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最新专利技术
  • 显示装置以及包括该显示装置的电子装置
    显示装置以及包括该显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202510824413.X
    提供了一种显示装置和包括该显示装置的电子装置。所述显示装置包括：基底；底部电极，设置在基底上；辅助金属层，设置在基底上，并且包括第一辅助金属和第二辅助金属，其中，辅助金属层设置成相对于基底的上表面高于底部电极；以及晶体管，设置在辅助金属层上...
    2026-01-18
  • 薄膜晶体管、其制造方法和包括该薄膜晶体管的电子设备
    薄膜晶体管、其制造方法和包括该薄膜晶体管的电子设备_三星显示有限公司_202510817905.6
    本申请涉及薄膜晶体管、其制造方法和包括该薄膜晶体管的电子设备，该薄膜晶体管，包括：衬底；第一电极，在衬底上；第一栅电极，在第一电极上；第一缓冲层，在第一电极和第一栅电极之间；第一栅极绝缘层，在第一栅电极上；第二电极，在第一栅极绝缘层上；有源...
    2026-01-18
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511171703.5
    本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以降低接触电阻。半导体器件包括基底，设置在基底上的多个半导体结构、第一环绕式接触结构和第二环绕式接触结构。每个半导体结构包括沿基底的厚度方向间隔设置的第一晶体管和第二晶体管，且第二晶...
    2026-01-18
  • 具有拥有不同锗浓度的源极/漏极图案的半导体器件
    具有拥有不同锗浓度的源极/漏极图案的半导体器件_三星电子株式会社_202510798984.0
    提供了一种半导体器件，其包括：沟道结构；在沟道结构上的源极/漏极图案；在沟道结构上的栅极结构；以及在沟道结构上的接触层，其中，接触层接触源极/漏极图案并包括硅锗(SiGe)，源极/漏极图案包括第一部分以及在第一部分和接触层之间的第二部分，第...
    2026-01-18
  • 深沟槽场效应晶体管及其制备方法
    深沟槽场效应晶体管及其制备方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511776891.4
    本发明提供一种深沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：在N型衬底中形成P型层和N型层；形成栅沟槽和终端沟槽；离子注入形成N型源区；在沟槽中形成栅氧化层；在沟槽中形成第一多晶硅层、厚氧化层和第二多晶硅层；沉积介质层；形成漏接触区、源接触区、栅接...
    2026-01-18
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_北京知识产权运营管理有限公司_202511415490.6
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的集成度，利于半导体器件的微缩。所述半导体器件包括：半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管沿半导体基底的厚度方向间隔设置在半导...
    2026-01-18
  • 包括有源图案和虚设结构的半导体装置
    包括有源图案和虚设结构的半导体装置_三星电子株式会社_202510149098.5
    提供了包括有源图案和虚设结构的半导体装置。所述半导体装置包括：第一有源图案；第一源极/漏极图案，设置在第一有源图案上；第二有源图案，在第一方向上与第一有源图案间隔开；第二源极/漏极图案，设置在第二有源图案上；栅电极，与第一有源图案叠置并且在...
    2026-01-18
  • 半导体器件、以及在半导体器件中实施离子的方法
    半导体器件、以及在半导体器件中实施离子的方法_安世有限公司_202510844729.5
    本公开涉及一种半导体器件，诸如反向导电绝缘栅双极晶体管RC‑IGBT，以及在半导体器件中实施离子的方法，尤其是实施轻离子粒子的方法。提出了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体结构层、以及位于半导体层的至少一个表面上的金属电极(21)，其...
    2026-01-18
  • 具有栅极、源极和漏极的高电子迁移率晶体管HEMT结构以及操作此类HEMT结构的方法
    具有栅极、源极和漏极的高电子迁移率晶体管HEMT结构以及操作此类HEMT结构的方法_安世有限公司_202510844451.1
    一种具有栅极、源极和漏极的高电子迁移率晶体管HEMT结构，所述HEMT结构包括：耗尽模式晶体管，所述耗尽模式晶体管具有击穿电压；电流限制构件，所述电流限制构件被布置成确保在所述HEMT结构的关断状态中所述HEMT结构的漏极源极电流为最大20...
    2026-01-18
  • 一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法
    一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511737383.5
    本发明涉及一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法，制备方法包括：S1.获取SiC衬底，在SiC衬底的一侧依次生长缓冲层和外延层，得到SiC外延片；S2.在SiC外延片上外延层的一侧外延导电缓冲层，并在导电缓冲层上外延GaN异质结层，得...
    2026-01-18
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511113127.9
    一种半导体装置的制造方法，包括提供工件。工件包含通道层和牺牲层的堆叠、设置于堆叠之上的虚置栅极结构、以及邻近堆叠和虚置栅极结构的源极/漏极沟槽。方法还包含以第一虚置层与第二虚置层取代牺牲层。以第一虚置层间隔开第二虚置层与通道层。方法还包含：...
    2026-01-18
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202410813401.2
    本公开提出了一种形成半导体结构的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：位于衬底上的鳍片，位于鳍片的侧面的隔离区，横跨鳍片且位于隔离区上的伪栅，以及位于伪栅上的硬掩模层，伪栅包括被硬掩模层覆盖的第一部分和未被硬掩模...
    2026-01-18
  • 芯片封装组件、制备方法及电子设备
    芯片封装组件、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202510194898.9
    本申请提供了一种芯片封装组件、制备方法及电子设备，该芯片封装组件包括基板、转接板、第一芯片和第二芯片；其中，第一芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面与基板上设置的第一焊盘电性连接，第二表面与转接板电性连接；第二芯片位于基板设置有第...
    2026-01-18
  • 一种高性能二维晶体管及其制备方法和应用
    一种高性能二维晶体管及其制备方法和应用_澳门大学_202511392369.6
    本发明公开了一种高性能二维晶体管及其制备方法和应用，涉及半导体材料制造技术领域，所述晶体管的结构包括：沟道层、栅介质层和电极组件；其中，所述沟道层为二维半导体材料；所述栅介质层为层状磷硫化镓材料；所述电极组件包括栅极、源极和漏极电极；所述沟...
    2026-01-18
  • 一种降低栅极漏电的增强型HEMT结构及其制造方法
    一种降低栅极漏电的增强型HEMT结构及其制造方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511365535.3
    本申请提供了一种降低栅极漏电的增强型HEMT结构，包括：衬底、外延结构、形成在外延结构上的栅极、漏极和源极，其中，栅极包括形成在外延结构上的P‑GaN层和栅金属，栅金属小于P‑GaN层，从而形成P‑GaN肩膀；栅金属包括第一栅金属层和第二栅...
    2026-01-18
  • 半导体结构、半导体装置及其制造方法
    半导体结构、半导体装置及其制造方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202511747592.8
    本申请公开了一种半导体结构、半导体装置及其制造方法，半导体结构包括：晶体管，所述晶体管包括沟道层、与所述沟道层相对的栅极层以及位于所述沟道层和所述栅极层之间的栅极绝缘层，所述栅极层包含钛；钛吸收层，所述钛吸收层位于所述栅极层不与所述沟道层相...
    2026-01-18
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511347270.4
    本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面和第二表面；还包括第一阱区和第一区域；第一表面设置有沟槽；半导体本体还包括第二阱区和第二区域；绝缘层，包括第一绝缘部、...
    2026-01-18
  • 用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法
    用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511746998.4
    本披露公开了一种用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法。该方法包括：制备衬底、栅极结构和衬底保护层，衬底保护层位于衬底的有源区，栅极结构包括：由下至上依次设置的用于调控栅极阈值电压的金属功函数层和用于保护栅极结构的栅极保护层；利用...
    2026-01-18
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_上海积塔半导体有限公司_202511415475.1
    本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底及位于衬底上的外延层，于外延层内形成有源区；于外延层内形成伪栅极沟槽，并基于外延层形成半导体层，半导体层位于伪栅极沟槽的侧壁及底面，且位于有源区与外延层之间；于伪栅极沟槽内形...
    2026-01-18
  • GaN外延片及其制备方法
    GaN外延片及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511739668.2
    本发明提供了一种GaN外延片及其制备方法，GaN外延片，依次叠设有：衬底、键合层、Si(111)层、成核层、缓冲层以及GaN器件层，所述键合层材料为AlN、碳化硅或金刚石等高热导率材料。本发明中的键合层与GaN的晶格失配小、且热膨胀系数极为...
    2026-01-18
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