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最新专利技术
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411002049.0
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、选择栅切线结构和第一沟道结构。选择栅切线结构位于堆叠结构在第一方向上的一侧。第一沟道结构位于选择栅切线结构在第二方向上的一侧且沿第一方向延伸并贯穿堆叠结构。第一方向...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411000935.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括堆叠结构、第一栅线隔离结构和第二栅线隔离结构，堆叠结构包括栅极层以及与栅极层同层设置的第一介质层，第一栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构，第二栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411009387.7
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于绝缘层中的第一通孔；第一晶体管，位于所述第一通孔内；所述第一晶体管包括沿远离所述第一通孔的内壁的方向依次设置在所述第一通孔的内壁上的第一外膜层、第一栅极绝缘层...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001900.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，半导体器件包括设置在衬底上的第一种子层，以及设置在所述第一种子层上的一个或多个晶体管；所述晶体管包括：设置在所述第一种子层上的半导体层，所述半导体层设置有孔洞，所述孔洞暴露所述半导体...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001602.9
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备。所述半导体器件包括基底以及位于所述基底上的至少一个晶体管；所述至少一个晶体管包括第一源漏极、第二源漏极、沟道区域以及至少一个栅极，所述沟道区域沿着垂直于所述基底所在平面的方向延伸，且所述第一源漏极和所述...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001510.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于衬底上的存储单元，所述存储单元包括晶体管；所述晶体管包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的第二半导体层、位于所述第二半导体层的侧壁上的栅...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001503.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于衬底上的至少一个存储单元，所述存储单元包括：晶体管，包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的半导体层、栅电极和支撑层；所述半导体层具有内壁...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001501.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个存储单元阵列，分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布；每个所述存储单元阵列包括位于同一层、沿平行于所述衬底的行方向和列方向间隔并阵列分布的多个存储...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001447.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括沿平行于衬底的行方向分布的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管包括第一半导体层和第一金属栅电极；第一半导体层与第一金属栅电极之间具...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001143.4
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该半导体器件的制造方法包括：在衬底的一侧依次形成第一介质层、第一导电层、第二介质层、第二导电层和第三介质层；第一过孔贯穿第三介质层、第二导电层和第二介质层，在第一过孔内沉积第一非晶半导...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411001001.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，半导体器件包括包括至少一个存储单元，所述存储单元包括设置在衬底上的第一晶体管层，以及设置在所述第一晶体管层远离所述衬底一侧的第二晶体管层；所述第一晶体管层包括设置在所述衬底上的多个下...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411000973.5
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠分布；每层包括沿平行于衬底的行方向和列方向间隔分布的多个存储单元；存储单元包括晶体管，晶体管包括半导体层、第一...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411000965.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个控制单元，分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布；每个控制单元包括位于同一层、沿平行于衬底的行方向分布的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管为P型晶...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411000920.3
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述制造方法包括：在衬底上形成沿平行于所述衬底的方向延伸的金属化物层；在所述衬底上形成沿平行于所述衬底的方向延伸并且与所述金属化物层连接的第一半导体层；在所述金属化物层上形成沿垂直于...
    2026-02-07
  • 用于形成存储器电路系统的方法
    用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510951335.X
    一种用于形成包括包含沟道材料串的存储器单元串的存储器电路系统的方法包括：形成包括竖直交替第一层级及第二层级的堆叠。至少在成品电路系统构造中，所述第一层级是导电的，且所述第二层级是绝缘的。形成延伸穿过所述第一层级及所述第二层级的沟道材料串的第...
    2026-02-07
  • 半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法
    半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510390887.8
    本公开涉及半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。半导体存储器装置包括：芯绝缘层；半导体结构，其包括在芯绝缘层的侧壁上的沟道部以及覆盖芯绝缘层的一个表面并且联接到沟道部的覆盖部；多个导电层和多个绝缘层，其围绕半导体结构的侧壁，多个导电...
    2026-02-07
  • 版图及半导体结构
    版图及半导体结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511588444.6
    本发明提供了一种版图及半导体结构，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过缩小多晶硅图形在第一方向和第二方向上的最小重复单元间距，从而在缩小现有浮栅电阻的面积的同时，工艺流程跟现有技术保持一致，且不影响有效结构单元，单位阻值偏差仅有5%，实现...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511984430.6
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底，以及位于衬底上的多个存储单元晶体管，每一存储单元晶体管包括：纳米片组，纳米片组包括多个间隔排布且沿第一方向延伸的纳米片，纳米片包括沟道区；栅极层，覆盖纳米片组的多个沟...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法、半导体工艺设备
    半导体器件及其制造方法、半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511642078.8
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法、半导体工艺设备。半导体器件的制造方法包括：提供叠层结构，叠层结构具有沟槽，沟槽的底壁为单晶硅层；在沟槽的侧壁形成牺牲侧墙，在沟槽内形成牺牲填充层；去除牺牲侧墙，保留牺牲填充...
    2026-02-07
  • 一种芯片结构及存储器
    一种芯片结构及存储器_长鑫存储技术有限公司_202511543752.7
    本公开提供了一种芯片结构，芯片结构中包括：第一存储阵列单元、第二存储阵列单元以及中间焊盘单元，中间焊盘单元位于第一存储阵列单元和第二存储阵列单元之间，中间焊盘单元包含电源焊盘和命令数据焊盘，电源焊盘包含多个第一电源焊盘，命令数据焊盘包含多个...
    2026-02-07
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