构；在所述晶圆表面涂敷增反光学膜；通过入射光源照射所述晶圆表面；检测由所述凹陷结构的内壁反射的反射光信号；根据...
    2026-02-27
  • 检测晶圆键合对准偏差的方法
    检测晶圆键合对准偏差的方法_海光信息技术股份有限公司_202511605388.2
    本发明提供一种检测晶圆键合对准偏差的方法。所述方法包括：在待键合的两片晶圆上按照预定坐标分别设置预定个数的金属测试点，其中，第一晶圆上的各金属测试点与第二晶圆上的各金属测试点两两之间作为一组测试回路；检测两片晶圆键合后各组测试回路的导通情况...
    2026-02-27
  • 一种兼具晶圆平整度检测的晶圆载台
    一种兼具晶圆平整度检测的晶圆载台_广东科卓半导体设备有限公司_202511583942.1
    本发明涉及晶圆切割技术领域，具体来说是涉及一种兼具晶圆平整度检测的晶圆载台，包括底板、设于底板的平整度检测装置和切换阀；平整度检测装置包括检测本体、孔板和导电盘；检测本体设有凹槽和环形气腔；导电盘设于凹槽内；孔板设于凹槽的开口处；孔板、导电...
    2026-02-27
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