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  • 一种光伏电池的封装结构及光伏组件,所述封装结构包括多个层叠设置的封装基层和封装盖板,所述多个层叠设置的封装基层设置于所述光伏电池和封装盖板之间。通过在光伏电池的封装结构中进行多层封装基层的设计,可以有效减少现有技术中相邻界面的反射损失,提升...
  • 本申请涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及光伏组件,至少有利于提高太阳能电池的性能。太阳能电池包括:基底,基底表面包括沿第一方向交替排列的第一掺杂部和第二掺杂部,第一掺杂部和第二掺杂部之间间隔设置以形成间隔区,第一掺杂部中具有P型掺杂元素,第...
  • 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,半导体衬底的后表面具有相邻设置的第一区域和第二区域,第一区域具有第一子区域及位于第一子区域两侧的第一交叠区域;第一交叠区域设置有隧穿层、第一掺杂导电层、钝化层、第二掺杂导电层和第一透明导电层...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池的至少一侧表面包括多晶硅区域和非多晶硅区域,其中,所述多晶硅区域包括层叠设置的硅基体、隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、钝化减反层以及栅线电极,所述非多晶硅区域包括层叠设置的硅基体和钝化减反层;所...
  • 本发明公开了一种单向ESD保护器件及其制备方法,单向ESD保护器件包括:衬底;半导体外延层,位于衬底的一侧;半导体外延层包括导电类型不同的第一区域和第二区域,均位于半导体外延层的第一表面,第一表面为半导体外延层远离衬底一侧的表面;半导体外延...
  • 本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一元件和至少一凹入式晶体管。该元件包括一基板和多个字元线。该基板包括一阵列部分和围绕该阵列部分的一周围部分。多个字元线设置于该阵列部分中。该周围部分没有多个字元线。该基板的该周围部分定义至少一凹部。...
  • 本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括:一基板;一埋入式导电层,包括:一底部部分,位于该基板中;以及一顶部部分,位于该基板中且位于该底部部分上;一隔离层,位于该基板内;一气隙结构,位于该隔离层中;以及一凹槽内间隔物,位于该基板中,围绕该...
  • 本公开提供了垂直堆叠晶体管结构以及包括其的神经网络装置。一种垂直堆叠晶体管结构可以包括第一晶体管和在第一方向上在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以包括第一沟道、第一源极区域、第一漏极区域、第一栅极绝缘层以及第一栅电极。第二晶体管可以包...
  • 本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板、显示装置,涉及显示技术领域。该阵列基板包括:衬底;第一导体层,设置于衬底一侧,第一导体层包括相邻的第一极板和第一信号线,第一信号线沿第一方向延伸;第二导体层,设置于第一导体层背离衬底一侧,第二导体层...
  • 本申请涉及显示面板和包括显示面板的电子装置。显示面板包括:衬底;像素电路层,设置在衬底上并且包括像素电路;以及发光二极管,电连接到像素电路,其中像素电路层还包括:第一导电层,包括设置在衬底上的第一导电图案;第二导电层,设置在第一导电层上并且...
  • 本公开涉及显示设备和电子设备。所述显示设备包括:基底,包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域;以及栅极驱动电路,在所述基底的所述非显示区域中,并且所述栅极驱动电路包括多个级,其中,所述多个级中的每一者包括:外围氧化物晶体管和外围硅晶体管...
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置,该显示面板包括显示区和非显示区,非显示区包括驱动电路,驱动电路包括至少一薄膜晶体管,其薄膜晶体管的有源部沿第一方向延伸,栅极沿第二方向延伸,有源部与栅极交叠设置,且第一方向与第二方向的夹角为θ,0°<θ<...
  • 提供了一种显示装置、用于制造其的方法和包括其的电子装置。该显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;第一晶体管,包括设置在所述基底的显示区域上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第一栅电极;以及第一栅极绝缘体,设置在第一半导体层与第一...
  • 本公开提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法,可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括:在竖直方向上叠置的下部场效应晶体管和上部场效应晶体管;下部场效应晶体管和上部场效应晶体管各自包括:在竖直方向上彼此间隔开地叠置的多个沟道层;在多个...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底;第一栅极,所述第一栅极位于所述衬底上;第一侧墙,所述第一侧墙位于所述第一栅极的侧壁;第二侧墙,所述第二侧墙位于所述第一侧墙远离所述第一栅极的一侧的侧壁。所述第二侧墙位于所述第一侧墙远离所述第一...
  • 本发明涉及半导体器件制备技术领域,尤其是涉及一种半导体器件及其制备方法,包括半导体基底;第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管和第二晶体管沿半导体基底的厚度方向依次设置在半导体基底的上方,第一晶体管和/或第二晶体管为环栅晶体管,环栅晶体管包括位...
  • 一种半导体装置包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构,第一栅极结构包括顺序地堆叠在包含第一区域和第二区域的基底的第一区域上的第一栅极界面图案、第一栅极介电图案和第一栅电极结构,其中,第一栅极介电图案包含第一金属的氧化物或第一...
  • 一种半导体装置包括:衬底;有源图案,其在衬底上在第一方向上延伸;多个下纳米片,其堆叠在有源图案上并且在竖直方向上彼此间隔开;纳米片隔离层,其包括绝缘材料并且位于多个下纳米片中的最上的纳米片的上表面上;多个上纳米片,其堆叠在纳米片隔离层的上表...
  • 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底;第一有源图案,包括第一下图案和第一片状图案;第二有源图案,在第一方向上与第一有源图案间隔开并且包括第二下图案和第二片状图案;第一栅电极,设置在第一有源图案上并且在第一方向上伸长;第二栅电极,设...
  • 公开了半导体装置。所述半导体装置包括:第一有源图案,包括在第一方向上间隔开的第一片,第一方向与基底的表面垂直;第二有源图案,在第一有源图案上并且包括在第一方向上间隔开的第二片;第一源极/漏极图案,在第二方向上连接到第一有源图案;第二源极/漏...
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