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最新专利技术
  • 基于支撑结构的谐振器滤波器结构、滤波器及电子设备
    基于支撑结构的谐振器滤波器结构、滤波器及电子设备_诺思(天津)微系统有限责任公司_202511465501.1
    本发明涉及电路技术领域，具体涉及一种基于支撑结构的谐振器滤波器结构、滤波器及电子设备。基于支撑结构的谐振器滤波器结构，包括衬底和集成在所述衬底一侧的电路结构；所述衬底包括谐振器区域和电容区域；所述谐振器区域设置有谐振器电路结构，所述电容区域...
    2026-02-09
  • 一种弹性滤波器、多工器和弹性滤波器的制造方法
    一种弹性滤波器、多工器和弹性滤波器的制造方法_无锡市好达电子股份有限公司_202511433271.0
    本发明公开了一种弹性滤波器、多工器和弹性滤波器的制造方法。该弹性滤波器包括：支承基板；低声速层，低声速层设置在支承基板的一侧；压电基体，压电基体设置在低声速层远离支承基板的一侧，压电基体包括压电功能部和附着部；其中，附着部包括第一附着电极和...
    2026-02-09
  • 一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器
    一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511391369.4
    本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器，所述制造工艺包括提供具有第一键合面的压电材料膜层，从第一键合面进行离子注入，然后在第一键合面上依次进行涂胶、曝光、显影、刻蚀，在压电材料膜层的内部形成开孔；将带...
    2026-02-09
  • 滤波器、射频前端模组和电子设备
    滤波器、射频前端模组和电子设备_锐石创芯(重庆)科技股份有限公司_202511348217.6
    本申请涉及一种滤波器、射频前端模组和电子设备。该滤波器包括至少两个谐振器，谐振器的谐振模式分别包括主模和杂模，滤波器中至少有两个谐振器的主模的第一频率之差的绝对值，大于该两个谐振器的杂模的二分之一的谐振宽度之和；其中谐振宽度为杂模的反谐振频...
    2026-02-09
  • 一种基于声场相位延迟的宽波段声光可调谐滤波器
    一种基于声场相位延迟的宽波段声光可调谐滤波器_合肥脉博光电科技有限公司_202511456655.4
    本发明提供一种基于声场相位延迟的宽波段声光可调谐滤波器，涉及声光滤波技术领域，其包括第二声光介质、至少两组换能器、射频信号源以及实现相邻两个换能器接收到的射频信号在时间上具有延迟的射频线。通过设计同向、直线分布连接在所述第二声光介质的侧平面...
    2026-02-09
  • 一种基于机器学习优化的多频段超表面滤波方法
    一种基于机器学习优化的多频段超表面滤波方法_南京南智先进光电集成技术研究院有限公司_202511416135.0
    本发明公开一种基于机器学习优化的多频段超表面滤波方法，该方法首先构建多层硅基集成架构的多频段可重构超表面滤波硬件，从下至上依次设底层介质层、隔离层、中间介质层、顶层介质层及金属覆层；其次采集电磁仿真数据与实物实测数据，构建含结构、频率、性能...
    2026-02-09
  • 一种MEMS谐振器及其制作方法
    一种MEMS谐振器及其制作方法_上海芯煜达科技有限公司_202511412395.0
    本申请公开MEMS谐振器及其制作方法，涉及微电子机械系统技术领域。该MEMS谐振器包括上电极组件、下电极层、氮化物层、上氧化物层和硅基层。上氧化物层覆盖在硅基层的上表面。氮化物层覆盖上氧化物层的上表面。下电极层沉积在氮化物层之上。上电极组件...
    2026-02-09
  • 一种低温漂纵向MEMS谐振器及其制造方法
    一种低温漂纵向MEMS谐振器及其制造方法_上海芯煜达科技有限公司_202511408631.1
    本申请涉及微机电系统技术领域，具体公开一种低温漂纵向MEMS谐振器及其制造方法。该低温漂纵向MEMS谐振器包括由上至下堆叠的上器件层、下器件层、绝缘层和基底层。纵向MEMS谐振器还包括热量消散层，热量消散层连接上器件层；热量消散层的热传导系...
    2026-02-09
  • 一种低动态电阻的MEMS谐振器及其制备方法
    一种低动态电阻的MEMS谐振器及其制备方法_上海芯煜达科技有限公司_202511408625.6
    本申请公开一种低动态电阻的MEMS谐振器及其制备方法，涉及微机电系统技术领域。该低动态电阻的MEMS谐振器包括基础层、下电极层和上电极层。下电极层包括多个相同的正方阵。每个正方阵包括相互隔开的连接组和独立组。连接组包括相互连接的两个连接电极...
    2026-02-09
  • 一种MEMS谐振器结构及其制备方法
    一种MEMS谐振器结构及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511396281.1
    本发明提供一种MEMS谐振器结构及其制备方法，将谐振器穿通锚点与谐振子图形通过一次光刻工艺形成，避免了因多次光刻所引入的套准偏差，确保了谐振器穿通锚点能够精确位于谐振器理论不动节点处，提高了谐振器的一致性，使器件的品质因数更易于接近理论最大...
    2026-02-09
  • 一种双晶体振动补偿晶振及其制备方法
    一种双晶体振动补偿晶振及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511382028.0
    本发明提供一种双晶体振动补偿晶振及其制备方法，属于压电晶体器件技术领域，双晶体振动补偿晶振包括：基座和安装在基座上的晶片；晶片为一体成型的单体结构，晶片上设置有两个谐振区，两个谐振区相对于晶片的物理中心轴呈对称分布，使得两个谐振区在感应到平...
    2026-02-09
  • 声波元件、射频前端模块及电子设备
    声波元件、射频前端模块及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202511843881.8
    本申请公开了一种声波元件、射频前端模块及电子设备，涉及声波元件技术领域，该声波元件包括压电衬底、叉指换能器IDT电极、电介质层和第一散热层。IDT电极设置于压电衬底的表面，电介质层覆盖IDT电极，第一散热层设置于电介质层的表面；电介质层的声...
    2026-02-09
  • 一种抑制横向模式的体声波谐振器
    一种抑制横向模式的体声波谐振器_杭州树芯电子科技有限公司_202511391281.2
    本发明公开了一种抑制横向模式的体声波谐振器，包括：基底以及设置于基底上的压电堆叠结构，压电堆叠结构包括从下到上依次层叠设置的底电极、压电材料层和顶电极；顶电极在基底上的正投影的轮廓包括至少一条由椭圆变形成的变形椭圆曲线；顶电极在基底上的正投...
    2026-02-09
  • 一种信号调理电路及供水管网泄漏监测系统
    一种信号调理电路及供水管网泄漏监测系统_斡特森德(重庆)电子科技有限公司_202511356139.4
    本申请涉及管道密封性监测技术领域，涉及一种信号调理电路及供水管网泄漏监测系统，一种信号调理电路包括依次连接的阻抗匹配模块、第一电荷放大器和频率钳制模块；阻抗匹配模块与用于采集供水管网声学振动信号的传感器通讯连接；阻抗匹配模块的输入端用于接收...
    2026-02-09
  • 一种高密度集成的滤波装置及电子装置
    一种高密度集成的滤波装置及电子装置_南京国博电子股份有限公司_202410911911.3
    本发明公开了一种高密度集成的滤波装置及电子装置，滤波装置包含：第一基体、第一至第五容性单元、第一至第三感性单元、第一和第二公共端口、第一和第二电位端、第一和第二输入输出端口；第一容性单元在第一公共端口与第一输入输出端口之间的耦合路径上，第二...
    2026-02-09
  • 滤波器及其形成方法、以及电子设备
    滤波器及其形成方法、以及电子设备_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511784728.2
    一种滤波器及其形成方法、以及电子设备，滤波器包括：声学换能器，包括引出部；覆盖声学换能器和基底的温度补偿层且露出引出部的至少部分表面；覆盖温度补偿层且露出温度补偿层侧部的引出部的第一钝化层，被第一钝化层暴露的引出部表面作为引出部的互连区域；...
    2026-02-09
  • 一种复合衬底的制备方法、复合衬底及声表面波滤波器
    一种复合衬底的制备方法、复合衬底及声表面波滤波器_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511413911.1
    本发明提供了一种复合衬底的制备方法、复合衬底及声表面波滤波器，所述的制备方法包括：提供第一衬底、第二衬底与压电晶圆，对第二衬底进行热氧化处理，在第二衬底的待键合面形成氧化层，随后在第二衬底靠近氧化层的一端进行离子注入处理，由离子注入层隔离形...
    2026-02-09
  • 滤波器耐振动性提升方法
    滤波器耐振动性提升方法_一汽解放汽车有限公司_202511436481.5
    本发明涉及新能源商用车技术领域，尤其涉及一种滤波器耐振动性提升方法。PCB组装件包括多级X电容、Y电容和PCB板，磁环组件包括铜排和磁环，滤波器耐振动性提升方法包括：S1：磁环组件中的磁环和铜排采用包塑工艺进行整体包塑；S2：磁环组件中的铜...
    2026-02-09
  • 一种自适应增益及带宽的运放电路
    一种自适应增益及带宽的运放电路_上海壁仞科技股份有限公司_202511871028.7
    本发明公开了一种自适应增益及带宽的运放电路，包括偏置电路、折叠式共源共栅运算放大器和源跟随器，折叠式共源共栅运算放大器中包括组成共源共栅结构的PMOS管和组成共源共栅结构的NMOS管；偏置电路的输入端用于接入控制信号，偏置电路的输出端用于输...
    2026-02-09
  • D类放大器
    D类放大器_立锜科技股份有限公司_202411064796.7
    D类放大器，包括环路滤波器、脉宽调制产生器、第一多工器、第二多工器及功率级。环路滤波器根据输入信号产生正负环路滤波信号。脉宽调制产生器耦接在环路滤波器，根据正负环路滤波信号产生第一正负脉宽调制信号。第一多工器耦接在脉宽调制产生器，从包含第一...
    2026-02-09
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