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最新专利技术
  • 功率器件的近结点热控装置及方法
    功率器件的近结点热控装置及方法_电子科技大学_202511513282.X
    本发明公开了一种功率器件的近结点热控装置及方法，属于电子器件散热技术领域。该装置包括依次层叠紧固的盖板、热沉基板、回收通道层、供给与射流通道层、密封层和底板。芯片通过纳米银烧结于氮化铝陶瓷覆铜基板上表面，基板下表面制作有仿生微结构；冷却工质...
    2026-03-03
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202510318446.7
    本发明提供一种电子装置，包含电子单元以及电路结构。电路结构电性连接电子单元，电路结构包含第一导电层、第一绝缘层以及第一散热件，第一绝缘层设置于第一导电层与电子单元之间，且第一散热件接触第一导电层。第一散热件的热传导系数大于第一绝缘层的热传导...
    2026-03-03
  • 集成电路散热封装结构和方法
    集成电路散热封装结构和方法_重庆长安汽车股份有限公司_202411091734.5
    本申请涉及集成电路封装技术领域，公开一种集成电路散热封装结构和方法。其中，集成电路散热封装结构包括载板、散热器和电镀键合层。载板的一侧的表面设置有阴极金属层。散热器设置于载板的一侧。散热器包括阴极金属部。阴极金属部与阴极金属层相对且间隔设置...
    2026-03-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储控股股份有限公司_202411046734.3
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的散热能力。半导体器件包括：至少一个半导体结构。半导体结构包括散热层以及至少一个散热柱。散热柱嵌设在半导体结构的内部，且沿半导体结构的厚度方向...
    2026-03-03
  • 修调电路、电子设备及存储介质
    修调电路、电子设备及存储介质_上海芯导电子科技股份有限公司_202511374985.9
    本发明提供的一种修调电路、电子设备以及存储介质，包括：第一复用芯片引脚，用于接收第一控制信号，第一控制信号为高电平或低电平；熔丝模块，熔丝模块的输入端耦接第一复用芯片引脚，并且，基于第一控制信号，熔丝模块的输出端输出第一熔丝状态信号，第一熔...
    2026-03-03
  • 包括暴露的导电层的装置以及制造该装置的方法
    包括暴露的导电层的装置以及制造该装置的方法_意法半导体国际公司_202511102645.0
    本公开涉及包括暴露的导电层的装置以及制造该装置的方法。一种电子系统包括第一装置和接合到第一装置的第二装置。第一装置包括：具有开口的半导体基板；具有金属层和导电通孔的堆叠；以及包括铝的导电层，所述导电层具有与堆叠接触的第一面和与第一面相对的、...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511779800.2
    提供一种制造半导体结构的方法。此方法包括以下步骤：提供晶圆基板。在晶圆基板上形成下导电层。在下导电层上形成阻挡层。在阻挡层上形成非晶层，其中非晶层的边缘部分比非晶层的中心部分厚。在非晶层上形成牺牲层，其中牺牲层具有朝向晶圆基板的凹形形状。在...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411096843.6
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：在第二介质层中形成有电连接器件的互连结构，且互连结构包括位于第一介质层顶部的外接互连层，外接互连层与从第二面嵌于器件的侧部的第一基底结构中的互连通孔结构相连接，并在靠近外接互连层一侧的部分高度的互...
    2026-03-03
  • 硅通孔搭接结构、显示面板和显示装置
    硅通孔搭接结构、显示面板和显示装置_安徽熙泰智能科技有限公司_202511722879.5
    本发明涉及显示器件技术领域，公开了一种硅通孔搭接结构、显示面板和显示装置，包括叠层设置的绝缘层和CMOS基底；所述绝缘层内设有阵列分布的导电单元；所述导电单元包括至少两个贯穿绝缘层的硅通孔，且硅通孔内沉积有导电介质；所述导电单元中至少两个硅...
    2026-03-03
  • 一种堆叠芯片封装方法及封装结构
    一种堆叠芯片封装方法及封装结构_南通通富微电子有限公司_202511699664.6
    本公开实施例提供一种堆叠芯片封装方法及封装结构，该方法包括：提供完成电路测试后的硅片，硅片的功能面设置有多个硅通孔，硅通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片功能面形成凹槽并将芯片背面固定于凹槽；在硅片功能面以及芯片正面形成与硅通孔电连接的第一布线...
    2026-03-03
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511614041.4
    本公开提供了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：将第一半导体结构与第二半导体结构沿第一方向堆叠排布并键合；第一半导体结构包括器件层和在第一方向上位于器件层与第二半导体结构之间的互连层；互连层至少包括第一子互连层和第二子互连...
    2026-03-03
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202511689445.X
    本发明提供了一种形成半导体结构的方法，包括提供基板，依序在基板上形成导电层、氮化层、第一碳层、硅层、介电层和遮罩层；图案化介电层和遮罩层以形成核心特征；在核心特征和硅层暴露的部分上共形形成氧化层；涂布第二碳层过填充氧化层；移除经图案化的遮罩...
    2026-03-03
  • 用于形成氧化物层的方法、系统和装置
    用于形成氧化物层的方法、系统和装置_ASMIP私人控股有限公司_202511095724.3
    一种用于在衬底上沉积氧化物的方法，包括：a)在室中提供衬底；b)首先将前体脉冲到室中，以将组分化学吸附到衬底表面上；c)将氧物质脉冲到室中，以在与组分接触时在表面上形成氧化物层，其中氧物质包括醇；以及重复一个或多个步骤b)‑c)，直到氧化物...
    2026-03-03
  • 一种IBC电池片背面绝缘胶的去除方法
    一种IBC电池片背面绝缘胶的去除方法_天合光能股份有限公司_202411085239.3
    本发明公开了一种IBC电池片背面绝缘胶的去除方法，所述去除方法包括以下步骤：(1)将背面只有绝缘胶的IBC电池片浸入质量浓度为30％～50％硝酸溶液中，在65～90℃的温度下反应，制得中间产品；(2)将步骤(1)制得的中间产品置于在500～...
    2026-03-03
  • 降低金属氮化物损伤的干法去胶设备及方法
    降低金属氮化物损伤的干法去胶设备及方法_上海稷以科技有限公司_202511688840.6
    本发明提出了一种降低金属氮化物损伤的干法去胶设备及方法，该设备包括：Grid基座，其上开设有贯穿Grid基座的若干一号进气口，二号进气口，开设于Grid基座内；若干三号进气口，其与二号进气口连通。一号进气口中通入等离子体至去胶腔体；二号进气...
    2026-03-03
  • 一种MicroLED晶圆阵列的测试装置及方法
    一种MicroLED晶圆阵列的测试装置及方法_上海铭锟半导体有限公司_202511737755.4
    本申请公开了一种MicroLED晶圆阵列的测试装置及方法，该装置包括晶圆载片台、MicroLED测试设备和测光积分球；晶圆载片台上设置有MicroLED晶圆；MicroLED晶圆上设置有MicroLED晶圆阵列；MicroLED晶圆阵列由以...
    2026-03-03
  • 一种APD外延片击穿电压测试方法
    一种APD外延片击穿电压测试方法_中科芯电半导体科技(北京)有限公司_202511686922.7
    本发明公开了一种APD外延片击穿电压测试方法，包括：(1)选择性腐蚀APD外延片，未被腐蚀的为待测外延层(上表面为P型半导体区域)，已被腐蚀后的为剩余层(上表面为N型半导体区域)；(2)在P型半导体区域点铟形成上电极，在N型半导体区域点铟形...
    2026-03-03
  • 一种测试键结构和晶圆
    一种测试键结构和晶圆_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511626021.9
    一种测试键结构和晶圆，测试键结构包括：衬底和设置于衬底上的至少一个第一测试端口、第二测试端口和至少一个测试电路；每个测试电路均包括两个并联的子电路，每个子电路均包括串联连接的单向导通元件和测试图形单元，且两个并联的子电路中的单向导通元件具有...
    2026-03-03
  • 晶圆偏移检测方法、系统、电子设备及存储介质
    晶圆偏移检测方法、系统、电子设备及存储介质_京隆科技(苏州)有限公司_202610058530.4
    本申请提供一种晶圆偏移检测方法、系统、电子设备及存储介质，本申请提供的晶圆偏移检测方法，利用测试设备对目标晶圆上的每个芯片进行测试，得到目标晶圆的晶圆图；通过计算晶圆图中每个预设边缘的边缘良率，计算晶圆图的中心与目标晶圆的中心之间的距离，并...
    2026-03-03
  • 半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法
    半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610042811.0
    本发明提供一种半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法，半导体器件测试结构包括电阻测量线、电容测量线、虚设线，所述电阻测量线和电容测量线同层设置于半导体衬底上，所述电阻测量线用于测量连接线的电阻；所述电容测量线用于测量连接线的电容...
    2026-03-03
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