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最新专利技术
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511923252.6
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构和侧墙结构，所述侧墙结构位于所述栅极结构的两侧，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；对所述源漏区进行湿法预刻蚀，形...
    2026-04-28
  • 具有金属栅极的半导体器件及其形成方法
    具有金属栅极的半导体器件及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511893346.3
    本发明提供一种具有金属栅极的半导体器件及其形成方法，伪栅结构具有大于目标关键尺寸的第一关键尺寸；氧化伪栅结构的两侧侧壁形成氧化层，一侧氧化层的第二关键尺寸为第一关键尺寸与目标关键尺寸之差的一半；氮化伪栅结构的侧壁的氧化层形成氮氧化层，氮氧化...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511588007.4
    本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法中，形成具有不同横截面面积的栅极凹槽，在横截面面积较小的第一栅极凹槽中形成较低沉积温度的第一金属层，在横截面面积较大的第二栅极凹槽中先形成第一金属层，再形成较高沉积温度的第二金属层，第二金属...
    2026-04-28
  • 一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法
    一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法_中晶新源(上海)半导体有限公司_202511533883.7
    本发明公开了一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件，包括MOS外延层、MOS沟槽栅、体区、源区、隔离层和接触孔；接触孔包括SBR结构区和金属柱；SBR结构区包括底部介质层、SBR金属栅极和SBR栅介质层；体区通过体接触区与金属柱形成欧姆接...
    2026-04-28
  • 一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法
    一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法_中晶新源(上海)半导体有限公司_202511533878.6
    本发明公开了一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件，包括MOS外延层、MOS沟槽栅、体区、源区、隔离层、接触孔和接触岛区；接触孔包括SBR结构区和金属柱；SBR结构区包括SBR外延层和SBR栅介质层；体区通过体接触区与金属柱形成欧姆接触，...
    2026-04-28
  • 一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法
    一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法_北京瑞迪时空信息技术有限公司_202511492906.4
    本发明提供一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法，涉及集成电路制造工艺技术领域，所述方法包括：在P型硅衬底上外延生长III‑Ⅴ族化合物层形成高迁移率沟道，同步在射频与数字电路交界区刻蚀1.5微米深槽隔离沟槽并构建双阱结构，输出总噪声隔离值≥...
    2026-04-28
  • BCD工艺中制备CFP场板的方法
    BCD工艺中制备CFP场板的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511414963.0
    本发明公开了一种BCD工艺中制备CFP场板的方法，包含：步骤一，在半导体衬底上形成多个浅槽隔离结构以隔离出LDMOS区以及逻辑区；在所述半导体衬底中形成阱区、漂移区，形成LDMOS区以及逻辑区的栅极结构，然后淀积一层侧墙介质层；步骤二，以光...
    2026-04-28
  • 一种离子注入方法
    一种离子注入方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406443.5
    本申请公开了一种离子注入方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在位于所述NMOS区域的衬底上形成光阻层，使得所述PMOS区域露出；以所述光阻层为掩膜，进行源漏区离子注入工艺，以在所述衬底中形成PMOS器件的源区和漏...
    2026-04-28
  • 一种半导体结构、形成方法及相关器件
    一种半导体结构、形成方法及相关器件_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410925807.X
    本申请实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件，其中，所述方法，包括：提供包括衬底和形成在所述衬底上的第一氧化层的基底；在所述基底上形成多个相互间隔的隔离沟槽，以隔离沟槽间的基底为隔离基底；在隔离沟槽中形成包括形成在沟槽侧壁和底部的第...
    2026-04-28
  • 形成半导体结构的方法、以及半导体器件
    形成半导体结构的方法、以及半导体器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401231.8
    一种方法，包括：在衬底上方形成下部源极/漏极区；在下部源极/漏极区的旁边形成栅极堆叠件；在下部源极/漏极区上方形成上部源极/漏极区；实施背面薄化工艺，以薄化衬底并且暴露出牺牲区；去除牺牲区以暴露出下部源极/漏极区；以及形成背面接触插塞以电连...
    2026-04-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401214.4
    本公开提供了半导体结构及其形成方法，该方法包括：在衬底上方形成包括第一和第二半导体层的堆叠件，其中第一和第二半导体层具有不同组成且彼此交替；图案化堆叠件以形成有源区域；形成围绕有源区域的隔离结构；在隔离结构上形成硬掩模；在堆叠件上方形成伪栅...
    2026-04-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401203.6
    方法包括：形成包括衬底上方的下部多层堆叠件、下部多层堆叠件上方的介电蚀刻停止层和介电蚀刻停止层上方的上部多层堆叠件的多层堆叠件。方法还包括：蚀刻多层堆叠件以形成对准标记沟槽；对上部多层堆叠件实施第一蚀刻工艺以形成上部多层堆叠件部分；以及基于...
    2026-04-28
  • 形成半导体器件的方法、以及半导体结构
    形成半导体器件的方法、以及半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511394638.2
    一种方法包括形成互补场效应晶体管，包括形成下源极/漏极区域，以及在下源极/漏极区域上方形成上源极/漏极区域。执行蚀刻工艺以蚀刻穿过上源极/漏极区域并形成接触开口。蚀刻工艺停止于下源极/漏极区域的顶面上。该方法还包括：在接触开口中形成介电接触...
    2026-04-28
  • 一种芯片封装方法及封装结构
    一种芯片封装方法及封装结构_南通通富科技有限公司_202511516627.7
    本公开实施例提供一种芯片封装方法及封装结构，方法包括：形成桥接芯片，桥接芯片的有源面设置有可研磨芯片粘结膜；提供载板并在载板上形成塑封料导电柱；通过可研磨芯片粘结膜将桥接芯片粘贴固定于载板；在载板上形成第一塑封层并对其第一表面进行研磨减薄以...
    2026-04-28
  • 非对称传输线功率组合器
    非对称传输线功率组合器_德州仪器公司_202510850995.9
    本专利申请涉及非对称传输线功率组合器。本文中所描述的实例装置包含第一焊盘(140A)、第二焊盘(140H)和包含配置成耦合到监控电路系统(125)的第一端(155)的传输线(135)，其中所述传输线(135)包含第二端(150)。所述实例装...
    2026-04-28
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410888121.8
    本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，该IGBT器件包括半导体层、第一和二沟槽、栅介质层、栅导电层、发射区、层间介质层、接触孔、接触区、集电区及各电极，其中，半导体层包括层叠的衬底及基区；第一沟槽贯穿基区；栅介质层和栅导电层填充第一沟槽；...
    2026-04-28
  • α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法
    α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法_厦门大学_202511922973.5
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法。本发明将前驱体分散于有机溶剂中，得到前驱体溶液，前驱体含有钼元素和硫元素；将前驱体溶液涂覆于衬底表面，得到带有前驱体湿膜的衬底；将带有前驱体...
    2026-04-28
  • 基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法
    基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法_西安电子科技大学_202511657459.3
    本发明公开了一种基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法，包括：衬底，以及位于衬底上的GaN基外延结构；源电极和漏电极，位于器件两端欧姆接触区域的GaN基外延结构上；隔离区域，位于器件两端；其中，隔离区域通过对器件两端的...
    2026-04-28
  • 一种无需转移的可控层数石墨炔硅晶圆及其原位制备方法和应用
    一种无需转移的可控层数石墨炔硅晶圆及其原位制备方法和应用_北京大学_202511465374.5
    本发明公开了一种无需转移的可控层数石墨炔晶圆及其原位制备方法，属于碳材料合成技术领域。在超临界反应装置中，将用于生长石墨炔薄膜的硅片基底塞入对折的过渡金属片中，硅片光滑面朝下，与过渡金属片自然贴合；放入盛放配位剂溶液的容器，然后通入超临界二...
    2026-04-28
  • 降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法
    降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法_芯派科技股份有限公司_202511473618.4
    本发明提供降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法，包括衬底、电荷节流层、N+区和氧化层；电荷节流层、N+区和氧化层自下往上依次生长在衬底上；电荷节流层、N+区均为掺杂区，且N+区的掺杂浓度大于电荷节流层的掺杂浓度。在高压双极型半导...
    2026-04-28
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