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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410891093.5
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；叠层鳍部结构，所述叠层鳍部结构包括伪鳍部以及位于所述伪鳍部上的沟道鳍部；栅极结构，凸立于所述衬底上且覆盖所述伪鳍部的侧壁；金属栅极结构，位于所述栅极结构的顶部且横跨所述沟道鳍部，所述金属栅极结构覆...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜
    半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511842163.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制法、器件、掩膜图案的生成方法及掩膜，该半导体结构包括：包括衬底和场氧化结构的基底；衬底具有相对的第一表面和第二表面；衬底内形成有沟道有源区；场氧化结构从第二表面向第一表面延伸，在第一表面定义出沟道有源区...
    2026-01-25
  • 半导体器件的终端结构、半导体芯片、器件及制备方法
    半导体器件的终端结构、半导体芯片、器件及制备方法_比亚迪股份有限公司_202511430583.6
    本申请公开了一种半导体器件的终端结构、半导体芯片器件及制备方法，其中，半导体器件的终端结构，设置于半导体芯片的终端区，包括场屏蔽区，所述场屏蔽区设置有在三维空间中呈区域性渐变掺杂分布的多个掺杂区域。本发明通过在三维空间内对场屏蔽区的掺杂浓度...
    2026-01-25
  • 半导体器件的终端结构及制备方法、半导体器件
    半导体器件的终端结构及制备方法、半导体器件_比亚迪股份有限公司_202511418893.6
    一种半导体器件的终端结构及其制作方法、半导体器件，所述终端结构包括 : 第一导电类型的衬底，以及设置于所述衬底上的第一导电类型的外延层，所述外延层内间隔设置有多个第二导电类型的场限环，至少一个所述场限环的间隔内设置有第二导电类型的第一掺杂层...
    2026-01-25
  • 超结器件和用于产生超结区的方法
    超结器件和用于产生超结区的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510928899.1
    公开了一种超结器件和用于产生超结器件的方法。超结器件包括半导体主体(100)，包括内部区(110)和横向围绕内部区(110)的边缘区(120)；超结区(1)，包括在半导体主体(100)的第一横向方向(x)上交替布置的有效第一掺杂类型的第一区...
    2026-01-25
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510171752.2
    本公开提供半导体器件。一种半导体器件可以包括：衬底，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案之间的器件隔离层；设置在第一有源图案上的第一源极/漏极图案；设置在第二有源图案上的...
    2026-01-25
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_苏州晶湛半导体有限公司_202410899301.6
    本公开提供了一种半导体结构，半导体结构包括N型硅衬底，N型硅衬底由交替的delta掺杂层和均匀掺杂层组成；位于N型硅衬底上的外延结构，外延结构的材料包括氮化物材料。本公开设置的N型硅衬底可有效抑制外延结构中的Ga/Al等向衬底扩散，从而降低...
    2026-01-25
  • 一种二维材料晶体管结构及其形成方法
    一种二维材料晶体管结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410896145.8
    一种二维材料晶体管结构，包括：基底，包括衬底；有源区，位于所述衬底上；沟道结构，包括凸起部以及覆盖所述凸起部的侧壁的沟道层，所述凸起部凸立于所述有源区的衬底的顶部，所述沟道层的材料包括二维材料；介电层，覆盖所述沟道层的侧壁；栅极结构，横跨所...
    2026-01-25
  • 一种硅电子自旋量子比特器件及其制备方法
    一种硅电子自旋量子比特器件及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511356347.4
    本申请提供了一种兼容CMOS工艺且可实现抗界面无序的硅电子自旋量子比特量子器件及其制备方法，包括提供衬底，在衬底上形成硅量子阱，以及在硅量子阱上形成至少一组金属电极，且硅量子阱的内部包括用于形成栅控量子点的第一区间，以及用于在第一区间形成预...
    2026-01-25
  • 一种实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法
    一种实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法_广东工业大学_202511871625.X
    本发明公开了一种实现金属‑半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。本发明利用耗尽层宽度与隧穿强度呈指数反比的特性，通过构建金属与半导体之间的肖特基接触和欧姆接触，并通过外在物理手段获得物理厚度极薄的半导体材...
    2026-01-25
  • 半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器和电子装置
    半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器和电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410896130.1
    本申请涉及半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器和电子装置，该半导体结构包括：衬底，位于衬底上的隧穿氧化层，位于隧穿氧化层上的第一结构，第一结构包括位于隧穿氧化层上的浮栅，位于浮栅上的介质层，位于介质层上的控制栅，浮栅朝向介质层的一侧包括...
    2026-01-25
  • 半导体器件和半导体器件的制造方法
    半导体器件和半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861935.3
    本申请提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体衬底设置有从第一表面延伸至半导体衬底中的沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别设置在沟道区的两侧；源极，源极设置在源区...
    2026-01-25
  • 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板
    薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板_惠科股份有限公司_202511423622.X
    本申请公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板，涉及显示技术领域，所述薄膜晶体管包括基底、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极，所述栅极金属层设置在所述基底上，所述绝缘层设置在所述栅极金属层上，所述半导体层设置在所述绝缘...
    2026-01-25
  • 一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法_陕西亚成微电子股份有限公司_202511851434.7
    本发明涉及MOSFET器件，具体涉及一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法。该MOSFET器件包括外延层；外延层的上表面设置有有源区沟槽和终端区沟槽；在有源区沟槽内设置有第一源栅结构和第二源栅结构；并在第一源栅结构和第二源栅结构与沟槽之...
    2026-01-25
  • 一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法
    一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法_安建科技(深圳)有限公司_202511758298.7
    一种高电阻场板屏蔽栅沟槽型场效应管器件及制造方法，本发明属于功率半导体器件，包括：位于底部的漏极金属层；位于漏极金属层之上的N+衬底层；位于N+衬底层之上的N型外延层；位于器件上表面的P掺杂体区和N+掺杂源区；N+掺杂源区与位于器件上表面的...
    2026-01-25
  • 沟槽分离栅场效应晶体管及其制造方法
    沟槽分离栅场效应晶体管及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511608832.6
    本发明公开了一种沟槽分离栅场效应晶体管，包括：多级阶梯沟槽结构。第一级沟槽结构包括：形成于栅极沟槽侧面的栅介质层、底部表面的第一介质层和填充的栅极导电材料层。第二级沟槽结构包括多个源极沟槽和形成于源极沟槽中的源介质层和源极导电材料层。各源极...
    2026-01-25
  • 一种3C/4H-SiC异质结隧穿场效应晶体管器件及其制造方法
    一种3C/4H-SiC异质结隧穿场效应晶体管器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511346236.5
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其是涉及一种抗单粒子栅穿的3C/4H‑SiC异质结隧穿场效应晶体管器件及其制造，包括自下而上依次设置的漏极金属、4H‑SiC衬底、第一4H‑SiC外延层、第二4H‑SiC外延层、分裂栅极结构和源极金属，第...
    2026-01-25
  • 具有减小的导通电阻以及减小的输出电容的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、以及对应方法、和半导体封装
    具有减小的导通电阻以及减小的输出电容的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、以及对应方法、和半导体封装_安世有限公司_202510927772.8
    一种金属氧化物半导体MOS场效应晶体管FET MOSFET，所述金属氧化物半导体MOS场效应晶体管FET MOSFET包括半导体主体和异质沟槽，所述半导体主体具有第一主要表面，所述异质沟槽在所述半导体主体中从所述第一主要表面延伸到所述半导体...
    2026-01-25
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510815236.9
    本发明抑制半导体层内所存在的堆垛层错的扩张。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层，具有第一面和在第一方向上与第一面对置的第二面，且包含复合中心；和与第二面邻接且与第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层。在第一面与第二面之间且远离第一面...
    2026-01-25
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202410867913.7
    一种半导体装置包含基板、漂移区、阱区、第一屏蔽区、接面场效应晶体管区、源极区以及栅极结构。漂移区位于基板内。阱区位于漂移区内。第一屏蔽区位于漂移区内，其中第一屏蔽区的底面低于阱区的底面且第一屏蔽区的载子浓度高于阱区的载子浓度。接面场效应晶体...
    2026-01-25
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