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  • 本发明公开了一种用于核燃料格架条带检测的负压吸附式通用夹具。所述用于核燃料格架条带检测的负压吸附式通用夹具包括底盘和吸附件,吸附件具有相对设于底盘上的两组,两组吸附件之间设有第一调节件,通过第一调节件调节两组吸附件之间的距离,每组吸附件包括...
  • 本公开提供一种夹固装置及包括其的电子装置。夹固装置用于夹持一注射器,且包括:一第一固定件和一第二固定件;一第一压合件和一第二压合件;以及一第一连接件和一第二连接件,该第一连接件的两端分别枢接该第一固定件和该第一压合件,且该第二连接件的两端分...
  • 一种夹持装置,用以夹持容器。夹持装置包括本体、第一结构件以及移动件。第一结构件固定于本体上。移动件设置于本体上。第一结构件与移动件用以接触容器的一部分。其中,当移动件位于第一位置时,移动件与第一结构件之间具有第一空间,当移动件位于第二位置时...
  • 本发明涉及一种长刺磨头及其生产工艺,属于磨具领域,一种长刺磨头,包括基体,所述基体上设置有多个长刺,所述长刺为圆锥形,所述长刺的尖部朝远离基体方向布置,所述长刺的伸出方向与其根部所在的基体表面垂直。本发明通过在异形的基体上设置锥形长刺,不仅...
  • 本发明涉及管道内衬氟技术领域,具体为一种基于管壁界面预处理的管道内衬氟层增强结合装置,包括支撑框架,所述支撑框架内部的前端栓接有旋转驱动架,且旋转驱动架的顶部转动接触有管道主体,所述管道主体的内部设置有预处理结构;所述预处理结构包括中空管和...
  • 本发明公开了一种钢管桩内部切割装置,包括通过悬吊机构或顶升机构沿钢管桩内竖向移动的、并沿钢管桩管壁作环形切割的切割执行机构。本发明还公开了一种钢管桩内部切割的施工方法。本发明能够从桩体内部完成环切作业,具有操作安全、定位精确、适应性强、环保...
  • 本发明关于一种CMP制程用修整器与创成、监控抛光垫孔隙的方法与制程,该修整器设有一基板、至少一片状体及一模组化研磨单元,该至少一片状体设于该基板的一侧面上,该模组化研磨单元设于该至少一片状体上,该模组化单元设有数个单体,所述单体间隔设置于该...
  • 本发明涉及轨迹校正控制技术领域,公开了一种抛光轨迹实时校正控制方法及系统,所述方法包括:采集待抛光曲面的多源数据,进行预处理,得到实时加工数据集;提取偏差分布特征,确定初始偏差向量,生成临时加工路径;获取临时加工路径的关键参数,并与待抛光曲...
  • 本发明涉及硅片精密机械设计与制造技术领域,公开了一种用于硅片抛光机的自动上下料清洗甩干设备。本发明中的一种用于硅片抛光机的自动上下料清洗甩干设备,该设备由多组单元组成,融合了晶圆装载口、专用洁净型机器人、视觉定位系统等,可实现高精度自动取、...
  • 本发明是关于一种反射率谱获取方法、终点检测方法及装置、抛光装置,其中,反射率谱获取方法包括:获取表征不同光强光源条件下光强测量值波动性的影响因素分布曲线,基于影响因素分布曲线,确定光源因素占主导时对应的临界光强值,对源光束按照预设比例β进行...
  • 本发明公布了一种双面研磨/抛光机太阳轮与内齿圈同步升降机构,属于研磨抛光机技术领域,包括主轴支撑板,主轴支撑板上设置有油缸体,油缸体内侧设置有用于安装太阳轮轴的安装腔体,太阳轮轴设置于安装腔体内;油缸体外侧设置有油缸套,油缸套上设置有齿圈托...
  • 本发明公开了一种CMP研磨垫,包括:相对的第一表面和第二表面,第一表面为研磨面且呈圆形。多个贯穿第一和第二表面监控窗口,各监控窗口均匀分布在第一圆形上,以第一圆形为中心的第一环形区域为监控窗口影响区;监控窗口使监控窗口影响区的研磨液刷洗速率...
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆减薄设备,包括:机芯组件,设置于承载面上,用于对晶圆进行减薄处理;减震组件,设置于机芯组件的底部;支撑框架组件,把合于机芯组件上;转运清洗组件,设置于支撑框架组件上,用于向机芯组件输送待处理的晶圆...
  • 本发明公开了一种光纤头研磨机,具体涉及光纤头生产领域,包括机壳,机壳内设有上下料工作台、研磨工作台、清洗工作台、清洁工作台和回收工作台,机壳内固定连接有多级置物架,上下料工作台上固定连接有放料板,上下料工作台上安装有上料传送带和下料传送带,...
  • 本发明公开一种半导体晶圆的研磨检测系统以及半导体晶圆的研磨检测方法,其中半导体晶圆的研磨检测系统包含有一研磨头,具有一马达带动该研磨头进行旋转,一保持环,固定于该研磨头的一底部,其中该保持环包含有多个凹槽,一研磨垫,位于该研磨头下方,以及一...
  • 提供了对晶片进行化学机械抛光的方法和系统。该方法包括:向通过配方样本训练的第一模型提供定义配方的配方数据;从第一模型获得第一去除量;向通过配方样本和晶片样本训练的第二模型提供定义晶片的晶片数据和配方数据;从第二模型获得第二去除量;以及基于第...
  • 本申请提供一种CMP设备的控制方法、装置、设备、介质及产品,通过确定CMP设备中的修整臂和研磨盘的控制参数,并基于控制参数通过控制修整臂的非匀速摆动与研磨盘的旋转及平移运动相耦合,从而使修整头在研磨盘上形成复杂的复合运动轨迹,确保了修整头能...
  • 本公开是关于一种晶圆膜厚测量装置、测量方法及晶圆抛光设备、抛光方法。晶圆膜厚测量装置包括光源用以提供照明源光束;光源能量调节模块用以调控源光束的光强以获取具有动态目标光强的调制光束;分束器用以对调制光束分光,生成测量光束和参考光束;柔性探头...
  • 本发明公开了一种陶瓷电阻片表面抛光设备,涉及陶瓷电阻片生产技术领域,其技术方案是:包括机架以及固定连接在机架顶部的支架,机架上固定嵌设有底壳,底壳底部内壁设有导流部;底壳内部通过轴承连接有圆环,圆环上放置有抛光箱,抛光箱底部固定嵌设有网板,...
  • 本发明提出了一种制动器支架打磨装置,包括连接在支撑底座顶部的支撑架,在支撑架内通过转轴转动连接加工筒,支撑架外壁上紧固有第二电机,转轴的一端以及第二电机的输出端上均紧固齿轮,两个齿轮啮合连接,加工筒的正下方设有与支撑底座升降连接的第四电机,...
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