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最新专利技术
  • 改善配方药液颗粒物残留的系统及方法
    改善配方药液颗粒物残留的系统及方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511679176.9
    本发明提供了一种改善配方药液颗粒物残留的系统及方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过多级振荡发生器将配方药液雾化为微米级液滴，雾化为所述微米级液滴后能提高所述配方药液在颗粒物与晶圆表面的渗透性，从而进入颗粒物与晶圆表面；此外，能增大所...
    2026-02-18
  • 一种晶圆清洗方法及系统
    一种晶圆清洗方法及系统_安徽瑞纳半导体科技有限公司_202511663823.7
    本发明公开了一种晶圆清洗方法，涉及半导体领域，包括以下步骤：S1：在晶圆解键合后，将晶圆与具有吸附微孔的载盘分离；S2：在分离后的所述晶圆与所述载盘之间设置一隔离部件，所述隔离部件上设有微孔结构；S3：将设置有所述隔离部件的晶圆和载盘重新组...
    2026-02-18
  • 一种基于超临界流体的石墨烯/二硫化钼异质结转移清洁方法
    一种基于超临界流体的石墨烯/二硫化钼异质结转移清洁方法_哈尔滨工业大学_202511643358.0
    本发明公开了一种基于超临界流体的石墨烯/二硫化钼异质结转移清洁方法，属于二维材料器件制备与微纳加工技术领域。本发明方法将PMMA/石墨烯膜和MoS22的基底分别进行下述操作：用丙酮浸泡清洗至少2次，用异丙醇(IPA)冲洗两次并用氮气吹干，超...
    2026-02-18
  • 改善半导体清洗设备腔体环境的结构和方法
    改善半导体清洗设备腔体环境的结构和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511577233.2
    本发明公开了一种改善半导体清洗设备腔体环境的结构，半导体清洗设备包括多个腔体，各腔体包括多个喷嘴托盘，每一种清洗液至少包括一个喷嘴托盘。各喷嘴托盘的底部都通过对应的排液管连接到主排液管。在各排液管上都设置有单向阀，在从喷嘴托盘到主排液管的方...
    2026-02-18
  • 一种提升硅片背面去蜡能力的方法
    一种提升硅片背面去蜡能力的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511563995.7
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提升硅片背面去蜡能力的方法，包括：一、兆声协同化学预处理，蜡残留高效活化；预处理液：制备DEA‑TMAH‑UPW混合液；兆声工艺：将硅片背面朝上置于兆声槽，加热至蜡熔融临界温度区间，处理8‑15 m...
    2026-02-18
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社迪佰世_202510082563.8
    本发明涉及基板处理装置及基板处理方法，本发明包括干燥液供给单元及加热单元，干燥液供给单元能够在基板上水平往复移动，并在基板的上表面整个区域被冲洗液覆盖的状态下，通过干燥液喷射喷嘴供给干燥液以将冲洗液置换为干燥液，加热单元在下部对基板进行加热...
    2026-02-18
  • 具有碎边抑制效果的芯粒切割方法
    具有碎边抑制效果的芯粒切割方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511562015.1
    本发明提供一种具有碎边抑制效果的芯粒切割方法，通过将晶圆物理切割成多个而制备芯粒，包括：在要被切割成芯粒的晶圆的表面生成TiN膜层，旋涂水溶性液体膜层；通过在晶圆的切割道位置进行激光烧蚀而使表面的介电膜层和水溶性液体膜层都形成在切割道位置处...
    2026-02-18
  • 一种复合碳化硅衬底分片方法
    一种复合碳化硅衬底分片方法_湖南大学_202610033158.1
    本发明公开了一种复合碳化硅衬底分片方法，其包括以下步骤：1)、将单晶碳化硅晶锭与基底层结合；2)、利用激光对单晶碳化硅晶锭进行内部改质加工，在单晶碳化硅晶锭内部形成改质加工层，激光的入射表面背离所述基底层；3)、将单晶碳化硅晶锭沿着改质加工...
    2026-02-18
  • 一种沟槽形成方法和半导体器件
    一种沟槽形成方法和半导体器件_捷捷微电(南通)科技有限公司_202511711599.4
    本申请提供一种沟槽形成方法和半导体器件，涉及半导体制作技术领域，包括：在半导体层上形成掩膜图案层，掩膜图案层具有露出半导体层的窗口；在氧气氛围中，采用激光以脉冲方式照射窗口内的半导体层，以在半导体层上形成氧化区，采用湿法腐蚀氧化区以在半导体...
    2026-02-18
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品、及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品、及衬底处理装置_株式会社国际电气_202510786139.1
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序制品、及衬底处理装置。其课题在于，在设置于衬底表面的凹部内精密地形成膜。解决手段为具有：(a)向在表面具有具备由第1基底构成的底面和由第2基底构成的侧面的凹部的衬底供给成膜剂，以比形成于前述...
    2026-02-18
  • 一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备
    一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备_杭州西风半导体有限公司_202511657962.9
    本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高压电力半导体器件类台面造型批量腐蚀方法及设备，所述方法包括如下步骤：批量装夹；复合旋转腐蚀；恒温控制；动态更新腐蚀液；梯度造型控制：在芯片结终端边缘区域形成高于中心区域的腐蚀液冲刷速率，在芯片径向形成...
    2026-02-18
  • 一种半导体芯片浸蚀装置
    一种半导体芯片浸蚀装置_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202610031751.2
    本发明公开了一种半导体芯片浸蚀装置，包括浸蚀箱，和用于带动晶圆固定机构运动的驱动机构，以及位于浸蚀箱内的分层组件，所述驱动机构包括升降组件和旋转组件，所述旋转组件包括旋转座和竖杆，所述竖杆顶端贯穿旋转座，所述竖杆上设置有多个横板，所述横板上...
    2026-02-18
  • 沟槽结构的制备方法及半导体器件
    沟槽结构的制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610024021.X
    本申请提供一种沟槽结构的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：在基底形成暴露沟槽刻蚀区域的掩膜层；在沟槽刻蚀区域，对基底进行N轮次刻蚀工艺以形成沟槽，N＞1，每轮次刻蚀工艺包括：对基底进行氧化处理，得到位于沟槽刻蚀区域内的氧化层；进行至少一...
    2026-02-18
  • 半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备
    半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411053126.5
    本发明提供一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，该刻蚀方法包括：对待刻蚀膜层上的掩膜层进行图形化刻蚀，以在待刻蚀膜层上形成具有预定图形的掩膜层，预定图形包括密集区域和疏松区域；利用工艺气体去除对掩膜层的刻蚀过程中所产生的部分副产物，工艺...
    2026-02-18
  • 一种等离子刻蚀方法
    一种等离子刻蚀方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511758580.5
    本申请提供一种等离子刻蚀方法，包括：提供多层膜堆叠结构，多层膜堆叠结构从上至下依次包括第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层及硅衬底；在第一氧化层表面设置光刻胶层；将待刻蚀的多层膜堆叠结构置于等离子刻蚀设备反应腔内，分三个阶段进行刻蚀：第一阶段为...
    2026-02-18
  • 改善西格玛沟槽形貌稳定性的方法
    改善西格玛沟槽形貌稳定性的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587281.X
    本发明公开了一种改善西格玛沟槽形貌稳定性的方法，包括：形成硬质掩膜层。对硬质掩膜层进行图形化刻蚀，包括：采用第一次APC控制进行修整刻蚀，第一次APC所采用的APC模型中同时包括第一和第二影响因子，第一和第二影响因子分别为修整刻蚀的第一刻蚀...
    2026-02-18
  • 晶圆处理工艺及新型自由基刻蚀机台
    晶圆处理工艺及新型自由基刻蚀机台_上海稷以科技有限公司_202511615011.5
    本发明提出了一种晶圆处理工艺及新型自由基刻蚀机台，该工艺包括：对晶圆进行自由基刻蚀后先进行修复，再进行湿法清洗；自由基刻蚀工序和修复工序在同一机台上进行。本发明改善了自由基刻蚀后氧化硅或者氮化硅损伤及后续湿法清洗、湿法刻蚀wet etch步...
    2026-02-18
  • 离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法
    离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511765308.X
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法，离子注入工艺优化方法包括：获取当前晶圆在炉管设备中的当前位置，炉管设备中设置有多个晶圆，晶圆上形成有多晶硅层，当前晶圆为多个晶圆中在当前时刻下待进行离子...
    2026-02-18
  • 一种半导体晶圆的离子注入的方法和装置
    一种半导体晶圆的离子注入的方法和装置_青岛思锐智能科技股份有限公司_202511708564.5
    本发明提供一种半导体晶圆的离子注入的方法和装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在第一注入阶段，控制所述离子源向第一晶圆区域注入所述第一注入阶段对应的第一剂量增量的离子；在所述第一注入阶段之后的任一注入阶段，控制所述靶盘将所述半导体晶圆...
    2026-02-18
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610018146.1
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，包括提供衬底，衬底上形成有至少两个间隔分布的功能结构；在衬底及功能结构上沉积第一介质材料并平坦化，形成的第一介质层填充相邻的两个功能结构之间的间隙，第一介质层的顶面具有碟形凹陷；在功...
    2026-02-18
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