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最新专利技术
  • 一种双工位全自动曝光机
    一种双工位全自动曝光机_东莞领晟智创科技有限公司_202511715093.0
    本发明涉及曝光设备领域，尤其涉及一种双工位全自动曝光机，包括机架、入料输送装置、出料输送装置和曝光装置，曝光装置下方设置有两个升降平台，升降平台包括设置在机架上的升降结构和曝光平台，所述机架上还设置有用于将基板从入料输送装置吸取到曝光平台上...
    2026-04-28
  • 运动台的开环保护装置及工件台系统
    运动台的开环保护装置及工件台系统_新毅东(北京)科技有限公司_202511628481.5
    本发明涉及光刻领域，提供一种运动台的开环保护装置及工件台系统。运动台的开环保护装置用于在运动台处于开环状态时对运动台提供物理保护，包括支撑基座；托举框架；柔性支撑层；弹性件以及驱动机构。该运动台的开环保护装置能够大幅减少碰撞风险，保护运动台...
    2026-04-28
  • 一种大面积高分辨率低畸变光刻投影镜头
    一种大面积高分辨率低畸变光刻投影镜头_东莞康耐德智能控制有限公司_202511576905.8
    本发明提供了一种大面积高分辨率低畸变光刻投影镜头，由光阑和片镜片组成，沿着从物方到像方依次为第一双凸镜片、第一双凹镜片、第一弯月镜片、第二双凸镜片、第二弯月镜片、第二双凹镜片、光阑、第三双凹镜片、第三弯月镜片、第三双凸镜片、第四弯月镜片、第...
    2026-04-28
  • 基于深度学习图像算法的衍射光斑光强分布及套刻误差获取方法、设备及介质
    基于深度学习图像算法的衍射光斑光强分布及套刻误差获取方法、设备及介质_南京先进激光技术研究院_202511568401.1
    本发明公开了一种基于深度学习图像算法的衍射光斑光强分布及套刻误差获取方法、设备及介质，方法包括向晶圆输出恒定强度与光谱的光照；采集若干晶圆的衍射光斑图像及图像对应的晶圆姿态信息、套刻误差数据，对衍射光斑图像进行标注后构建样本集；构建依次连接...
    2026-04-28
  • 一种显影、蚀刻、剥膜工艺工序编制方法
    一种显影、蚀刻、剥膜工艺工序编制方法_深圳正阳工业清洗设备有限公司_202511507534.8
    本发明提供了一种显影、蚀刻、剥膜工艺工序编制方法，应用于由若干独立的气液喷淋设备串联组成的生产线系统。该方法包括：所述存储单元至少储存有十道独立工序；将连续工序组合为同工艺类型的工艺段；独立设定每道工序的加工时间、旋转速度参数及排液模式，通...
    2026-04-28
  • 一种重布线层制作方法
    一种重布线层制作方法_成都奕成集成电路有限公司_202511377308.2
    本发明公开了一种重布线层制作方法，包括步骤：在载板上进行光敏性介质材料涂胶；先采用全曝光的方式曝光出孔，再采用半曝光的方式曝光出线路：显影同时形成孔和线路的图形：做种子层：电镀：通过刻蚀或者研磨将多余的金属去掉：然后再重复以上即可在制作的重...
    2026-04-28
  • 一种用于半导体制造的光刻套刻图形生成方法及系统
    一种用于半导体制造的光刻套刻图形生成方法及系统_信联电子材料科技股份有限公司_202511310313.1
    本发明提供了一种用于半导体制造的光刻套刻图形生成方法及系统，涉及半导体光刻技术领域。本发明通过将套刻性能目标、量测工具参数与工艺参数统一为名义条件，将版图尺寸与制造约束统一为约束库，建立覆盖曝光、显影、刻蚀与量测环节的工艺链联合模型，对参数...
    2026-04-28
  • 一种芯片加工生产线监控方法及系统
    一种芯片加工生产线监控方法及系统_苏州中芯长宏半导体科技有限公司_202511273933.2
    本发明涉及半导体相关技术领域，具体包括一种芯片加工生产线监控方法及系统，包括：采集光刻工艺监测数据；设置特征矩阵；确定聚焦窗口边界；基于特征矩阵，结合聚焦窗口边界与光刻工艺监测数据，配置焦距偏移补偿量；使用边缘放置误差模型，确定偏差幅度评分...
    2026-04-28
  • 直帧式无掩膜光刻的畸变补偿方法、设备及存储介质
    直帧式无掩膜光刻的畸变补偿方法、设备及存储介质_合肥睿翼创智技术开发有限公司_202411086854.6
    本发明的一种直帧式无掩膜光刻的畸变补偿方法、设备及存储介质，本发明提供了一种直接帧化的反畸变修正方法，在反倾斜直帧法的基础上，通过移动帧化矩形进行截窗，对截窗图形进行畸变处理，再利用填充算法直接帧化。这种方法省去了大量的中间计算过程。基本思...
    2026-04-28
  • 一种线端图形的光学邻近修正方法
    一种线端图形的光学邻近修正方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410910373.6
    本发明提供一种线端图形的光学邻近修正方法，包括：将线端图形分为呈长条状的第一部分图形以及长条状两端呈凸出状的第二部分图形，其中第二部分图形具有与第一部分图形的延伸方向相垂直的第一边以及与第一部分图形的延伸方向相平行的第二边；将符合第一阈值条...
    2026-04-28
  • 一种用于掩膜板烘烤的加热盘结构
    一种用于掩膜板烘烤的加热盘结构_沈阳芯达半导体设备有限公司_202511818183.2
    本发明涉及掩膜板烘烤领域，尤其是一种用于掩膜板烘烤的加热盘结构，包括：放置台，所述放置台的表面开设有开口，所述放置台可以将掩膜板固定在所述开口中，所述放置台的下端面与掩膜板的下端面处于同一水平面内；加热组件，用于对掩膜板进行加热；翻转结构，...
    2026-04-28
  • 一种用于有机绝缘膜的三嗪基负性光刻胶组合物
    一种用于有机绝缘膜的三嗪基负性光刻胶组合物_烟台希尔德材料科技有限公司_202511808082.7
    本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种用于有机绝缘膜的三嗪基负性光刻胶组合物，以质量份计，包括以下组分：含三嗪结构的聚合物30～100份；含烯键的不饱和化合物5～65份；表面活性剂0.005～10份；助粘剂0.005～10份；自由基聚合引发...
    2026-04-28
  • 一种用于铜柱电镀的超厚干膜光刻胶及其制备方法
    一种用于铜柱电镀的超厚干膜光刻胶及其制备方法_珠海市能动科技光学产业有限公司_202511776684.9
    本发明涉及光致抗蚀剂材料技术领域，具体涉及一种用于铜柱电镀的超厚干膜光刻胶及其制备方法。该超厚干膜光刻胶包括：改性聚氨酯丙烯酸酯38‑48份，第一活性稀释剂12‑18份，第二活性稀释剂5‑10份，增塑剂5‑10份，光引发剂3‑8份，流平剂0...
    2026-04-28
  • 一种用于半导体的耐高温变形纳米压印胶组合物
    一种用于半导体的耐高温变形纳米压印胶组合物_郭松坡_202511519072.1
    本发明公开了一种用于半导体的耐高温变形纳米压印胶组合物，属于半导体制造用压印胶材料技术领域，以质量份数计，包括：树脂基体：40‑60份；功能单体：10‑30份；交联固化剂：5‑15份；含硅功能添加剂：1‑8份；光引发剂：2‑6份；活性稀释剂...
    2026-04-28
  • 正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜
    正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜_DIC株式会社_202510538228.4
    本发明提供正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜。本发明提供一种正型感光性树脂组合物，其可得到显影性、耐化学性和耐热性优异的抗蚀剂膜，并且保存稳定性和厚膜制膜性良好。一种正型感光性树脂组合物，其含有下述成分(A)～(D)...
    2026-04-28
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511544145.2
    本发明公开了半导体结构的制作方法，包括提供计算系统；输入在垂直方向上的两相对侧分别具有第一阶梯状表面和第二阶梯状表面的光掩模图案；对光掩模图案执行分解步骤，将光掩模图案分解成相互交替排列的多个第一条状图案和多个第二条状图案；对各第一条状图案...
    2026-04-28
  • 一种基于钛酸锶模具的金属玻璃原子级台阶制备方法
    一种基于钛酸锶模具的金属玻璃原子级台阶制备方法_西南科技大学_202511473401.3
    本发明属于纳米压印技术领域，具体公开一种基于钛酸锶模具的金属玻璃原子级台阶制备方法，包括以下步骤：对单晶钛酸锶的压印面依次经精磨、退火、蚀刻、端封等处理，制备台阶模具；再制备Pt基块体金属玻璃样品，对样品进行热力学表征，确定热塑成型的“温度...
    2026-04-28
  • 一种全自动气压式纳米压印设备自动脱模装置及脱模方法
    一种全自动气压式纳米压印设备自动脱模装置及脱模方法_璞璘科技(杭州)有限公司_202511464396.X
    本申请提供了一种全自动气压式纳米压印设备自动脱模装置及脱模方法，包括晶圆装载装置、四轴机器人、寻边器、压印装置、脱模装置和移动传递装置；压印装置包括压印上腔和压印下腔，压印上腔设有紫外灯和上腔真空区域，压印下腔设有压印真空吸盘和压印顶升机构...
    2026-04-28
  • 一种用于负载效应补偿的版图生成方法及相关装置
    一种用于负载效应补偿的版图生成方法及相关装置_擎方科技(济南)有限公司_202511877485.7
    本发明公开了一种用于负载效应补偿的版图生成方法及相关装置，应用于光刻技术领域，包括：获取光掩模版数据；根据光掩模版数据对掩模版图进行网格划分，并确定每一网格中的版图密度；将各个网格的版图密度与目标密度进行比对，确定各个网格对应的密度差值；根...
    2026-04-28
  • 非线性±1级衍射效率与周期分布的相位掩模板制备方法
    非线性±1级衍射效率与周期分布的相位掩模板制备方法_南京理工大学_202511708927.5
    本发明公开了一种非线性±1级衍射效率与周期分布的相位掩模板制备方法。对于包层模耦合与法布里‑珀罗效应双重作用导致的色散光纤光栅反射谱平坦度劣化，进行栅区折射率调制深度分布曲线优化，得到相位掩模板非线性±1级衍射效率与槽深分布的设计参数；对于...
    2026-04-28
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