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最新专利技术
  • 选通器的制造方法和选通器
    选通器的制造方法和选通器_昕原半导体(上海)有限公司_202410905254.1
    本发明公开了一种选通器的制造方法和选通器，选通器的制造方法包括：在污染金属层上沉积第一金属硬掩模层；在第一金属硬掩模层上沉积第二金属硬掩模层；在第二金属硬掩模层上沉积第二电极层；通过第一刻蚀工艺刻蚀第二电极层和第二金属硬掩模层，并且停留在第...
    2026-01-23
  • 选通器的制造方法和选通器
    选通器的制造方法和选通器_昕原半导体(上海)有限公司_202410905238.2
    本发明公开了一种选通器的制造方法和选通器，选通器的制造方法包括：对污染金属层进行晶边刻蚀，以在污染金属层第一方向的一侧形成第一刻蚀斜面；在污染金属层上沉积金属硬掩模层，其中，金属硬掩模层至少覆盖污染金属层的上侧和第一刻蚀斜面；在金属硬掩模层...
    2026-01-23
  • 选通管的制造方法
    选通管的制造方法_昕原半导体(上海)有限公司_202410905203.9
    本发明公开了一种选通管的制造方法，选通管的制造方法包括：制备衬底，在衬底上侧沉积介质层；在介质层上侧沉积下电极层，在下电极层上侧沉积第一金属层；在第一金属层上侧沉积阻变层，在阻变层上沉积第二金属层；在第二金属层上沉积上电极层，以形成晶圆；翻...
    2026-01-23
  • 一种掺杂五氧化二钒阻变材料及其构建方法与性能仿真方法
    一种掺杂五氧化二钒阻变材料及其构建方法与性能仿真方法_重庆邮电大学_202511421767.6
    本发明涉及一种掺杂五氧化二钒阻变材料及其构建方法与性能仿真方法，属于阻变材料的技术领域。针对现有五氧化二钒阻变材料导电细丝产生随机性强、电学性能不稳定的问题，提供一种通过原子替位掺杂改善的阻变材料。该材料采用1*2*2扩胞结构的五氧化二钒，...
    2026-01-23
  • 一种基于纳米激光直写的忆阻器的制备方法
    一种基于纳米激光直写的忆阻器的制备方法_哈尔滨工程大学三亚南海创新发展基地_202511267396.0
    本发明提供了一种基于纳米激光直写的忆阻器的制备方法，涉及忆阻器的制备技术领域, 在高阻硅衬底上采用直流磁控溅射法沉积粘附层和铜薄膜；通过光刻工艺在所述铜薄膜上形成电极图形；在电极图形间未蚀刻区域，采用纳米激光直写技术构建金属‑氧化物‑金属桥...
    2026-01-23
  • 一种基于石墨烯的多量值量子电阻器件的制备方法
    一种基于石墨烯的多量值量子电阻器件的制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511270607.6
    本发明涉及一种基于石墨烯的多量值量子电阻器件的制备方法，包括如下步骤：在碳化硅/石墨烯基底上沉积多个金属电极；在所述金属电极表面以及多个金属电极之间沉积沟道保护金属；刻蚀沉积有沟道保护金属之外区域的石墨烯；在所述沟道保护金属表面及周围沉积超...
    2026-01-23
  • 一种基于磁畴壁往复运动的纳米振荡器
    一种基于磁畴壁往复运动的纳米振荡器_兰州大学_202511443028.7
    一种基于磁畴壁往复运动的纳米振荡器，整体呈圆柱形圆盘叠层结构，包括沿轴向依次层叠设置的第一重金属层、第一磁性层、第二重金属层、绝缘层、第三重金属层、第二磁性层及第四重金属层；所述第一重金属层和第二重金属层传输面内直流电流并通过自旋霍尔效应产...
    2026-01-23
  • 高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用
    高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用_华南理工大学_202511855120.4
    高迁高稳氧化物半导体材料、靶材、薄膜、晶体管及应用，其中高迁高稳氧化物半导体材料，为通过在金属氧化物MO中掺入磁性材料MA形成化学式为(MA)xx(MO)1‑x1‑x的半导体材料，且0.001≤x≤0.3，从而使其载流子具有可电场控制的自旋...
    2026-01-23
  • 一种基于磁涡旋手性调控的二值逻辑门器件
    一种基于磁涡旋手性调控的二值逻辑门器件_大连民族大学_202511273063.9
    本发明属于自旋电子学领域，公开了一种基于磁涡旋手性调控的二值逻辑门器件，包括若干个铁磁性纳米盘和5个偏置纳米磁体，铁磁性纳米盘之间相切或相交，形成互通纳米结构，5个偏置纳米磁体用于调控磁涡旋的手型，铁磁性纳米盘和偏置纳米磁体的材料相同，为含...
    2026-01-23
  • 半导体器件结构、形成方法和磁性随机存储器
    半导体器件结构、形成方法和磁性随机存储器_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410914039.8
    本申请涉及一种半导体器件结构、形成方法和磁性随机存储器，该半导体器件结构包括：衬底层；位于衬底层上的多个磁性隧道结MTJ结构和多个介质结构；多个MTJ结构和多个介质结构间隔排列；每个MTJ结构包括自下至上形成的底电极、MTJ和顶电极；每个介...
    2026-01-23
  • 磁性随机存取存储单元及其形成方法、磁性随机存取存储器
    磁性随机存取存储单元及其形成方法、磁性随机存取存储器_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410913724.9
    一种磁性随机存取存储单元及其形成方法、磁性随机存取存储器，存储单元包括：自旋轨道扭矩层，用于在对磁性随机存取存储单元进行写操作时流经写入电流；磁隧道结，位于自旋轨道扭矩层下方且与自旋轨道扭矩层相接触；第一导电结构，位于磁隧道结的一侧且位于自...
    2026-01-23
  • 制备亚10纳米级别纳米线的方法、磁存储器及制备方法
    制备亚10纳米级别纳米线的方法、磁存储器及制备方法_北京航空航天大学_202511193681.2
    本申请提供一种制备亚10纳米级别纳米线的方法、磁存储器及制备方法；包括：首先提供碳纳米管复合纳米线；碳纳米管复合纳米线包括单根纯碳纳米管以及包覆于单根纯碳纳米管外表面的保护层。然后提供基底；基底包括衬底、待刻蚀层以及牺牲层。然后以碳纳米管复...
    2026-01-23
  • 一种单片集成的混合压电结构及其单片集成方法
    一种单片集成的混合压电结构及其单片集成方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511532189.3
    本发明提供一种单片集成的混合压电结构及其单片集成方法，该单片集成的混合压电结构包括目标衬底和位于所述目标衬底上的多个压电结构，其中，所述压电结构包括至少一个压电薄膜单元，所述压电薄膜单元采用单晶压电材料，多个所述压电结构中，至少有两个所述压...
    2026-01-23
  • 一种音叉型压电振动片的制造工艺
    一种音叉型压电振动片的制造工艺_天津大学_202511548009.0
    本申请涉及一种音叉型压电振动片的制造工艺，属于压电振动元件的技术领域，其包括以下步骤：S1、压电振动片上设有待掩膜区，在所述压电振动片的第一主面和第二主面上均设置机械掩膜板，所述机械掩膜板位于所述待掩膜区两侧，从而形成覆盖机械掩膜板的压电振...
    2026-01-23
  • 一种碱金属卤化物梯度掺杂的钙钛矿吸光层及其全真空制备方法和应用
    一种碱金属卤化物梯度掺杂的钙钛矿吸光层及其全真空制备方法和应用_天合光能股份有限公司_202511368352.7
    本发明提供了一种碱金属卤化物梯度掺杂的钙钛矿吸光层及其全真空制备方法和应用，属于钙钛矿材料技术领域。本发明提出了“梯度掺杂‑分步沉积‑协同钝化”的技术构思，采用真空蒸镀的方式，结合碱金属梯度掺杂与卤素/伪卤素协同钝化，攻克材料与工艺的多维矛...
    2026-01-23
  • 一种钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及制备方法
    一种钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及制备方法_天合光能股份有限公司_202511636360.5
    本发明属于光伏领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及制备方法。本发明制备钙钛矿薄膜的方法包括：涂覆包含钙钛矿结构物质前驱体和溶剂的钙钛矿前驱液，使用结晶促进剂进行结晶处理，然后进行退火，得到钙钛矿薄膜；所述结晶促进剂包括异丙醇和水...
    2026-01-23
  • 一种钙钛矿太阳能电池、制备方法及设备
    一种钙钛矿太阳能电池、制备方法及设备_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511374979.3
    本发明公开一种钙钛矿太阳能电池、制备方法及设备。该制备方法包括：为电池基体主表面涂覆钙钛矿前驱体溶液；在涂覆的钙钛矿前驱体溶液上方朝向第一方向流动低温气流，控制电池基体在低温环境，在钙钛矿前驱体溶液表面形成无序分散的钙钛矿籽晶；将低温气流切...
    2026-01-23
  • 一种基于热管理策略的钙钛矿器件热稳定性提升方法及其制备工艺
    一种基于热管理策略的钙钛矿器件热稳定性提升方法及其制备工艺_贵州大学_202511369339.3
    本发明涉及一种基于热管理策略的钙钛矿器件热稳定性提升方法，属于光电材料与器件热稳定性技术领域。本发明提出在电子传输层与钙钛矿界面引入WS22作为高导热功能层，通过其超高热导率(91.66 W·m‑1‑1·K‑1‑1)有效耗散界面热积累，抑制...
    2026-01-23
  • 光电器件及其制备方法、显示装置
    光电器件及其制备方法、显示装置_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202410905929.2
    本申请实施例提供一种光电器件及其制备方法、显示装置。本申请实施例提供的光电器件的制备方法，在像素界定单元内制备功能层时，通过去除功能层中的至少一层薄膜的第二子层，和/或，使功能层中的至少一层薄膜的第二子层失效，可以使得像素界定单元的非发光区...
    2026-01-23
  • 一种全蒸发逐层沉积杂化钙钛矿太阳能电池制备方法和应用
    一种全蒸发逐层沉积杂化钙钛矿太阳能电池制备方法和应用_南京工业大学_202511172691.8
    本发明公开了一种全蒸发逐层沉积杂化钙钛矿太阳能电池制备方法和应用，所述杂化钙钛矿太阳能电池制备方法采用顺序热蒸发工艺制备空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、界面修饰层和电极层，在大幅提升器件效率的同时能够获得高结晶质量的有机无机杂化钙钛矿薄膜...
    2026-01-23
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