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一种基于壳聚糖忆阻器及其制备方法和逻辑运算装置
本发明涉及忆阻器技术领域,本发明提供一种基于壳聚糖忆阻器,包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、复合介质层和顶电极;所述缓冲层为PEDOT : PSS水溶液旋涂于所述衬底后经热处理形成的;所述复合介质层为氧化石墨烯水分散液与壳聚糖乙酸溶液...
有效减小铁电畴壁存储器矫顽电压的嵌入式电极结构及其制备方法
本发明属于铁电存储器技术领域,具体为有效减小铁电畴壁存储器矫顽电压的嵌入式电极结构及其制备方法。本发明采用铁电薄膜作为基本存储单元;铁电薄膜表面设有嵌入式电极凹槽,凹槽中填充电极材料;铁电薄膜下为金属或金属氧化物电极、二氧化硅/硅基或钙钛矿...
一种基于衬底调控YBCO纳米线开关电压的方法
本发明提供一种基于衬底调控YBCO纳米线开关电压的方法,属于单光子探测技术领域。该方法通过科学选取衬底材料,并在薄膜沉积前对衬底进行退火处理,再在其上制备YBCO纳米线,保证YBCO薄膜外延质量的同时降低界面热导率,延长声子逃逸时间,从而增...
基板刻蚀方法、超导电路制备方法及其装置
本发明公开了一种基板刻蚀方法、超导电路制备方法及其装置,属于量子芯片制备技术领域。该基板刻蚀方法中,在采用第一等离子对初始基板进行刻蚀后,利用第二等离子对第一基板上残留的第一等离子进行去除。上述基板刻蚀方法中,由于第二等离子与第一等离子反应...
一种低应力扰动垂直霍尔盘及电子元件
本发明实施例提供了一种低应力扰动垂直霍尔盘及电子元件,其中,低应力扰动垂直霍尔盘通过上下平行设置第一霍尔盘单元和第二霍尔盘单元,且使第一霍尔盘单元和第二霍尔盘单元上的所述有源区和所述电极重掺杂区形成的拓扑结构呈镜像对称或中心对称,使其形成具...
隧道磁阻电流传感器的封装结构和隧道磁阻电流传感器的封装结构中导热绝缘层的制备方法
本申请涉及一种隧道磁阻电流传感器的封装结构和隧道磁阻电流传感器的封装结构中导热绝缘层的制备方法,涉及传感器封装技术领域。本申请能够提高隧道磁阻电流传感器的散热能力以及环境适应性。该结构从外到内包括:抗冲击保护层、防潮密封层、导热绝缘层、微通...
一种隧道磁阻传感器制备方法
本申请涉及一种隧道磁阻传感器制备方法。所述方法包括:在衬底上外延生长水溶性牺牲层;在水溶性牺牲层上依次外延生长下电极层、势垒层和上电极层,得到位于水溶性牺牲层上的异质结;其中,下电极层和上电极层为铁磁性钙钛矿氧化物层,势垒层为绝缘性钙钛矿氧...
一种基于开孔石英板定位的磁电传感器批量制备方法
本发明公开了一种基于开孔石英板定位的磁电传感器批量制备方法,属于磁电传感器制造技术领域。本发明的批量制备方法包括以下步骤:在石英板上加工出阵列式孔槽,得到开孔石英板1;将柔性电极平铺于底板上,覆盖所述开孔石英板1,并在孔槽中填充压电材料,然...
基于复合压电薄膜的全3D打印柔性力传感器及制备方法
本发明公开了一种基于复合压电薄膜的全3D打印柔性力传感器及制备方法,包括将制备的PDA@BTO纳米颗粒加入醋酸纤维素CA粉末中,进而制备PDA@BTO/CA前驱体混合溶液;在载有下电极层的PI薄膜表面打印PDA@BTO/CA前驱体混合溶液形...
高熵钙钛矿氧化物压电层制备方法、压电薄膜制备方法及制备装置
本发明提供一种高熵钙钛矿氧化物压电层制备方法、压电薄膜制备方法及制备装置,所述高熵钙钛矿氧化物压电层制备方法包括:将基底、镧金属靶材以及铌元素掺杂的锆钛酸铅基靶材置于同一反应腔室内;在氩气与氧气混合气体氛围下对所述锆钛酸铅基靶材进行溅射,以...
具有柔性衬底的压电结构及其制备方法、制备装置
本发明提供一种具有柔性衬底的压电结构及其制备方法、制备装置,先对柔性衬底基材进行高温再结晶退火以及冷轧处理,形成由上表层超细晶层、下表层超细晶层以及位于上表层超细晶层与下表层超细晶层之间的韧化马氏体层构成的双相梯度柔性衬底,再分别在上表层超...
一种多晶n型硒化铅热电材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种多晶n型硒化铅热电材料及其制备方法和应用,所述多晶n型硒化铅热电材料的化学式为[PbSe]1‑x1‑x[Pb0.998750.99875(GaSb)0.001250.00125Se]xx;其中,0
一种前驱体溶液配置方法及钙钛矿太阳能电池制备方法
本发明公开一种前驱体溶液配置方法及钙钛矿太阳能电池制备方法,包括以下步骤:包括以下步骤:以二甲基亚砜、2‑甲基四氢呋喃和γ‑戊内酯为溶剂制备钙钛矿前驱体溶液;将钙钛矿材料加入所述溶剂,形成钙钛矿前驱体溶液。采用二甲基亚砜、2‑甲基四氢呋喃和...
钙钛矿薄膜、钙钛矿薄膜的制备方法及光伏电池
本申请提供了一种钙钛矿薄膜、钙钛矿薄膜的制备方法及光伏电池。钙钛矿薄膜的表面包括中心区域以及位于中心区域外围的边缘区域,钙钛矿薄膜具有位于边缘区域的第一褶皱结构,第一褶皱结构包括若干凸棱,凸棱在边缘区域中具有正投影,正投影的延伸方向与边缘区...
一种钙钛矿前驱液及一种反式钙钛矿太阳能电池模组的制备方法
本发明公开一种钙钛矿前驱液及一种反式钙钛矿太阳能电池模组的制备方法,该钙钛矿前驱液包含钙钛矿结构原料、添加剂以及溶剂;所述添加剂的结构如(I)所示:;其中,R11、R22、R33、R44、R55以及R66中至少三个取代基选自‑NH22、‑C...
基于协同钝化的超宽带隙钙钛矿太阳能电池前驱体及制备方法
本发明公开了一种基于协同钝化的超宽带隙钙钛矿太阳能电池前驱体及制备方法,前驱体的化学式为Cs0.20.2FA0.80.8PbIxxBr3‑x3‑x,x为0.9‑1.5, 浓度为1.4‑1.5M, 溶剂为体积比3.8‑4.2 : 1的N, N...
一种透明电极及其制备方法、应用
本申请涉及一种透明电极及其制备方法、应用,属于太阳能电池制造技术领域。方法包括在基层上通过磁控溅射制备TCO非晶层;在TCO非晶层上涂布或旋涂一层TCO纳米晶分散液,得纳米晶颗粒层;在纳米晶颗粒层上通过磁控溅射制备TCO结晶层。本申请通过透...
原位构建的钙钛矿薄膜层和钙钛矿光伏组件的制备方法
本发明属于钙钛矿光伏组件的制备技术领域,涉及一种原位构建的钙钛矿薄膜层和钙钛矿光伏组件的制备方法,原位构建的钙钛矿薄膜层的制备方法,包括如下步骤:在预先制备的钙钛矿薄膜层表面沉积一层氯化铯的甲醇溶液,浓度为6mg/mL~18mg/mL,之后...
一种基于纳米压印的超高分辨率超高像素密度量子点显示器件制造工艺
本发明公开一种基于纳米压印的超高分辨率超高像素密度量子点显示器件制造工艺,涉及光电显示领域,包括:制备纳米级凹陷图案PDMS印章;在基板背面制备矩阵式惠斯通电桥阵列,正面覆盖极性材料并与印章压合;压印保压阶段通过电桥阵列实时监测全板压力分布...
钙钛矿太阳能电池的制备方法、钙钛矿太阳能电池和叠层电池
本申请提供了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法、钙钛矿太阳能电池和叠层电池,钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括:提供基底;在基底的一侧表面上依次形成第一隧穿层、空穴传输层、钙钛矿层、界面修饰层、电子传输层、透明导电层和第一电极,其中,采用蒸镀工艺...
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