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最新专利技术
  • 大功率场景用嵌入式高导热陶瓷封装基板及其制备方法
    大功率场景用嵌入式高导热陶瓷封装基板及其制备方法_苏州锐杰微科技集团有限公司_202511681043.5
    本发明属于大功率电子元器件基材技术领域，公开了一种大功率场景用嵌入式高导热陶瓷封装基板及其制备方法，陶瓷封装基板中陶瓷芯板上方和下方均设置ABF复合层；陶瓷基板内固定高导热基材；陶瓷基板上设置互联孔，陶瓷基板上表面、下表面以及互联孔内均设置...
    2026-04-25
  • 一种基于SIP工艺的新型Ka上变频模块
    一种基于SIP工艺的新型Ka上变频模块_无锡华测电子系统有限公司_202511383884.8
    本申请公开了一种基于SIP工艺的新型Ka上变频模块，属于微波系统技术领域；其中，第二基板与第一基板通过焊球垂直堆叠互联，构成三维集成结构；射频源单元用于提供本振信号；射频单元包括本振链路、中频链路以及射频链路；本振链路、中频链路、射频链路间...
    2026-04-25
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510948755.2
    本公开提供一种电子装置及其制造方法。该电子装置包括一温度敏感结构、一第一多层结构及一第二多层结构。该温度敏感结构具有一第一表面及与该第一表面相对之一第二表面。该第一多层结构安置于该温度敏感结构之该第一表面下方且经组态以响应于一第一温度变化而...
    2026-04-25
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510202959.1
    一种半导体封装件包括：基底，包括多个过孔；以及芯片堆叠件，在基底上。芯片堆叠件包括多个半导体芯片，其中，第一半导体芯片是芯片堆叠件中的所述多个半导体芯片中的最下面的半导体芯片，第一半导体芯片的芯片垫和基底的基底垫彼此接合，并且芯片垫和基底垫...
    2026-04-25
  • 一种能够双面焊接的LGA封装结构及其制作工艺
    一种能够双面焊接的LGA封装结构及其制作工艺_讯芯电子科技(中山)有限公司_202511391145.3
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种能够双面焊接的LGA封装结构及其制作工艺，本封装结构包括基板、裸芯片和塑封层，基板的中部设有装焊区，装焊区的四侧分别与其对应的基板的边缘之间形成侧部焊接区，侧部焊接区的外侧设有多个沿基板的外周间隔布置的...
    2026-04-25
  • 引线框架及芯片封装模块
    引线框架及芯片封装模块_通富微电子股份有限公司_202511714497.8
    本公开实施例提供一种引线框架及芯片封装模块，该引线框架包括框架主体和呈阵列排布于所述框架主体的多个引线单元，引线单元包括沿框架主体宽度方向相对设置的控制部和功率部；控制部包括间隔设置的第一载片台以及设置于第一载片台背离所述功率部一侧的第一内...
    2026-04-25
  • 一种TOLL引线框架装置及封装产品
    一种TOLL引线框架装置及封装产品_华羿微电子股份有限公司_202511345436.9
    本申请公开一种TOLL引线框架装置及封装产品，涉及半导体器件封装制造技术领域，能够提高封装产品的耐压和耐热性能和该封装外形的封装能力。装置包括：散热片和多个管脚；散热片的第一平面中包括第一载片区，多个管脚中包括至少一个第二载片区，第一载片区...
    2026-04-25
  • 一种智能功率模块及其制造方法
    一种智能功率模块及其制造方法_黑龙江汇芯半导体有限公司_202511390186.0
    本发明属于智能功率模块技术领域，公开了一种智能功率模块及其制造方法，智能功率模块包括基板、芯片功能层、功能模块组件和若干个智能功率模块引脚，其中功能模块组件包括金属衬底板、若干个功能元器件和若干个功能模块引脚，功能模块组件通过金属衬底板的贴...
    2026-04-25
  • 一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法
    一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法_深圳市矩阵多元科技有限公司_202511363508.2
    本发明属于半导体技术领域，提供了一种用于聚合物再分布层的铜导线制作方法。本发明先在基板表面依次沉积粘附层和Cu种子层，然后完成图形化处理，在电镀区填充铜，刻蚀除去非电镀区的粘附层和Cu种子层后，进行ALD沉积，得到含有第一无机层和第二无机层...
    2026-04-25
  • 一种晶圆表面改性处理方法和混合键合方法
    一种晶圆表面改性处理方法和混合键合方法_北京超弦存储器研究院_202410935772.8
    本发明涉及一种晶圆表面改性处理方法和混合键合方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有的晶圆表面改性处理方法存在的混合键合时退火温度高和/或键合面孔隙率高的问题。所述方法包括：(1)在晶圆表面的金属焊盘和第一介质层上形成第二介质层；(2)去掉...
    2026-04-25
  • 封装基板制造方法及封装基板
    封装基板制造方法及封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511929231.5
    本申请属于封装制造技术领域，具体公开了一种封装基板制造方法及封装基板，封装基板制造方法包括：提供支撑板，支撑板包括支撑层、载体层、第一导体层；采用激光设备在支撑板上进行烧蚀以形成环形槽，环形槽的深度贯穿第一导体层和载体层至支撑层内；在支撑板...
    2026-04-25
  • 高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法
    高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法_深圳市锦瑞新材料股份有限公司_202511909190.3
    本发明涉及倒装封装技术领域，公开了高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法。该方法通过构建耦合聚焦声场、自下而上温度梯度与电化学反应的多物理场环境，利用声流效应强化孔底传质，结合热梯度提升底部反应速率，并基于原位交流阻抗实时调控声场焦...
    2026-04-25
  • 一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法
    一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202511544747.8
    本发明公开了一种直接覆铜铝陶瓷基板台阶蚀刻的方法，涉及半导体技术领域，包括以下操作步骤：步骤1：将覆铜铝陶瓷基板进行表面预处理，再设置耐酸掩膜，得到覆铜铝陶瓷基板A；步骤2：通过菲林片对覆铜铝陶瓷基板A通过曝光、显影进行图形转移，形成所需图...
    2026-04-25
  • 一种基于硅基-空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置
    一种基于硅基-空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置_上海芯源创新中心_202511544323.1
    本发明公开了一种基于硅基‑空气背腔结构的三维硅基转接结构加工方法及装置，先在硅基衬底正面刻蚀出TSV盲槽，并在表面溅射上种子层进行盲槽电镀，待槽内镀实金属后进行机械磨平；随后完成顶层与底部金属图形化，以及硅基‑空气背腔结构的刻蚀。通过该方案...
    2026-04-25
  • 实现了多层重布线的2.5D封装制备方法及2.5D封装结构
    实现了多层重布线的2.5D封装制备方法及2.5D封装结构_北京芯力技术创新中心有限公司_202511222191.0
    本发明提供一种实现了多层重布线的2.5D封装制备方法及2.5D封装结构。该方法包括：制备由硅转接板和重布线转接板组成的复合转接板结构；在所述硅转接板上方制备用于连接计算芯片和存储芯片的重布线层和微凸点；使所述硅转接板经由在其下方制备的微凸点...
    2026-04-25
  • 封装基板及其制备方法
    封装基板及其制备方法_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202410930879.3
    本申请提出一种封装基板及其制备方法。本申请实施例的封装基板的制备方法，通过在载板上设置介电层，并在介电层上制作形成线路层，从而能减少一次压合，使得到的封装基板(三层无芯结构)的厚度减薄。本申请实施例的封装基板，介电层表面的第二线路层与介电层...
    2026-04-25
  • 高密度且应力稳定的半导体引线框架加工设备
    高密度且应力稳定的半导体引线框架加工设备_安徽盛烨电子科技有限公司_202511816118.6
    本发明公开了高密度且应力稳定的半导体引线框架加工设备，涉及半导体引线框架技术领域，包括：加工单元，所述加工单元包括底模板，所述底模板的侧部设置有夹槽，所述底模板从中心到外侧依次设置有两个阻隔槽，相邻所述阻隔槽之间设置有切割槽；模组单元，所述...
    2026-04-25
  • 一种预防半导体功率器件分层的封装方法
    一种预防半导体功率器件分层的封装方法_华羿微电子股份有限公司_202511548859.0
    本发明提供一种预防半导体功率器件分层的封装方法，涉及半导体器件封装技术领域，包括对镀银或镀镍引线框架进行清洁处理形成洁净导电表面，对洁净导电表面进行上芯处理和压焊处理形成芯片互连结构；对芯片互连结构进行电沉积处理形成树枝状纳米结构层，对树枝...
    2026-04-25
  • 半导体结构
    半导体结构_稳懋半导体股份有限公司_202511412701.0
    一种半导体结构，包括一基板、设置于前述基板的上方的一主动装置以及一被动装置。前述主动装置设置于前述基板的第一区域中，前述被动装置设置于前述基板的第二区域中。此半导体结构还包括一遮蔽结构和一保护层。前述遮蔽结构包括一阻挡层和一顶盖层，前述阻挡...
    2026-04-25
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511801356.X
    本申请公开了一种封装结构及其形成方法，其中，封装结构的形成方法，包括：提供金属载板；提供至少两个金属块，将所述金属块贴装在所述金属载板表面；提供半导体芯片，将所述半导体芯片倒装在所述金属块的顶面；在所述金属载板上形成包覆所述金属块和所述半导...
    2026-04-25
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