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最新专利技术
  • 一种晶圆级封装结构及制作方法
    一种晶圆级封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511662726.6
    本发明公开了一种晶圆级封装结构及制作方法，本发明属于半导体领域，包括：步骤一：准备晶圆；步骤二：在所述晶圆上形成第一层介质层，并对所述第一层介质层进行曝光和显影，以形成开口结构一，以将铝垫露出；步骤三：在所述第一层介质层上形成第二层介质层，...
    2026-02-15
  • 金属层图形修正方法及金属层版图
    金属层图形修正方法及金属层版图_重庆芯联微电子有限公司_202511391201.3
    本发明提供了一种金属层图形修正方法及金属层版图，属于半导体领域。该金属层图形修正方法包括提供原始版图，所述原始版图包括金属层图形；筛选所述原始版图中至少一侧同时具有凸角转角和凹角转角的金属层图形作为目标图形，将所述凸角转角和凹角转角之间的边...
    2026-02-15
  • 内连线结构及其形成方法
    内连线结构及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411191461.1
    本发明公开一种内连线结构及其形成方法。内连线结构包括基底，包括较低压器件区与较高压器件区；第一介电层，位于较低压器件区与较高压器件区里的基底上；下层内连线结构，位于较低压器件区与较高压器件区里的第一介电层中；第二介电层，位于较低压器件区与较...
    2026-02-15
  • 针对N型衬底的器件隔离环制作方法
    针对N型衬底的器件隔离环制作方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511737257.X
    本发明公开了一种针对N型衬底的器件隔离环制作方法，包括：取一带有N型外延的衬底；在所述衬底上通过注入形成P型埋层；在所述衬底上生长形成外延层；在所述外延层中注入形成与P型埋层的边缘区域相接的深P阱；在所述外延层中注入形成与深P阱相接并延伸至...
    2026-02-15
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_上海积塔半导体有限公司_202511615015.3
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：提供衬底；于掩膜层顶面形成图形化的初始光刻胶层后，基于初始光刻胶层，形成贯穿掩膜层并向阱区内延伸，且间隔排列的多个沟槽，并形成有源区；于有源区的预设器件区域顶面上形成图形化的目标光刻胶...
    2026-02-15
  • 图形化衬底、图形化复合薄膜及其制备方法、功能器件
    图形化衬底、图形化复合薄膜及其制备方法、功能器件_济南晶正电子科技有限公司_202511752774.4
    本申请提供一种图形化衬底、图形化复合薄膜及其制备方法、功能器件，所述图形化衬底包括第二衬底，所述第二衬底的材料为电子迁移率高于硅的材料；第一绝缘键合结构，所述第一绝缘键合结构包括层叠设置的绝缘层与埋氧层，所述绝缘层和所述埋氧层均为SiO22...
    2026-02-15
  • 层转移法制备SOI衬底的方法及SOI衬底
    层转移法制备SOI衬底的方法及SOI衬底_上海新傲科技股份有限公司_202511707328.1
    本发明涉及一种层转移法制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述层转移法制备SOI衬底的方法包括如下步骤：形成第一SOI结构，第一SOI结构包括依次叠置的第一晶圆、第一埋氧层和第二晶圆；于第一晶圆背离第二晶圆的表面形成第一绝缘埋层；形成第二SO...
    2026-02-15
  • 一种基于氮气保护的晶圆与基板贴装加热平台
    一种基于氮气保护的晶圆与基板贴装加热平台_常州科瑞尔科技有限公司_202511776357.3
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于氮气保护的晶圆与基板贴装加热平台，包括支撑架和设置其上的隔热板及加热台，加热台由下层的加热板和上层的导热板构成，其上表面设有真空吸口和氮气出口。隔热板与导热板内部开设有多条独立气道，分别连通真空...
    2026-02-15
  • 一种晶圆加热装置及晶圆加热机
    一种晶圆加热装置及晶圆加热机_南通晟辉微电子科技有限公司_202511732870.2
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆加热装置及晶圆加热机。该晶圆加热装置，加热盘安装于安装座，晶圆能够放置于加热盘的盘面，定位组件包括至少三个沿加热盘的中心轴线环向间隔设置的定位件，至少三个定位件围设形成用于定位晶圆的定位空间，定位空间...
    2026-02-15
  • 基板处理装置
    基板处理装置_株式会社斯库林集团_202511670917.7
    本发明提供一种基板处理装置，可在使热处理板滑动移动时避免滑动阻力过度变大。引导板(151)固定于主体框架(11)，且沿X方向延伸。第一板(153)能够相对于引导板(151)沿X方向滑动移动。第二板(155)相对于热板(20)固定，且能够相对...
    2026-02-15
  • 衬底回收方法
    衬底回收方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511401824.4
    本公开提供了一种衬底回收方法。该方法包括：通过剥离获得待回收的图形化衬底；在所述图形化衬底具有图形的一面制作覆盖层，所述覆盖层的厚度不大于所述图形的高度；对所述覆盖层和所述图形进行干法刻蚀，得到平片衬底。在剥离图形化衬底后，在图形化衬底具有...
    2026-02-15
  • 一种柔性光伏组件缺陷检测方法、系统、设备及介质
    一种柔性光伏组件缺陷检测方法、系统、设备及介质_远东绿能科技(广东)有限公司_202610047196.2
    本申请涉及光伏组件智能制造与质量检测技术领域，提供一种柔性光伏组件缺陷检测方法、系统、设备及介质，方法通过对待检测的柔性光伏组件进行组件预处理，在柔性组件进入双腔层压机前，于基板表面铺设高温布，并完成叠层预处理；对柔性光伏组件进行分区层压工...
    2026-02-15
  • 基板表面薄膜的检测方法及检测基板
    基板表面薄膜的检测方法及检测基板_上海美维科技有限公司_202511721582.7
    本发明提供一种基板表面薄膜的检测方法及检测基板，包括：待测样品包括基板、待测薄膜；确定第一保护层的第一目标沉积速率的饱和临界点的电子预设参数；电子预设参数包括电子束电压和电流的乘积；基于电子束电压和电流的乘积、电子透射深度确定电子束电压、电...
    2026-02-15
  • 一种氮化镓功率器件封装中热管理优化方法、系统、设备及介质
    一种氮化镓功率器件封装中热管理优化方法、系统、设备及介质_智诚尚芯(安徽)半导体有限公司_202511671938.0
    本发明涉及芯片封装热管理技术领域，公开了一种氮化镓功率器件封装中热管理优化方法、系统、设备及介质，方法包括：该方法在晶圆测试阶段对氮化镓芯片进行了电热耦合参数测试，获取到了初始热阻和电学性能数据，并进行了芯片分级。在封装后的老化测试阶段，会...
    2026-02-15
  • 一种用于光刻机晶圆检测的机械臂检测系统及方法
    一种用于光刻机晶圆检测的机械臂检测系统及方法_上海赐兴微电子技术有限公司_202511450918.0
    本发明公开一种用于光刻机晶圆检测的机械臂检测系统及方法，涉及半导体检测技术领域。方法通过设置明暗区，机械臂带动晶圆依次经过以实现分层检测：暗区采样目标晶圆下表面及下层晶圆上表面划痕，明区识别两者完整轮廓；结合二次暗区检测拼接图像以消除托手遮...
    2026-02-15
  • 晶圆的金属水平检测方法、装置、设备及计算机存储介质
    晶圆的金属水平检测方法、装置、设备及计算机存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511426097.7
    本公开实施例公开了一种晶圆的金属水平检测方法、装置、设备及计算机存储介质，晶圆的金属水平检测方法可以包括：根据晶圆的缺陷宽度在点扫描和面扫描中确定目标扫描方法；基于晶圆的缺陷深度确定扫描电压强度；利用目标扫描方法和扫描电压强度对晶圆的缺陷进...
    2026-02-15
  • 一种碳化硅器件离子注入的检测方法
    一种碳化硅器件离子注入的检测方法_洪启集成电路(珠海)有限公司_202511409319.4
    本发明涉及一种碳化硅器件离子注入的检测方法，属于半导体技术领域。本发明所述的碳化硅器件离子注入的检测方法，包括以下步骤：S1、表层去层处理；S2、样品制备；S3、低损伤截面研磨；S4、免镀金低压SEM成像。本发明的碳化硅器件离子注入的检测方...
    2026-02-15
  • 具有凸块的晶圆的2D和3D检测方法及装置
    具有凸块的晶圆的2D和3D检测方法及装置_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202511387935.4
    本发明公开一种具有凸块的晶圆的2D和3D检测方法及装置，包括：预先设置晶圆图像中芯片图像的芯片识别信息、芯片上的凸块位置分布信息、2D、3D算法；将晶圆上料至检测台，并采集其上晶圆的2D晶圆图像；依据芯片识别信息识别2D晶圆图像中每一个芯片...
    2026-02-15
  • 判断过宰程度的系统以及判断过宰程度的方法
    判断过宰程度的系统以及判断过宰程度的方法_南亚科技股份有限公司_202511683012.3
    一种判断过宰程度的系统，包含晶圆良率测试器、服务器以及员工装置。服务器电性连接晶圆良率测试器，并且包含测试数据库、训练数据库、过宰判断处理器以及错误通知处理器。过宰判断处理器电性连接训练数据库以及测试数据库，并且配置以根据历史过宰数据，对于...
    2026-02-15
  • 一种载流子衰减时间标准样片的制备与钝化工艺
    一种载流子衰减时间标准样片的制备与钝化工艺_中国电子技术标准化研究院((工业和信息化部电子工业标准化研究院)(工业和信息化部电子第四研究院))_202511576298.5
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，公开了一种载流子衰减时间标准样片的制备与钝化工艺，包括以下步骤：制备钝化前驱体溶液；对半导体基片进行预处理；将所述钝化前驱体溶液采用旋涂沉积的方式施加于所述半导体基片表面，形成湿膜；对所述湿膜进行低温凝胶化...
    2026-02-15
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