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最新专利技术
  • 一种基于树脂框架的高密度封装方法
    一种基于树脂框架的高密度封装方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511390598.4
    本发明公开一种基于树脂框架的高密度封装方法，属于半导体封装领域。提供树脂基材，在树脂基材中形成圆形通孔，在圆形通孔中填充金属形成垂直金属柱；在树脂基材中形成开槽区域得到树脂框架；将树脂框架贴装至载片上，载片带有可剥离薄膜；将芯片贴装至树脂框...
    2026-01-21
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511306191.9
    方法包括：提供包括导电路径的中介层结构；在中介层结构上方形成连接至导电路径的微凸块；将第一管芯和第二管芯接合至微凸块上；在第一管芯和第二管芯上方和周围形成模塑料；实施平坦化工艺以暴露第二管芯的顶面；在模塑料中形成沟槽以暴露第一管芯的顶面；在...
    2026-01-21
  • 一种超微型芯片去层方法
    一种超微型芯片去层方法_北京亦庄季峰检测技术有限公司_202511257368.0
    本申请涉及芯片技术领域，提供了一种超微型芯片去层方法。该方法包括：将超微型芯片的衬底层固定在芯片去层装置的芯片放置区域中；对超微型芯片进行表面处理，以去除超微型芯片的钝化层以及中间层的第N金属组件的第2N阻挡层和第N金属层；使用研磨工具对中...
    2026-01-21
  • 磁控塑封方法及磁控塑封装置
    磁控塑封方法及磁控塑封装置_长电科技(宿迁)有限公司_202511142883.4
    本发明涉及一种磁控塑封方法及磁控塑封装置。所述磁控塑封方法包括如下步骤：放置具有导电连接线的待塑封结构至塑封模腔内；传输液态塑封料至所述塑封模腔内，形成塑封模流，并向所述塑封模腔内施加引流磁场和抑制磁场，所述引流磁场引导所述塑封模流沿所述塑...
    2026-01-21
  • 一种金属焊盘的形成方法
    一种金属焊盘的形成方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511482435.9
    本申请公开了一种金属焊盘的形成方法，其包括：提供待形成金属焊盘的半导体结构，在半导体结构上形成牺牲层；在牺牲层上形成具有第一开口的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜刻蚀牺牲层，以在牺牲层中形成第二开口，其中，第二开口的面积大于第一开口的面积，第一开...
    2026-01-21
  • 共源共栅半导体器件及其制造方法
    共源共栅半导体器件及其制造方法_安世有限公司_202511443704.0
    本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相...
    2026-01-21
  • 一种避免超小间距自动键合干涉的方法及装置
    一种避免超小间距自动键合干涉的方法及装置_中国电子科技集团公司第十研究所_202511328316.8
    本发明公开了一种避免超小间距自动键合干涉的方法及装置，涉及电子装备制造技术领域。本发明通过非对称劈刀结构、强化学习路径优化及高频微位移线夹设计，解决了深腔碰撞、金丝干扰及热定位偏差等问题，显著提升了电子装备小型化键合的精度与可靠性。
    2026-01-21
  • 一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法
    一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法_西安电子科技大学_202511347798.1
    本发明公开了一种基于2.5D封装的三路SiC并联功率模块及其制备方法，属于SiC功率模块均流技术领域。制备方法包括：准备PCB板、SiC芯片等组件；焊接DBC基板与AlN散热基板；将多个SiC芯片并联焊接于DBC基板；通过Matlab结合自...
    2026-01-21
  • 一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法
    一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法_成都芯智星河科技有限公司_202511583024.9
    本发明涉及微系统封装技术领域，具体而言，涉及一种基板堆叠封装的信号垂直互联结构及装配方法，主要包括第一基板和第二基板，第一基板与第二基板之间垂直设置有连接单元，连接单元的一端与所述第一基板上表面的电极连接，另一端与第二基板的上表面的电极连接...
    2026-01-21
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511471484.2
    半导体装置具备：半导体芯片，具有形成元件的半导体衬底、形成在半导体衬底的一面的第1主电极及形成在半导体衬底的背面的第2主电极；第1散热部件及第2散热部件，第1散热部件配置在一面侧，与第1主电极连接，第2散热部件配置在背面侧，与第2主电极连接...
    2026-01-21
  • 包括贯通电极的半导体芯片
    包括贯通电极的半导体芯片_爱思开海力士有限公司_202511511576.9
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时...
    2026-01-21
  • 一种自动化锡球植球设备
    一种自动化锡球植球设备_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488775.2
    本发明公开了一种自动化锡球植球设备，用于解决现有锡球植球设备无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明的上基座与下基座之间设置有衔接板；上基座设置有进料通道、真空通道、通气通道；下基座设置有喷嘴以...
    2026-01-21
  • 一种自动化锡球植球设备
    一种自动化锡球植球设备_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488773.3
    本发明公开了一种自动化锡球植球设备，用于解决现有锡球植球设备无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明中的送料通道的进料端与进料通道相连通，送料通道的出料端与第一出料通道相连通；上基座设置第一控制...
    2026-01-21
  • 一种锡球植球装置
    一种锡球植球装置_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488767.8
    本发明公开了一种锡球植球装置，用于解决现有锡球植球装置无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明中的送料通道的进料端与进料通道相连通，送料通道的出料端与出料通道相连通；上基座设置第一控制阀与第二控...
    2026-01-21
  • 一种锡球植球装置
    一种锡球植球装置_广东鸿骐芯智能装备有限公司_202511488765.9
    本发明公开了一种锡球植球装置，用于解决现有锡球植球装置无法满足不同类型电子元件锡球植球需求而导致生产成本增加、植球效率低下的技术问题。本发明中的上基座设置有进料通道、真空通道、通气通道；下基座设置有喷嘴以及与喷嘴连通的出料通道；衔接板设置有...
    2026-01-21
  • 使用VFM和TCB形成互连结构的半导体器件和方法
    使用VFM和TCB形成互连结构的半导体器件和方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510887996.0
    一种半导体器件具有第一衬底和第二衬底或互连衬底，其中结合热量和/或压力，使用VFM信号在第一衬底和第二衬底或互连衬底之间形成互连结构。互连结构可以是凸块或具有导电柱的凸块。设置在第一和第二衬底附近的微波源生成VFM信号。在使用VFM信号的同...
    2026-01-21
  • 芯片封装方法
    芯片封装方法_广东大普通信技术股份有限公司_202511658770.X
    本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种芯片封装方法，包括提供一基板结构和一第二芯片，基板结构包括基座和设置于基座的第一芯片，第一芯片上设置第一焊盘；在第二芯片制备第二焊盘，第二焊盘的材质为锡；在第一芯片上设置阻焊层，阻焊层设置开窗结构，开...
    2026-01-21
  • 一种塑封功率模块的封装结构
    一种塑封功率模块的封装结构_常州芯动能半导体有限公司_202511364872.0
    本发明公开了一种塑封功率模块的封装结构，包括散热底板、绝缘基板、芯片、信号控制组件以及用于包覆绝缘基板、芯片和底座塑封体，散热底板上设有焊接面，绝缘基板一面与焊接面焊接另一面设导电图案层，信号控制组件包括底座和插针，芯片和底座设于导电图案层...
    2026-01-21
  • 一种电子元器件及其制作方法
    一种电子元器件及其制作方法_强一半导体(苏州)股份有限公司_202511455100.8
    本发明公开一种电子元器件及其制作方法，包括器件基板以及覆在所述的器件基板表面的绝缘层，所述的绝缘层包括生长在所述的器件基板的表层的氧化硅层以及在所述的氧化硅层表面形成的富氮的氧氮化硅层。该电子元器件的制作方法，包括绝缘层生成步骤：在器件基板...
    2026-01-21
  • 半导体封装结构
    半导体封装结构_达发科技股份有限公司_202411378657.1
    一种半导体封装结构。半导体封装结构包括半导体晶粒、封装基底以及至少一接线。封装基底包括围堰(dam)结构，以定义出放置半导体晶粒的空间。接线电性连接于半导体晶粒与封装基底之间。
    2026-01-21
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