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  • 公开了一种非易失性存储器(NVM)位单元及其制造方法、集成电路。NVM位单元包括第一阱区和第二阱区。NVM位单元还包括在第一阱区和第二阱区之间的隔离沟槽。隔离沟槽具有大于第一阱区和第二阱区的阱深度的沟槽深度。NVM位单元还包括形成在第一阱区...
  • 本发明涉及半导体存储技术领域,提供一种电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器。该电容器的制备方法,包括:在形成有晶体管和存储节点的衬底上形成停止层和绝缘成型层后进行刻蚀,形成暴露存储节点的支柱孔;沉积第一电极层,形成填充支柱孔的绝缘...
  • 本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括:半导体层,包括第一端部、第二端部和位于第一端部和第二端部之间的中间部;在与半导体层的延伸方向相交的第一截面内,中间部的形状为环形,且中间部的外侧轮廓的尺寸小于第一端部的外...
  • 本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括:半导体层,包括一体成型的第一端部、第二端部和位于第一端部和第二端部之间的中间部;在第一截面内,中间部的形状为环形;其中,第二端部包括第一延伸部和第二延伸部;第一延伸部沿第...
  • 本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括:多个半导体柱;多个半导体柱沿第一方向和第二方向阵列排布;半导体柱沿第三方向延伸;半导体柱包括第一端部、第二端部和位于第一端部和第二端部之间的中间部;多条字线;字线沿第一方...
  • 制造半导体器件的方法可以包括:制备基底,吸附Si基生长抑制剂,以及选择性形成金属氧化物层。基底可以包括包含TiN的生长区和包含Si的非生长区。生长区和非生长区的表面可以被暴露。可以通过向基底供应Si基生长抑制剂,将Si基生长抑制剂吸附在非生...
  • 一种半导体存储器装置包括:衬底;第一半导体图案和第二半导体图案,第一半导体图案和第二半导体图案在衬底上在第一水平方向上延伸,并且彼此间隔开,第一半导体图案包括沟道区、源极区和漏极区,沟道区、源极区和漏极区在第一水平方向上布置,并且沟道区介于...
  • 一种存储器装置的制造方法,包括以下步骤:在基板中形成隔离结构以在基板中定义主动区;在隔离结构与主动区之间形成字元线结构,其中字元线结构包括字元线层及沿着字元线层的侧壁与底部且沿主动区的侧壁延伸的栅极介电层;形成覆盖字元线结构、隔离结构及主动...
  • 一种半导体结构及其制造方法,包括一衬底以及多条字线,衬底包括一阵列区、围绕阵列区的周边区以及位于阵列区与周边区之间的虚拟区。阵列区具有多个主动区,且这些主动区之间以隔离结构分隔。虚拟区具有一虚拟图案。字线嵌入于衬底中,且各条字线沿第一方向延...
  • 一种半导体器件及其制备方法、电子设备。一种半导体器件的制备方法包括在衬底上沉积第一绝缘层,并刻蚀形成多个隔断墙;交替生长半导体层和牺牲层,形成堆叠结构;基于所述堆叠结构形成存储单元。本文涉及但不限于半导体器件技术领域,尤其涉及一种半导体器件...
  • 本公开提供了一种存储器件及其制造方法,该存储器件包括:均沿第一方向以及第二方向延伸并沿第三方向排布的第一半导体主体、第二半导体主体、第三半导体主体,以及沿第三方向延伸的第一导电线;第一半导体主体以及第二半导体主体位于第三半导体主体沿第三方向...
  • 本发明公开一种静态随机存取存储器及其制作方法,其中制作半导体元件的方法主要包含先形成一栅极结构于一基底上以及一层间介电层环绕该栅极结构,然后将栅极结构转换为一金属栅极,形成一硬掩模于金属栅极上,形成一掩模层于硬掩模上其中该掩模层包含第一开口...
  • 本发明公开了一种热释电传感器的贴片式生产方法,涉及传感器制造技术领域,所述贴片式生产方法包括如下步骤:制作PCB底板,回流安装热释电调理芯片;在所述PCB底板上点涂导电胶料,固定支撑柱,烘干固化;在所述支撑柱的顶部点涂导电胶料,固定热释电晶...
  • 本发明涉及一种磁芯与PCB板自动化组装设备及组装方法,组装设备包括:载具输送模块,载具可放置已按穴位预装并点胶的E型磁芯,载具上设置有至少两个第一识别点位;PCB板输送模块,包括四轴机器人,用于抓取位于抓取位置上的PCB板并带动PCB板运动...
  • 本发明公开了一种电路元件直线点阵引脚转换成梯形点阵引脚工艺及其装置,步骤一,待转换的元器件上呈直线阵列的若干引脚沿阵列方向至少依次包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和第五引脚;步骤二,将各引脚的末端实施长度修整,使第二引脚和第四引脚...
  • 本发明提出了一种主板载具转换装置及方法,涉及主板制造技术领域,包括操作台、主输送机构、换板机构与翻转机构,操作台上设置有翻转工位与两个载具上下料工位;主输送机构包括两个输送组件,两个所述输送组件均设置在操作台上,且相向的一端对接,两个所述输...
  • 本发明公开了一种具有可控电‑磁梯度的电磁屏蔽复合膜、制备方法及其应用。本发明通过高度可控的真空辅助抽滤法制备了具有可控电‑磁双梯度结构的电磁屏蔽复合膜,其中电‑磁双梯度网络结构上层由磁性双金属氢氧化物纳米片@MXene复合物组成,该部分提供...
  • 本发明属于电子材料技术领域,具体为一种钛酸钙复合吸波材料及其制备方法。该材料的组分包括碳材料、金属粉、钛酸钙以及有机硅树脂,制备方法包括共混、球磨及聚合成型等步骤。该材料有三层结构,分别为钛酸钙树脂层、钛酸钙低碳树脂层及钛酸钙高碳树脂层。该...
  • 一种抑制电磁干扰的印刷电路板,属于印刷电路板领域,为解决装配困难且费力,过盈配合在安装时需要克服较大的摩擦力,操作人员需施加足够压力才能将屏蔽罩盖压入或卡入到位,增加了装配工时和劳动强度的问题,一种抑制电磁干扰的印刷电路板,包括有印刷电路板...
  • 本发明涉及固废资源化利用与电磁防护材料技术领域,具体地,涉及一种旁路灰吸波复合材料及其制备方法和应用。所述旁路灰吸波复合材料具有核‑壳异质结构,包括内核和包覆层;其中,所述内核为负载型复合材料,由载体和负载在载体上的磁性纳米粒子组成;所述包...
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