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最新专利技术
  • 一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件
    一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511324277.4
    本发明提供一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件，该自对准多重图形的形成方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括自下而上依次设置的层叠结构、图形化的第一芯轴层和图形化的第一掩膜层；在层叠结构上进行沉积，形成第一侧壁层；在第一侧壁层的底部进...
    2026-01-23
  • 一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件
    一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511324263.2
    本发明提供一种自对准多重图形的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供半导体器件：半导体器件包括自下而上依次设置的层叠结构、图形化的第一芯轴层和图形化的第一掩膜层，其中，图形化的第一芯轴层的侧壁面以及图形化的第一掩膜层的侧壁面和顶表面沉积...
    2026-01-23
  • 一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法
    一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511178826.1
    本发明涉及一种半导体器件的刻蚀后表面处理方法，包括：提供半导体器件：半导体器件具有沟槽；预处理：在惰性气体和活性气体气氛下，去除沟槽内的聚合物，修复沟槽的内壁面的化学键缺陷，形成含硅化合物层；等离子体刻蚀处理：在氟基气体和惰性气体气氛下，刻...
    2026-01-23
  • 平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法
    平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511393708.2
    本发明提供一种平整三五族化合物材料层表面的方法及外延生长方法，通过交替性引入氢气及保护气体，并进行周期性使用，在每个周期中先引入氢气进行刻蚀，氢刻蚀后的材料表面具备富第一三五族化合物材料层中的三族元素金属的特性，后续引入的保护气体，将该些三...
    2026-01-23
  • 一种有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法
    一种有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202511471688.6
    本发明公开了有环形边缘支撑结构的超薄半导体减薄方法，包括：将完成功能结构制作的半导体基片放置在载片上与其结合；半导体基片包括依次层叠的衬底、腐蚀阻挡层、半导体层，半导体层包括缓冲层和器件层；缓冲层用于防止器件层在衬底减薄去除前后功函数变化影...
    2026-01-23
  • 一种台阶结构的表面图形化方法
    一种台阶结构的表面图形化方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511376764.5
    本申请提供了一种台阶结构的表面图形化方法，属于微电子器件技术领域。该方法包括：提供具有台阶结构的衬底；在衬底上依次形成填充层、牺牲层和光刻胶层，得到复合衬底；对光刻胶层进行光刻处理形成光刻图形，并以该图形为掩膜，对牺牲层进行第一刻蚀处理；在...
    2026-01-23
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511498360.3
    本申请涉及一种半导体工艺设备，可用于紫外光处理工艺。该半导体工艺设备，包括：主体，具有窗口以及工艺腔，所述工艺腔用于容置晶圆支撑结构；透光片，置于所述窗口处与所述主体相连，用于密封所述工艺腔；进气结构，用于向所述工艺腔内输送气体，进气结构包...
    2026-01-23
  • 一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法
    一种二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法_华中科技大学_202511817441.5
    本发明属于半导体材料领域，公开了一种基于功率密度降低的二维半导体硫化物低损伤等离子掺杂方法。该方法包括：将二维半导体硫化物样本置于反应腔室内，并对反应腔室进行抽真空处理；向反应腔室内通入掺杂气体直至反应腔室内的掺杂气体浓度达到目标气体浓度；...
    2026-01-23
  • 晶圆的加工方法
    晶圆的加工方法_南亚科技股份有限公司_202411291495.8
    提供了一种晶圆的加工方法。此方法包括：提供晶圆，其中晶圆具有第一区域以及第二区域，且第二区域介于晶圆的边缘以及第一区域之间；沉积第一金属层于晶圆上；沉积盖层于第一金属层上；设置介电层于盖层上，其中介电层覆盖第一金属层的侧壁以及盖层的侧壁；对...
    2026-01-23
  • 一种螺旋位错驱动纳米管外延自卷曲直接生长的方法
    一种螺旋位错驱动纳米管外延自卷曲直接生长的方法_西北工业大学_202511474350.6
    本发明提供了一种螺旋位错驱动纳米管外延自卷曲直接生长的方法，该方法以过渡金属氧化物和硫族元素源为前驱体，初始阶段先使得一部分硫族元素源和过渡金属氧化物反应并形成螺旋‑位错的二维层状结构，然后再让继续让剩余硫族元素源和过渡金属氧化物反应并驱动...
    2026-01-23
  • 基于范德华外延制备的半极性面GaN薄膜及半导体器件
    基于范德华外延制备的半极性面GaN薄膜及半导体器件_苏州大学_202511408311.6
    本发明公开了一种基于范德华外延制备的半极性面GaN薄膜及半导体器件，其中半极性面GaN薄膜为基于范德华外延通过如下步骤制备得到：准备半极性(11‑22)面氮化铝作为衬底；制备氮掺杂石墨烯层；所述氮掺杂石墨烯层为单层石墨烯将所述氮掺杂石墨烯层...
    2026-01-23
  • 在蓝宝石衬底上外延生长Ga2O3单晶薄膜的方法及外延结构
    在蓝宝石衬底上外延生长Ga2O3单晶薄膜的方法及外延结构_湖北九峰山实验室_202511284512.X
    本发明提供了一种在蓝宝石衬底上外延生长Ga22O33单晶薄膜的方法及外延结构，在蓝宝石衬底上外延生长Ga22O33单晶薄膜的方法包括以下步骤：S1、对蓝宝石衬底表面进行Al离子注入处理；S2、对所述蓝宝石衬底表面进行温度梯度原位氧化处理，形...
    2026-01-23
  • 半导体外延层的制造方法
    半导体外延层的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202410867368.1
    本发明公开了一种半导体外延层的制造方法，包括：在半导体衬底中进行掺杂形成阱区，半导体衬底的顶部表面的第一缺陷包括由阱区的杂质导致的晶格失配缺陷。执行一次以上的循环步骤形成过渡层，循环步骤包括：进行第一界面修复工艺以修复前层表面暴露的缺陷。进...
    2026-01-23
  • 氧化硅上制备碳化硅的方法
    氧化硅上制备碳化硅的方法_湖北九峰山实验室_202511323594.4
    本发明提供了一种氧化硅上制备碳化硅的方法，包括以下步骤：S1、在衬底上沉积氧化硅层；S2、在所述氧化硅层上沉积AlN缓冲层；S3、在所述AlN缓冲层上外延生长碳化硅层。本发明SiO22/AlN/SiC分层结构从晶格匹配、热匹配与表面化学活性...
    2026-01-23
  • 半导体结构及其键合方法
    半导体结构及其键合方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511862533.5
    本发明涉及一种半导体结构及其键合方法，涉及半导体技术领域。其首先提供两个基底，该基底包括凹槽以及位于凹槽内的导电层，在垂直于基底的方向上，导电层的高度要小于凹槽高度，导电层上设置有复合材料层，该复合材料是在凹槽内的导电层上定向原位合成的，可...
    2026-01-23
  • 半导体电容器及其形成方法
    半导体电容器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411313204.0
    本发明提供一种半导体电容器。此半导体电容器包含有第一导电层、第二导电层以及介电层。介电层位于第一导电层以及第二导电层之间，且第一导电层及/或第二导电层通过等离子体处理，以去除不纯物，并将不纯物置换为氮原子，以改善漏电流以及电阻率。此外，一种...
    2026-01-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410895633.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括多个电容区，基底上形成有第一介电层，电容区的第一介电层中形成有凹槽；自下而上依次堆叠的多层电极层，位于电容区的第一介电层上，其中，位于最底层的电极层覆盖凹槽的侧壁和底面、以及第一介电层的部分顶...
    2026-01-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410895608.9
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括第一电容区和第二电容区，基底上形成有下层介电层，第一电容区的下层介电层中形成有第一凹槽，第二电容区的下层介电层中形成有第二凹槽，第二凹槽的开口尺寸大于第一凹槽的开口尺寸；第一电极层，覆盖第一凹...
    2026-01-23
  • 一种基于非晶ITZO的高线性光电子突触器件及制备方法和应用
    一种基于非晶ITZO的高线性光电子突触器件及制备方法和应用_天津理工大学_202511315175.6
    本发明公开一种基于非晶ITZO的高线性光电子突触器件及制备方法和应用，器件从下到上依次包括“衬底‑光电忆阻层‑电极”的对称两端结构，非晶ITZO通过溶胶‑凝胶旋涂工艺制备，通过调控非晶ITZO中金属阳离子In、Sn和Zn的比例改变氧空位浓度...
    2026-01-23
  • 选通器的制造方法和选通器
    选通器的制造方法和选通器_昕原半导体(上海)有限公司_202410905254.1
    本发明公开了一种选通器的制造方法和选通器，选通器的制造方法包括：在污染金属层上沉积第一金属硬掩模层；在第一金属硬掩模层上沉积第二金属硬掩模层；在第二金属硬掩模层上沉积第二电极层；通过第一刻蚀工艺刻蚀第二电极层和第二金属硬掩模层，并且停留在第...
    2026-01-23
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