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最新专利技术
  • 载板结构的制备方法、载板结构及移动终端
    载板结构的制备方法、载板结构及移动终端_苏州国显创新科技有限公司_202511727368.2
    本申请实施例提供一种载板结构的制备方法、载板结构及移动终端，载板结构用于连接集成电路和印制电路板，本申请实施例中，通过先在第一临时衬底上制备第一布线层，然后在第一布线层上制备基板，可以降低第一布线层的制备难度，减少第一布线层的制备过程中损坏...
    2026-03-03
  • 一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法
    一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701776.0
    本发明提供一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法，属于半导体封装技术领域，旨在提高金属在中介层的附着性能，所述制备方法包括：提供基材；其中，所述基材包括中介层，所述中介层包括多个通孔；将所述基材置于第一反应腔内，并在第一预设温度下向所述第一反应...
    2026-03-03
  • 一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极
    一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701615.1
    本申请提供一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极，涉及半导体加工技术领域，包括：提供玻璃基板；在玻璃基板上形成至少一个通孔，通孔的深宽比大于10 : 1；基于远端等离子化学气相沉积工艺，在第一温度下，在通孔内形成阻障层，阻障层...
    2026-03-03
  • 一种提升玻璃通孔良率的方法
    一种提升玻璃通孔良率的方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202511683155.4
    本发明公开了一种提升玻璃通孔良率的方法，该方法通过三维点云数据获取激光诱导改性区的内部形貌，精确计算改性深度；采用改进的卷积神经网络模型融合激光工艺参数与材料属性，预测每个改性区的刻蚀速率及标准差；基于同一套三维检测数据，分别驱动返工补偿决...
    2026-03-03
  • 一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法
    一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法_北京市科学技术研究院_202511678858.8
    本发明公开了一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法，涉及半导体制造和电子封装技术领域。包括以下步骤：(1)基材表面离子注入改性；(2)磁过滤阴极真空弧沉积粘合与晶种层；(3)高功率脉冲磁控溅射沉积超低轮廓初始导体层；(4)脉冲电镀...
    2026-03-03
  • 一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法
    一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202511676779.3
    本发明公开了一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法，所述方法包括：在第一硅片上刻蚀出TSV孔；在TSV孔内制备Cu种子层；在TSV孔内自下而上电镀Cu，将TSV孔进行实心填充，形成TSV铜柱；降低第一硅片的厚度，并露出部分TSV铜柱；在键...
    2026-03-03
  • 一种鳍式垂直interposer扇出型封装结构及方法
    一种鳍式垂直interposer扇出型封装结构及方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511634712.3
    本发明提出一种鳍式垂直interposer扇出型封装方法，属于半导体封装技术领域，涵盖鳍式垂直结构制备、玻璃基板处理及导电层构建、鳍式垂直结构安装与倒装芯片键合、封装及顶层结构设置等步骤；通过旋涂形成PI层，利用铜电镀或PVD制作铜布线层及...
    2026-03-03
  • 一种封装基板结构及其制作方法
    一种封装基板结构及其制作方法_上海美维科技有限公司_202411085448.8
    本发明提供一种封装基板结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一基板，形成贯穿所述基板的通孔，形成覆盖所述基板下表面及自所述基板下表面的所述通孔开口向上预设距离处的内壁的种子金属层；于所述种子金属层下表面形成一导电胶层，所述导电胶层封堵所述通孔...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411104902.X
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一介质层位于基底上且覆盖第一电极层；第一电容叠层位于第一电容区和第二电容区的第一介质层上，且第一电容叠层包括第二电极层和位于第二电极层上的第三电极层、以及位于第二电极层和第三电极层之间的第二介质...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411104879.4
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；第一介电层，位于基底上；介质缓冲层，位于第一介电层上，介质缓冲层的抗击穿强度大于第一介电层的抗击穿强度；多层电极层，自下而上依次堆叠设置于介质缓冲层上；介质层，在纵向上位于相邻电极层之间；第二介电...
    2026-03-03
  • 一种双重相变芯片散热装置
    一种双重相变芯片散热装置_上海应用技术大学_202511927369.1
    本发明涉及一种双重相变芯片散热装置，包括由上至下依次布置的盖板、相变底板和芯片底板，其中，盖板上连接安装有冷却液接头，用于实现冷却液的流入和流出，芯片底板上安装有芯片核心，芯片核心与相变底板紧密贴合；相变底板容纳于盖板的内部，相变底板内设有...
    2026-03-03
  • 基于分区设计的高热流密度Chiplet均热板结构
    基于分区设计的高热流密度Chiplet均热板结构_清华大学_202511515563.9
    本发明涉及高热流电子器件冷却领域，公开了一种基于分区设计的高热流密度Chiplet均热板结构。其中，金属外壳包括上金属外壳和下金属外壳，上金属外壳和下金属外壳连接并形成有密闭空间；上金属外壳的上表面与液冷板相连，下金属外壳的下表面与电子元件...
    2026-03-03
  • 一种集成于玻璃基板的热电转换散热装置
    一种集成于玻璃基板的热电转换散热装置_井冈山大学_202511685226.4
    本发明公开了一种集成于玻璃基板的热电转换散热装置，包括芯片，还包括：玻璃基板，芯片贴合于玻璃基板的上表面；热电转换模块，热电转换模块包括电路基板和设置于电路基板的热电转换电路，热电转换电路包括将热能转换成电能的发电模块，电路基板通过具有导热...
    2026-03-03
  • 一种双面散热的共漏极模块封装结构
    一种双面散热的共漏极模块封装结构_华中科技大学_202511750744.X
    本发明公开一种双面散热的共漏极模块封装结构，属于功率半导体器件封装技术领域。该模块包括共漏极上铜层、两个漏极铜端子、两个功率芯片、两个源极铜块、两个L形源极下铜层、两个驱动栅极铜端子、两个驱动源极铜端子及键合线。两个功率芯片的漏极焊接于共漏...
    2026-03-03
  • 一种陶瓷散热载板及其制备方法和功率半导体器件
    一种陶瓷散热载板及其制备方法和功率半导体器件_珠海奕源科技有限公司_202511463075.8
    本发明涉及功率半导体器件散热技术领域，尤其涉及一种陶瓷散热载板及其制备方法和功率半导体器件。本发明的陶瓷散热载板包括：陶瓷基板；第一结合层，设置于陶瓷基板的一侧；金属电路层，设置于第一结合层上；第二结合层，设置于陶瓷基板的另一侧；金属散热层...
    2026-03-03
  • 一种新型芯片封装散热盖及其制造方法
    一种新型芯片封装散热盖及其制造方法_进迭时空(北京)科技有限公司_202511951803.X
    本发明公开了一种新型芯片封装散热盖及其制造方法，包括：散热盖本体，设于芯片封装基板上；散热盖本体包括至少两个分离设置的加固环段与散热上盖，两个加固环段之间形成用于容纳电容元件的间隙，散热上盖固定在加固环段上方并覆盖芯片上方区域，加固环段与散...
    2026-03-03
  • 一种基于新型散热结构的芯片及制作方法
    一种基于新型散热结构的芯片及制作方法_江苏巨利科技有限公司_202511739857.X
    本发明公开了一种基于新型散热结构的芯片及制作方法，包括芯片本体、集成于所述芯片本体表面的3D立体散热通道层以及覆盖于所述3D立体散热通道层外表面的微纳结构散热鳍片层；所述3D立体散热通道层由石墨烯 ‑ 碳纳米管复合导热材料制成，内部设有相互...
    2026-03-03
  • 一种基于弹热效应与微流控技术的芯片散热系统
    一种基于弹热效应与微流控技术的芯片散热系统_南京师范大学_202511730428.6
    本发明提供一种基于弹热效应与微流控技术的芯片散热系统，包括芯片散热模块、弹热制冷模块和微流体循环散热模块；芯片散热模块的S型微通道与微流体循环散热模块相连；弹热制冷模块包括采用交替循环作为工作方式的第一SMA弹热片与第二SMA弹热片，通过相...
    2026-03-03
  • 一种用于多功率器件积聚环境的散热结构
    一种用于多功率器件积聚环境的散热结构_广东力宏微电子有限公司_202511712754.4
    本发明提供一种用于多功率器件积聚环境的散热结构，涉及散热结构技术领域，包括：半导体基板，所述半导体基板上设有高功耗半导体和低功耗半导体，导热弹性复合机构，设置于所述高功耗半导体和低功耗半导体的下端，用于传递两者产生的热量并对半导体基板进行减...
    2026-03-03
  • 功率器件的近结点热控装置及方法
    功率器件的近结点热控装置及方法_电子科技大学_202511513282.X
    本发明公开了一种功率器件的近结点热控装置及方法，属于电子器件散热技术领域。该装置包括依次层叠紧固的盖板、热沉基板、回收通道层、供给与射流通道层、密封层和底板。芯片通过纳米银烧结于氮化铝陶瓷覆铜基板上表面，基板下表面制作有仿生微结构；冷却工质...
    2026-03-03
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