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最新专利技术
  • 一种碳化硅MOSFET及其制备方法和功率器件
    一种碳化硅MOSFET及其制备方法和功率器件_湖南虹安微电子有限责任公司_202511715266.9
    本发明实施例涉及一种碳化硅MOSFET及其制备方法以及功率器件，其中碳化硅MOSFET包括：N型衬底层；N型外延层，形成于N型衬底层的正面上；漏极层，形成于N型衬底层的背面上；第一P型阱区和第二P型阱区，均形成于N型外延层上，且分别位于N型...
    2026-03-05
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511748757.3
    本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件结构包括衬底、底部掺杂区、漂移区、第一掺杂区和多个相互独立的第二掺杂区，底部掺杂区位于衬底内；漂移区邻接于底部掺杂区上方；第一掺杂区与漂移区和底部掺杂区接触，第一掺...
    2026-03-05
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511748750.1
    本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、底部掺杂区、漂移区、第一掺杂区和第二掺杂区，漂移区邻接于底部掺杂区上方；第一掺杂区位于底部掺杂区及漂移区的一侧，并与漂移区和底部掺杂区接触，第一掺杂区的顶部形成有第一...
    2026-03-05
  • 一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET结构及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET结构及其制备方法_济南晶恒电子有限责任公司_202511684744.4
    本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET结构及其制备方法，属于功率半导体技术领域。该结构自下而上包括漏极区、N型衬底和N‑型漂移区。沟槽从上表面向下延伸至漂移区，其内上部设有控制栅极，侧壁设有栅氧化层；下部设有与源极连接的屏蔽栅。屏蔽栅与...
    2026-03-05
  • 一种自适应接触电阻补偿的MoS2场效应晶体管结构
    一种自适应接触电阻补偿的MoS2场效应晶体管结构_云南大学_202511651822.0
    本发明公开了一种自适应接触电阻补偿的MoS22场效应晶体管结构，涉及MoS22场效应晶体管技术领域。本发明补偿电极在反馈控制电路的精确调控下，施加优化的偏置电压，结合超薄界面修饰层对MoS22通道层能带结构的有效调制，可降低源极和漏极与Mo...
    2026-03-05
  • 平面器件及其制造方法
    平面器件及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411103674.4
    本发明公开了一种平面器件，形成于半导体衬底上，半导体衬底的顶部表面上依次形成有材料不同的第一和第二半导体外延层；在平面器件的形成区域中，第一和第二半导体外延层具有图形化结构，包括：源漏形成区域中的第一和第二半导体外延层都被去除并形成有第一沟...
    2026-03-05
  • PHEMT器件及其制备方法
    PHEMT器件及其制备方法_苏州晶歌半导体有限公司_202610046130.1
    本发明公开了一种PHEMT器件，其包括：GaAs衬底；AlGaAs下势垒层，设置于GaAs衬底上；InGaAs沟道层，层叠于AlGaAs下势垒层上；钙钛矿增强层，层叠于InGaAs沟道层上；AlGaAs上势垒层，层叠于钙钛矿增强层上；GaA...
    2026-03-05
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511741045.9
    本发明公开一种HEMT器件及其制备方法，HEMT器件包括势垒层，依次设置在势垒层上的第一帽层、第一插入层，第二帽层、栅极，所述第一帽层、第二帽层均为p‑GaN。本发明在第一p‑GaN和第二p‑GaN层之间引入插入层，结合刻蚀工艺，形成栅极时...
    2026-03-05
  • 一种GaN压力传感器制备方法及器件
    一种GaN压力传感器制备方法及器件_深圳争妍微电子有限公司_202511692684.0
    本发明公开了属于GaN压力传感器技术领域，具体为一种GaN压力传感器制备方法及器件，包括衬底，所述衬底上方设置有源极，所述源极上方设置有漏极，所述漏极与源极之间设置有栅极和沟道结构，所述沟道结构包括GaN层和AlGaN势垒层组成，所述源极由...
    2026-03-05
  • 半导体结构、半导体器件及制备方法
    半导体结构、半导体器件及制备方法_上海新微半导体有限公司_202511692067.0
    本发明提供一种半导体结构、半导体器件以及制备方法，通过优化帽层结构，在高掺杂的第一帽层上形成低掺杂的第二帽层作为保护层，第二帽层作为保护层，一方面隔离了第一帽层与工艺溶液的接触，另一方面利用其高电阻特性降低了金属边缘的界面电场，从而显著减弱...
    2026-03-05
  • 一种单栅双向导通GaN器件及其制备方法
    一种单栅双向导通GaN器件及其制备方法_智诚尚芯(安徽)半导体有限公司_202511580905.5
    本发明公开了一种单栅双向导通GaN器件及其制备方法，属于氮化镓器件技术领域，包括外延结构层，设于衬底层上，包括依次设置的缓冲层、沟道层和势垒层；p‑GaN栅，设于势垒层表面中部；结终端扩展(JTE)结构，对称式设于p‑GaN栅两侧；栅极，设...
    2026-03-05
  • 低损耗高电子迁移率晶体管射频开关
    低损耗高电子迁移率晶体管射频开关_清华大学_202511424708.4
    本发明公开了一种低损耗高电子迁移率晶体管射频开关，所述低损耗高电子迁移率晶体管射频开关包括：第一半导体层；第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层下方且与所述第一半导体层接触，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成二维电子气；...
    2026-03-05
  • 一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法
    一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法_复旦大学_202610050853.9
    本发明公开一种立体环绕栅结构的碳化硅沟槽MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在碳化硅衬底上生长碳化硅外延，注入形成P‑well区；在P‑well区上形成第一阻挡层，注入形成P+区；去除第一阻挡层，形成环绕栅沟槽阵列...
    2026-03-05
  • 屏蔽栅场效应晶体管的制作方法及屏蔽栅场效应晶体管
    屏蔽栅场效应晶体管的制作方法及屏蔽栅场效应晶体管_吉林华微电子股份有限公司_202511599494.4
    本申请提供一种屏蔽栅场效应晶体管的制作方法及屏蔽栅场效应晶体管，涉及半导体技术领域。屏蔽栅场效应晶体管的制作方法包括：提供基底，基底包括第一表面和第二表面；在第一表面形成沟槽；在沟槽内形成场氧化层、绝缘隔离层和源极多晶硅层，场氧化层暴露出至...
    2026-03-05
  • 一种金属层和ITO同层结构的薄膜晶体管的修补方法
    一种金属层和ITO同层结构的薄膜晶体管的修补方法_福建华佳彩有限公司_202511439199.2
    本发明提供一种金属层和ITO同层结构薄膜晶体管的修补方法，薄膜晶体管，自下而上依次包括：玻璃面板、M1金属层、第一绝缘层、M2金属层、第一ITO膜层、第二绝缘层、第二ITO膜层，其中M2金属层和第一ITO层同层，当达到所述第一ITO膜层制程...
    2026-03-05
  • 一种三层非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    一种三层非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法_吉林师范大学_202411404609.5
    本发明涉及一种三层非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管领域。清洗衬底，对衬底进行光刻，采用射频磁控溅射在衬底上室温制备In22O33薄膜，在In22O33薄膜上室温沉积IGZO薄膜，在IGZO薄膜上制备Ga22O33薄膜，作...
    2026-03-05
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411157938.4
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要包括先形成一通道结构于一基底上其中该通道结构包含多个第一半导体层以及多个第二半导体层交错堆叠，然后形成一通道延伸部于该通道结构旁，形成一第一栅极结构于该通道结构以及该通道延伸...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085985.2
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在形成器件隔离结构之后，进一步形成图案化掩膜层和位于器件隔离结构边界顶部的边沟，该图案化掩膜层暴露出有源区的顶面，该边沟暴露出有源区顶角，由此在形成栅氧化层使能使有源区顶角表面和中央区域顶面上的氧化速度...
    2026-03-05
  • PMOS晶体管及其制造方法
    PMOS晶体管及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085912.3
    本发明涉及一种PMOS晶体管及其制造方法。所述制造方法中，在衬底上的第一沟槽内形成栅介质层和多晶硅栅极以及侧墙，多晶硅栅极具有上宽下窄的结构，可以在满足较小的晶体管特征尺寸的同时，增加栅极上表面面积，有助于减小多晶硅栅极的接触电阻，在多晶硅...
    2026-03-05
  • PMOS晶体管及其制作方法
    PMOS晶体管及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085896.8
    本发明涉及一种PMOS晶体管及其制作方法。所述制作方法中，在衬底上形成贯穿第一介质层的第一沟槽后，在第一沟槽侧壁形成第一侧墙以及栅介质层，之后在第一沟槽内填充多晶硅材料层，并刻蚀多晶硅材料层以在第一沟槽顶部形成第二沟槽，剩余的多晶硅材料层形...
    2026-03-05
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