Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明涉及一种齿轮齿条随动的对射支架组件,包括对射安装基板,对射安装基板的左侧和右侧分别连接有左微型滑轨和右微型滑轨,所述对射安装基板上连接有轴承固定座,轴承固定座上穿接有传动轴,传动轴上连接有微型齿轮,左微型滑轨和右微型滑轨上通过滑块分别...
  • 本发明涉及芯片贴装技术领域,尤其涉及一种基于红外加热的芯片贴装方法及系统,方法包括:根据连接材料的光吸收特性及芯片基板组合体的投射特性,生成匹配的红外辐射波长参数;通过可编程空间光调制器,生成与芯片基板连接区域几何匹配的红外照射图案;驱动红...
  • 本申请涉及一种晶圆的间隙调整装置,该间隙调整装置包括:承载环、传动杆以及驱动器所述传动杆贯穿设备腔体,上端固定连接承载晶圆的承载环;所述驱动器设于所述设备腔体的外侧,并与所述传动杆的下端机械耦合;所述驱动器用于驱动所述传动杆进行上下移动,通...
  • 本发明公开了用于多腔室的可视化盖板及冷却水控制系统。该可视化盖板包括框架和分体式盖板组件。所述框架具有中间圆形结构、多个径向加强筋、外缘以及多个镂空区域,每个镂空区域由两个相邻的径向加强筋、所述中间圆形结构的外周的一部分以及所述外缘的一部分...
  • 本发明公开了一种喷淋结构、半导体器件的工艺设备及其工艺方法。该喷淋结构包括:分气组件,位于工艺腔的进气口下方,以将工艺气体分气扩散;冷却件,设于所述分气组件中,用于将所述工艺气体冷却到目标温度,其中,所述目标温度低于所述工艺腔内的晶圆温度;...
  • 本发明公开了一种应用于离子注入机的气体输送系统,涉及离子注入设备技术领域;该气体输送系统用于向离子注入机的真空腔室输送气体,包括:高压气体输送单元、低压气体输送单元、气体吹扫单元和与真空腔室连接的总管路;本发明根据工艺气体的压力分别设置用于...
  • 本发明涉及半导体加工领域,具体涉及一种用于芯片加工的双气缸叠层防水溅CUP,包括底板、防护CUP、调节机构和气缸驱动机构;底板上固定有竖直设置的底筒,底筒内用于安装支撑台,支撑台能够绕竖直轴线转动且用于放置芯片;防护CUP与底筒同轴贴合且高...
  • 本发明涉及一种用于提高芯片与引线框架粘接质量的粘片装置,包括基座、转动架以及限位机构;基座上安装一转动架且转动架绕基座中心旋转,转动架上设置限位机构,限位机构包括固定座以及设置在固定座上侧的一对夹持爪,固定座固定设置在转动架上且固定座随转动...
  • 本发明属于半导体设备技术领域,具体地说是一种方形基板双面UV照射清洗装置,包括光源、主结构箱体、照射工艺腔体边框、基板承接升降组件、承片台、密封环、承片台升降组件、X轴移动组件、基板翻转组件。本发明使用时仅需对承片台、密封环、照射工艺腔体边...
  • 本发明提供了半导体加工用的隔热组件,涉及半导体加工技术领域,包括液体自调节导流组件,所述液体自调节导流组件设置于放置槽下方的第一换热壳内腔中,且用于减缓流经放置槽底部的液体流速,并形成涡流;其中,液体流经液体自调节导流组件的流速越大,所述组...
  • 本发明提供一种离子注入装置,在处理室内配置辐射温度计,准确地测量注入处理中的晶片的温度。离子注入装置(IM、IM2)具备:处理室(1);晶片输送机构(E),使晶片(W)在处理室(1)内遍及离子束(IB)的第一非照射区域(R1)、照射区域(R...
  • 本发明提供一种晶圆表面清洁设备,包括工作台、上料机构、机械手、除渣机构、擦拭机构、下料机构,上料机构、下料机构相对设于工作台的两侧,上料机构用于上料,下料机构用于下料,机械手用于输送晶圆,除渣机构设于工作台上,包括旋转台及相对设于旋转台两侧...
  • 本申请涉及半导体材料技术领域,具体公开了一种低氧化层的碳化硅晶片清洗工艺。该清洗工艺首先将碳化硅晶片浸入有机溶剂中进行超声清洗,随后将碳化硅晶片依次浸入臭氧水溶液、氢氟酸溶液、金属离子脱除液中进行浸洗,最后进行清洗和干燥处理,得到表面洁净且...
  • 本发明提供一种降低硅片表面损伤的清洗工艺,包括在除蜡槽中对硅片进行除蜡,除蜡槽中的除蜡溶液为含有双氧水与去蜡剂的混合溶液。本发明不仅可降低硅片表面颗粒度,确保了硅片的清洗效果,同时避免了清洗工艺造成的硅片腐蚀,有效降低了硅片表面损伤,提高了...
  • 本发明涉及的适用不同直径晶圆的双面同步清洁装置,其包括夹紧单元和清洗单元。本发明一方面基于第一、二夹轮组的配合,并在等距移动下实现对不同规格的晶圆的夹紧或松开,结构简单,能够有效提升设备的空间利用率,同时能够有效提高晶圆的装卸效率;另一方面...
  • 公开用于半导体器件的清洁浆料和制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括:使用包括研磨剂的抛光浆料对半导体器件的表面进行化学机械抛光以提供经抛光的表面;和通过供应包括软颗粒和分散介质的清洁浆料进行清洁以从经抛光的表面除去研磨剂,软颗粒具...
  • 本申请提供一种晶圆、芯片和电子设备,用于解决现有的晶圆在进行激光隐切时,所形成的热影响区会对芯片的结构造成不利影响的问题。本申请提供的晶圆包括层叠设置的第一衬底层、掺杂层和功能层。其中,第一衬底层位于功能层和掺杂层之间。本申请提供的晶圆,在...
  • 本发明提供了一种基于背面微槽与梯度退火的碳化硅衬底处理方法及碳化硅衬底,通过非均匀分布的微槽结构、在微槽结构内进行填充或者进行注入形成改性层,以及多段非线性梯度退火工艺,深度释放有害应力,并在微槽内主动诱导补偿应力,产生与翘曲应力相反的补偿...
  • 本公开提供了一种金属腐蚀方法以及系统,属于半导体技术领域。所述金属腐蚀方法包括:在金属薄膜表面形成激光诱导周期性表面结构(Laser‑Induced Periodic Surface Structures,LIPSS);在所述金属薄膜表面构...
  • 本发明提供了一种边缘腐蚀机及边缘腐蚀工艺,涉及半导体制造技术领域。该边缘腐蚀机包括机体和装设于机体上的若干个腐蚀装置、若干个冲洗装置以及转运装置;转运装置包括工装、机械轴以及晶圆驱动机构;工装包括容置框和夹板,容置框内用于沿第一中心线顺次叠...
技术分类