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最新专利技术
  • 一种4H-SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法
    一种4H-SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法_深圳市华南微电子有限公司_202511659873.8
    本申请提供的一种4H‑SiC MOSFET芯片及其主结区结构、制作方法，其中一种4H‑SiC MOSFET芯片的主结区结构提及，衬底上形成N‑漂移层，在N‑漂移层嵌入P阱，场氧化层设置在P阱的表面，且在P阱的范围内，场氧化层分为多个场氧化块...
    2026-02-19
  • 一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法
    一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511628162.4
    本发明公开了一种基于双铁电耦合界面的多功能逻辑器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层以及硅衬底层上的TiN/Al1‑x1‑xScxxN/ε‑Ga22O33/TiN异质结构，TiN/Al1‑x1‑xScxxN/ε‑Ga22O33/TiN异质结构...
    2026-02-19
  • 一种二维材料场效应晶体管及其制备方法
    一种二维材料场效应晶体管及其制备方法_清华大学_202610032647.5
    本发明涉及场效应晶体管器件技术领域，公开了一种二维材料场效应晶体管及其制备方法。该二维材料场效应晶体管包括层叠布置的衬底绝缘层、栅极层、栅极接触电极、垂直电场屏蔽结构、第二绝缘层及导电沟道薄膜。导电沟道薄膜远离第二绝缘层的一侧形成有第二台阶...
    2026-02-19
  • 铝氮类HEMT器件及其制备方法
    铝氮类HEMT器件及其制备方法_广东省科学院半导体研究所_202512027866.2
    本发明公开一种铝氮类HEMT器件及其制备方法，其中，铝氮类HEMT器件包括设置在铝氮类势垒层与源极和漏极之间的n型接触改善层，n型接触改善层通过在镓氮类材料中进行n型掺杂得到。由于本发明在铝氮类势垒层与源极和漏极之间设置了n型接触改善层，n...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳市鹏进高科技有限公司_202511565216.7
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，可以缓解半导体器件栅极表面漏电造成功耗大的问题。半导体器件包括衬底、异质结构、栅帽层、栅极、第一钝化层、绝缘层、第二钝化层。异质结构设置于衬底的一侧。栅帽层设置于异质...
    2026-02-19
  • 一种GaN基P型场效应晶体管及其集成方法
    一种GaN基P型场效应晶体管及其集成方法_电子科技大学_202511549368.8
    本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种GaN基P型场效应晶体管及其集成方法。该晶体管的半导体功能层从表面向底部依次包含低阻P型GaN层、高阻GaN体区、极化电场层和GaN电子收集层，其中介质槽贯穿低阻P型GaN层形成槽栅结构，介质槽由位于槽...
    2026-02-19
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511372721.X
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：沟道层、第一势垒层、第二势垒层和电极结构；第一势垒层位于所述沟道层上，第一势垒层开设有多个底部位于沟道层的凹槽，凹槽的侧壁和底部均为镁离子注入结构；第二势垒层位于多个凹槽的底部，电极结构位于...
    2026-02-19
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511305297.7
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、非晶硅层、电流扩展结构和电极结构；势垒层和非晶硅层依次层叠在沟道层上，非晶硅层开设有多个顶部位于沟道层的锥形凹槽，锥形凹槽位于势垒层的侧壁为硅离子注入结构；电流扩展结构位于锥形...
    2026-02-19
  • 一种堆叠结构的空腔的制备方法和半导体设备
    一种堆叠结构的空腔的制备方法和半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511676377.3
    本申请涉及半导体领域，公开了一种堆叠结构的空腔的制备方法和半导体设备，方法包括：准备待刻蚀堆叠结构，待刻蚀堆叠结构包括交替层叠的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括硅，第二半导体层包括锗化硅；刻蚀部分第二半导体层以形成待修饰空腔；向...
    2026-02-19
  • 一种栅极刻蚀损伤原位修复方法及GaN HEMT器件
    一种栅极刻蚀损伤原位修复方法及GaN HEMT器件_西安电子科技大学_202511657457.4
    本发明公开了一种栅极刻蚀损伤原位修复方法及GaN HEMT器件，该方法包括提供衬底，在衬底上依次形成GaN外延层、源漏电极区和钝化层；源漏电极区包括源极和漏极；在钝化层进行栅槽刻蚀，形成栅槽；刻蚀深度延伸至GaN外延层内；采用N22和O22...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法、功率器件
    半导体器件及其制备方法、功率器件_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511616965.8
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、功率器件。方法包括：提供具有元胞区和终端区的基底。于基底上形成具有间隔排布的多个第一初始掺杂结构的外延结构层，每个第一初始掺杂结构包括沿基底的厚度方向间隔排布的多个第一掺杂区。于外延结构层上形成具有第一...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法、功率器件
    半导体器件及其制备方法、功率器件_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511616908.X
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、功率器件。该制备方法包括：提供具有元胞区和终端区的基底；于基底上形成介质材料层，并图案化基底和介质材料层，以在基底内形成栅极沟槽，且保留下来的介质材料层构成第一介质层；于栅极沟槽内形成屏蔽栅结构，其中，...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511616360.9
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备。该半导体器件的制备方法包括提供具有阱区的基底，阱区的掺杂浓度为2×101515cm‑3‑3～8×101616cm‑3‑3；阱区包括有源区，有源区包括两个掺杂区和漏极区，两个掺杂区位于漏极区的两...
    2026-02-19
  • LDMOS器件的制造方法
    LDMOS器件的制造方法_杰华特微电子股份有限公司_202510032598.0
    本申请提供了一种LDMOS器件的制造方法，该制造方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层和栅极导体层；在源端区域对栅极导体层和栅氧化层进行刻蚀，形成第一注入窗口；经由第一注入窗口在衬底顶部自对准注入离子形成具有第一掺杂类型的体区注入区；对栅极导体...
    2026-02-19
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411061999.0
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有保护层；在所述保护层上形成图形化的掩膜层，所述掩膜层暴露所述保护层的部分区域；刻蚀所述掩膜层暴露的区域，去除所述掩膜层暴露的保护层和至少部分厚度的衬...
    2026-02-19
  • 半导体装置与其制造方法
    半导体装置与其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411038240.0
    一种制造半导体装置的方法包含在磊晶层上形成栅极氧化层，磊晶层包含漂移区及源极区，在栅极氧化层上形成第一含硼层，执行热工艺，使得第一含硼层中的硼往磊晶层的方向移动，以在磊晶层与栅极氧化层之间形成第二含硼层，以及在栅极氧化层上形成栅极。第二含硼...
    2026-02-19
  • 采用应力记忆技术的MOS器件及其制备方法
    采用应力记忆技术的MOS器件及其制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202411035182.6
    本发明提供一种采用应力记忆技术的MOS器件及其制备方法，该制备方法在采用SMT工艺提高NMOS器件沟道电子迁移率时，通过在半导体基底上沉积一层具有拉应力的应力膜层作为应力记忆层，且在沉积该应力膜层时不会在应力膜层中引入氢元素，所以在形成具有...
    2026-02-19
  • 改善绝缘栅双极晶体管中接触孔与沟槽套刻对准的方法
    改善绝缘栅双极晶体管中接触孔与沟槽套刻对准的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548222.1
    本发明提供一种改善绝缘栅双极晶体管中接触孔与沟槽套刻对准的方法。该方法包括：对晶圆进行热氧化处理，在晶圆背面同步形成背面氧化膜；在进行沟槽光刻步骤之前，去除部分背面氧化膜，以控制晶圆的翘曲度至预设状态；进行沟槽光刻及刻蚀以形成沟槽；在经历至...
    2026-02-19
  • 一种功率器件
    一种功率器件_物元半导体技术(青岛)有限公司_202610031155.4
    本申请提供一种功率器件，包括有源区，有源区有多个并联布置的元胞结构。单个元胞结构包括P型衬底、外延层、三个沟槽、栅氧层、多晶硅柱、N型发射区、发射极金属层和绝缘层。外延层形成于P型衬底，外延层包括N型外延层和形成于N型外延层顶部的P型体区。...
    2026-02-19
  • 半导体器件和半导体器件的制备方法
    半导体器件和半导体器件的制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511563518.0
    本申请公开了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，半导体器件包括有源层和复合栅极，有源层设置有沿第一方向延伸的沟槽；复合栅极包括沟槽栅极和水平栅极，沟槽栅极位于沟槽中，水平栅极设置在有源层的一侧，水平栅极包括互相连接的第一水平子栅和第二水平...
    2026-02-19
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