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最新专利技术
  • 一种实现倍增型光电探测器的方法及红外探测与显示器件
    一种实现倍增型光电探测器的方法及红外探测与显示器件_北京理工大学_202511389847.8
    本发明提供一种实现倍增型光电探测器的方法及红外探测与显示器件，使用能带工程，将合适大小的金纳米颗粒层埋藏在ZnO层中，由金纳米颗粒作为电子陷阱捕获大量光生电子，使得倍增型红外光电探测器、倍增型红外探测与显示器件获得了高增益；同时，本发明直接...
    2026-04-27
  • 一种BC背接触太阳能电池的制作方法
    一种BC背接触太阳能电池的制作方法_江苏润阳光伏科技有限公司_202511382118.X
    本发明提供了一种BC背接触太阳能电池的制作方法，包括以下步骤，S3、在硅片背面沉积钝化接触结构，钝化接触结构至少包含隧穿氧化层和本征硅层；S4、在本征硅层上，通过印刷方式分别在预定形成P型接触和N型接触的区域施加含P型掺杂源的浆料和含N型掺...
    2026-04-27
  • 一种视觉识别引导的全自动化高效装配产线
    一种视觉识别引导的全自动化高效装配产线_昆山赛阳电子材料有限公司_202511351475.X
    本发明公开了一种视觉识别引导的全自动化高效装配产线，包括主体结构、若干导送结构、若干拨动结构以及放料结构，若干所述导送结构可拆卸安置于主体结构上，若干所述拨动结构分别可拆卸安置于主体结构上，且拨动结构分别与导送结构相对，所述放料结构固定设置...
    2026-04-27
  • 一种晶硅电池激光边缘隔离设备
    一种晶硅电池激光边缘隔离设备_江苏创赢光能科技有限公司_202511322653.6
    本发明提供了一种晶硅电池激光边缘隔离设备，包括花篮；升降组件；输送组件；循环上下料组件；加工组件；中转组件包括第一L型摆臂、第二转台、第二L型摆臂；第一转台促使第一L型摆臂通过第一吸盘和第二吸盘对第一输送单元输出端上的电池片中转至加工转台上...
    2026-04-27
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_江苏润阳世纪光伏科技有限公司_202511286997.6
    本公开提供太阳能电池及其制备方法，制备方法包括：通过高密度等离子体增强化学气相沉积形成隧穿氧化层和微晶硅氧缓冲层。本公开的微晶硅氧缓冲层的存在，极大降低了隧穿氧化层与硅衬底界面处的悬挂键，降低了界面态密度，减少了复合中心。另外，通过采用高密...
    2026-04-27
  • 一种节约型电池串的制备方法
    一种节约型电池串的制备方法_北京朗银科技有限公司_202510107562.4
    本发明涉及光伏电池串制备技术领域，尤其涉及一种节约型电池串的制备方法，该方法包括：胶膜连续上料分距裁切；牵引金属导丝；移动电池片后牵引金属导丝热压；持续输送待加工电池片并连续热压成串。本发明通过将胶膜加工成膜条，并采用裁切分距处理，确保了膜...
    2026-04-27
  • 一种用于生产电池串的智能固定方法
    一种用于生产电池串的智能固定方法_北京朗银科技有限公司_202510107392.X
    本发明涉及电池串生产技术领域，特别是指一种用于生产电池串的智能固定方法。该方法包括：通过自动化上料传输，电池片依次进行背面热压和正面热压，循环此过程，实现生产目标电池串，将电池片在第一热压工位进行一次热压，热压后转移至第二热压工位，在第二热...
    2026-04-27
  • 电池片的制备方法
    电池片的制备方法_通威太阳能(金堂)有限公司_202410926242.7
    本申请提供一种电池片的制备方法，包括以下步骤：按目标电池片的尺寸对原硅片进行切割图形绘制，切割图形在原硅片上形成切割区，切割区位于目标电池片之间。将切割图形导入加工设备对原硅片进行二次切割，其中包括：通过第一次切割对切割区进行整体厚度削减；...
    2026-04-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510907412.1
    一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括一第一转换器结构、一第二转换器结构及一第一波导部分。该第一转换器结构用以调变一光学光以产生一第一经调变光。该第二转换器结构用以调变该第一经调变光以产生一第二经调变光。该第一波导部分用以使该第一经调变...
    2026-04-27
  • 半导体结构、图像传感器
    半导体结构、图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511923284.6
    本申请提供了一种半导体结构、图像传感器。半导体结构包括：衬底、光电二极管和彩色滤光元件；其中，光电二极管包括：依次层叠于像素区表面的第一光电功能层、第二光电功能层、第三光电功能层，以及形成于第一光电功能层两侧的第四光电功能层；第一光电功能层...
    2026-04-27
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511379429.0
    本申请的实施例公开了一种集成芯片及其形成方法。集成芯片包括光电探测器、传输晶体管、第一像素晶体管、电容器、第二像素晶体管和接合结构。传输晶体管的第一端子耦合到光电探测器的第一端子。第一像素晶体管位于第一半导体芯片上。第一像素晶体管的第一端子...
    2026-04-27
  • 像素单元、图像传感器、摄像装置、电子设备及交通工具
    像素单元、图像传感器、摄像装置、电子设备及交通工具_比亚迪股份有限公司_202511248067.1
    本申请实施例提供一种像素单元、图像传感器、摄像装置、电子设备及交通工具，包括第一像素区和第二像素区，第一像素区和第二像素区在衬底的深度方向分层设置，也即第一像素区和第二像素区纵向布置，则第一像素区和第二像素区不在同一个平面，使得第一像素区和...
    2026-04-27
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202411788666.8
    本申请涉及图像感测装置。公开了图像感测装置及其制造方法。在实施方式中，一种图像感测装置包括：多个像素区域和多个非像素区域；多个光电检测器，其设置在多个像素区域中；多个沟槽隔离部分，每个沟槽隔离部分在多个非像素区域中设置于多个光电检测器当中的...
    2026-04-27
  • 锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法
    锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511370439.8
    锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法，涉及红外焦平面探测器制备技术领域，包括红外焦平面芯片、硅读出电路、金属电极层、铟柱、环氧树脂胶和介质保护膜，红外焦平面芯片、硅读出电路与多根铟柱通过环氧树脂胶粘接在一起，形成焦平面阵列组件，...
    2026-04-27
  • 一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法
    一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511224811.4
    一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法，所述一种红外焦平面阵列芯片组件，铟柱均匀分布于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间，所述填充胶采用真空灌注于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间；所述背减薄抛光制备方法包括倒装互连、环氧胶填充固化、石英...
    2026-04-27
  • 基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及方法
    基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及方法_北京理工大学_202511526444.3
    公开了基于谐振腔调控光谱的胶体量子点红外探测器及其制备方法、工作方法，能够实现短波与中波红外的双波段响应和图像融合能力，实现光谱响应中心波长在1.85–3.86μm范围内的可调谐性。通过在器件结构中引入法布里–珀罗谐振腔，不仅提升了光收集效...
    2026-04-27
  • 一种用于预测密封环剥离缺陷的方法
    一种用于预测密封环剥离缺陷的方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511894676.4
    一种用于预测密封环剥离缺陷的方法，该方法包括：提供已完成前段工艺且形成有密封环的晶圆；对所述晶圆进行至少一次退火处理，并在每次所述退火处理后对所述密封环执行缺陷检测；基于所述缺陷检测的检测结果评估所述晶圆在后续背照式工艺中发生密封环剥离缺陷...
    2026-04-27
  • 一种像素单元、像素阵列及其探测系统
    一种像素单元、像素阵列及其探测系统_西安交通大学医学院第一附属医院_202511459208.4
    本发明公开了一种像素单元、像素阵列及其探测系统，属于半导体技术领域通过大面积的第二SPAD器件确保对弱光信号的高灵敏度捕捉，同时通过小面积的第一SPAD器件应对强光场景，避免信号饱和，最终通过两者的计数结果协同，实现对不同光强场景下被摄体强...
    2026-04-27
  • 硅通孔的无掩膜刻蚀方法
    硅通孔的无掩膜刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406365.9
    本发明提供一种硅通孔的无掩膜刻蚀方法。该方法包括：采用第一连续射频波等离子体刻蚀工艺对第一介质层进行刻蚀；采用脉冲等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行刻蚀；以及采用第二连续射频波等离子体刻蚀工艺对第二介质层进行进一步刻蚀。其中，脉冲等离子体刻蚀...
    2026-04-27
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511364977.6
    在一些实施例中，本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括具有器件区域的衬底，器件区域具有一个或多个半导体器件。衬底具有沿器件区域的相对侧在衬底内形成一个或多个沟槽的一个或多个内表面。多层膜堆叠件沿衬底的一个或多个内表面设置。芯材料布置在一个或...
    2026-04-27
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