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最新专利技术
  • 磁阻式随机存取存储器电路与布局结构
    磁阻式随机存取存储器电路与布局结构_联华电子股份有限公司_202411106615.2
    本发明提出了一种磁阻式随机存取存储器电路与布局结构。其中每个存储器单元包含一第一晶体管，其具有一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，该第一栅极连接到一第一字线、一第二晶体管，其具有一第二栅极、一第二源极以及一第二漏极，该第二栅极连接到一第二...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411035246.2
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备，半导体器件，包括存储单元，存储单元包括第一栅极、铁电存储结构以及沟道结构。第一栅极沿第一方向延伸。铁电存储结构包括在第一方向上依次远离第一栅极的第二栅极、铁电介电层以及第三栅极。第二栅极在第一...
    2026-02-17
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510851592.6
    提供了一种包括高集成存储单元的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该方法可以包括：在衬底上形成第一结合电介质层，在牺牲衬底上顺序地形成模塑堆叠、阻挡层和第二结合电介质层以创建堆叠结构，翻转包括所述牺牲衬底的堆叠结构，将第一结合电介质和第二结...
    2026-02-17
  • 一种铁电氧化铪基的MFIS结构存储器件
    一种铁电氧化铪基的MFIS结构存储器件_河南师范大学_202511254581.6
    本发明公开了一种基于铁电氧化铪的金属‑铁电‑绝缘层‑半导体(MFIS)结构存储器件的优化结构及其制备方法。该器件自下而上依次包括轻掺杂的P型硅衬底、热氧化所致的超薄SiO22绝缘层、(HfO22)xx(Al22O33)1‑x1‑x(HAO)...
    2026-02-17
  • 一种存储阵列、存储器和电子设备
    一种存储阵列、存储器和电子设备_华为技术有限公司_202411038783.2
    本申请实施例提供一种存储阵列、存储器和电子设备，涉及半导体存储技术领域。该存储阵列包括：刻蚀停止层；多层绝缘层和至少一层电极层，多层绝缘层和至少一层电极层交替设置在刻蚀停止层一侧；多个第一电极，第一电极沿刻蚀停止层的厚度方向贯穿多层绝缘层和...
    2026-02-17
  • 嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法
    嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法_北京大学_202511674034.3
    本发明涉及一种嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法，涉及存储器件领域，包括一硅基CMOS逻辑电路，在硅基CMOS逻辑电路上设置有第一绝缘介质层以及水平布置的若干纳米栅铁电晶体管，相邻的纳米栅铁电晶体管之间具有一第二绝缘介质层；纳米栅铁...
    2026-02-17
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510555444.X
    一种半导体器件，包括：导电层；堆叠结构，在第一区域和第二区域中，包括在第一方向上彼此间隔开并顺序地堆叠的栅电极；第一分离区域和第二分离区域，穿透堆叠结构，在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上彼此间隔开...
    2026-02-17
  • 包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统
    包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统_美光科技公司_202511040395.2
    本申请案涉及包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统。一种微电子装置包含：第一微电子装置结构；第二微电子装置结构，其接合到所述第一微电子装置结构；及十字形接触结构，其在所述第一微电子装置结构与所述第二微电子装置结构的接合界面处。所...
    2026-02-17
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510054110.4
    本发明提供一种半导体存储装置，其能够提高动作的可靠性。实施方式的半导体存储装置具备：第1多个字线，积层于衬底的上方；第2多个字线，积层于第1多个字线的上方；选择栅极线，设置于第2多个字线的上方；中间柱(MMP)，设置于衬底的上方，沿Z方向贯...
    2026-02-17
  • 半导体器件和半导体芯片以及包括该半导体器件和半导体芯片的电子系统
    半导体器件和半导体芯片以及包括该半导体器件和半导体芯片的电子系统_三星电子株式会社_202510176924.5
    根据一些示例实施例的半导体芯片包括：衬底；多个晶体管，在衬底上，多个晶体管中的每个晶体管包括栅极结构和该栅极结构的侧表面上的间隔物，栅极结构包括栅极绝缘层、栅电极和封盖层，封盖层的至少一部分在栅电极上，并且封盖层包括绝缘材料：以及覆盖层，包...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411031055.9
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：衬底、第一电容结构、第二电容结构和导电柱组件；第一电容结构和第二电容结构，分别设置于衬底两面，第一电容结构和第二电容结构均包括：第一电极层组、介电层组和第二电极层组；第一电...
    2026-02-17
  • 高电容耦合比的3D-NAND堆叠结构及其制备方法
    高电容耦合比的3D-NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673935.0
    本发明涉及一种高电容耦合比的3D‑NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依次设置有隧穿介质层和中心沟...
    2026-02-17
  • 高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法
    高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673536.4
    本发明涉及一种高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依次设置有隧穿介质...
    2026-02-17
  • 超低压纳米浮栅3D-NAND堆叠结构及其制备方法
    超低压纳米浮栅3D-NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673275.6
    本发明涉及一种超低压纳米浮栅3D‑NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿所述堆叠结构的若干通孔，在每个所述通孔侧壁依次设置有隧...
    2026-02-17
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202512059357.8
    本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底沿第一方向堆叠形成堆叠结构，堆叠结构包括有源层；在有源层沿第二方向的至少一侧形成开口，开口贯穿堆叠结构，并暴露衬底；在...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511627096.9
    本发明提供了一种半导体器件，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用在埋入式字线结构上设置介质层，来隔离埋入式字线结构和相应的位线结构，实现避免随着半导体器件尺寸的微缩所衍生的埋入式字线结构中第一功函数材料层的第二部分与相应位线结构发生短接、...
    2026-02-17
  • 存储装置
    存储装置_株式会社半导体能源研究所_202511623121.6
    本发明提供一种新颖的存储装置。本发明的一个方式是包括多个存储单元的存储装置，一个存储单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管的源极及漏极中的一个通过节点SN电连接到第二晶体管的栅极。通过第一晶体管写入的信息保持在节点SN中。通过使用OS晶...
    2026-02-17
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511607336.9
    本发明提供了一种半导体结构，应用于半导体技术领域。在本发明中，基底的周边区和单元中的绝缘结构的形状和面积均可不同，从而达到不同的隔绝效果，避免部分绝缘结构发生剥落。
    2026-02-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511607065.7
    本发明提供了一种方法，方法包括形成延第一方向延伸且在垂直于第一方向的第二方向彼此分隔开的位元线结构，在位元线结构之间延第一方向形成沟槽，在沟槽中形成导电层，延第二方向穿过导电层和位元线结构的顶部形成隔离结构，移除导电层的顶部以形成接触件，其...
    2026-02-17
  • 具有隔离结构的半导体元件及其制造方法
    具有隔离结构的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510223781.9
    本申请公开一种具有隔离结构的半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板、多个穿基板通孔、多个绝缘片段以及多个衬层。该基板包括一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该多个穿基板通孔贯穿该基板。该多个绝缘片段的每一者包括...
    2026-02-17
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