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最新专利技术
  • GaN外延片及其制备方法
    GaN外延片及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511739668.2
    本发明提供了一种GaN外延片及其制备方法，GaN外延片，依次叠设有：衬底、键合层、Si(111)层、成核层、缓冲层以及GaN器件层，所述键合层材料为AlN、碳化硅或金刚石等高热导率材料。本发明中的键合层与GaN的晶格失配小、且热膨胀系数极为...
    2026-01-18
  • 氮化镓异质外延结构及其制备方法
    氮化镓异质外延结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511740448.1
    本发明提供了一种氮化镓异质外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，以及依次设于所述衬底上的AlN种子层、AlGaN过渡层、位错湮灭层、GaN高阻层、不掺杂GaN层、空间隔离层、势垒层以及帽层。本发明能够提高氮化镓异质外延结构的耐压性能和...
    2026-01-18
  • 一种超级结终端结构及制造方法
    一种超级结终端结构及制造方法_电子科技大学_202511346158.9
    本发明属于功率半导体器件技术领域，特别是涉及一种超级结终端结构及制造方法。通过引入表面场限环和场板，并对场限环和场板的分布采用特殊的设计方案，可以有效提升终端区域的面积利用率、维持高击穿电压水平的同时减弱超级结电荷不平衡对超结柱的影响，使终...
    2026-01-18
  • 一种提高功率器件雪崩耐量的方法
    一种提高功率器件雪崩耐量的方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511335388.5
    本发明公开了一种提高功率器件雪崩耐量的方法，涉及功率半导体技术领域，所述功率器件包括位于半导体基板中心区的有源区、环绕包围所述有源区的终端区以及位于有源区与终端区之间的过渡区，过渡区内设置有环绕包围所述有源区的主结，所述主结包括多个水平部、...
    2026-01-18
  • 一种隧道注入超级结结构、功率器件及制备方法
    一种隧道注入超级结结构、功率器件及制备方法_浙江大学_202511190358.X
    一种隧道注入超级结结构、功率器件及制备方法，属于功率器件制备技术领域，所述超级结结构包括：至少两层相邻的外延层，所述外延层包括外延区与介质柱区；位于上层的介质柱区通过隧道离子注入形成，位于下层的外延层中设置有CSL区，所述CSL区设置在N型...
    2026-01-18
  • 一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件
    一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件_上海韦尔半导体股份有限公司_202410803538.X
    本申请提供了一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件，本申请通过形成第三注入区包覆所述沟槽的底部，保护所述沟槽中的第二氧化层，减轻所述沟槽的底部的电场集中效应，避免沟槽处发生击穿，出现器件或可靠性失效的问题，从而提高...
    2026-01-18
  • 斜切SiC衬底上生长GaN外延层的方法及半导体器件
    斜切SiC衬底上生长GaN外延层的方法及半导体器件_湖北九峰山实验室_202511735698.6
    本发明提供了一种斜切SiC衬底上生长GaN外延层的方法及半导体器件，获取待处理基底；其中，待处理基底为：斜切SiC衬底或在斜切SiC衬底上生长有同质外延层的外延片；在待处理基底的上表面形成二维材料覆盖层；在二维材料覆盖层上光刻形成指定图案，...
    2026-01-18
  • 一种快速平坦化方法及超结功率器件的制备方法
    一种快速平坦化方法及超结功率器件的制备方法_浙江大学_202511190357.5
    一种快速平坦化方法及超结功率器件的制备方法，属于半导体制备技术领域，其中快速平坦化方法包括如下步骤：提供待处理外延片，所述待处理外延片包括衬底、设置在衬底上的漂移区、位于漂移区中的介质柱区及位于漂移区上的冗余介质区；通过快速平坦化工艺，处理...
    2026-01-18
  • 一种基于双沟道结构的高迁移率氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
    一种基于双沟道结构的高迁移率氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法_山东大学_202511209575.9
    本发明涉及一种基于双沟道结构的高迁移率氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，包括：由下至上依次生长的底栅、沟道介质层、双沟道结构以及分别形成于沟道上的源极、漏极、钝化层，双沟道结构由a‑IGZO沟道层和a‑IZO沟道层堆叠而成。本发明基于a‑...
    2026-01-18
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_瀚宇彩晶股份有限公司_202410796557.4
    半导体装置包含栅极电极、栅极介电层、通道层结构、第一源极/漏极接触、第二源极/漏极接触。栅极介电层位于栅极电极上。通道层结构位于栅极介电层上。通道层结构包含第一半导体层、位于第一半导体层上的第二半导体层以及位于第二半导体层上的第三半导体层，...
    2026-01-18
  • 一种多电流通道的沟槽MOSFET器件及其制造方法
    一种多电流通道的沟槽MOSFET器件及其制造方法_芯合半导体(合肥)有限公司_202511559002.9
    本申请公开了一种多电流通道的沟槽MOSFET器件及其制造方法，可应用半导体技术领域，该结构包括：源极、隔离介质层、栅极结构、具有n级阶梯沟槽的外延结构、缓冲层、衬底层以及漏极；缓冲层、衬底层以及漏极依次设于外延结构的非沟槽侧；栅极结构设于外...
    2026-01-18
  • 一种碳化硅沟槽MOSFET器件
    一种碳化硅沟槽MOSFET器件_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511343548.0
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅沟槽MOSFET器件，包括N型衬底；设置于N型衬底上的N型漂移区；设置于N型漂移区内并自器件上表面向下延伸的沟槽；容纳于沟槽内的栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅介质和多晶硅栅；设置于N型漂移区...
    2026-01-18
  • 一种具有L型沟道的功率器件及制备方法
    一种具有L型沟道的功率器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511335385.1
    本发明公开了一种具有L型沟道的功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，所述具有L型沟道的功率器件包括半导体基板及制备于所述半导体基板中心区的有源区，有源区内包括若干并列分布的元胞；对于任一元胞，包括沟槽栅单元、第二导电类型阱区、第一导电类型...
    2026-01-18
  • 一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件及其制造方法
    一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件及其制造方法_陕西电子芯业时代科技有限公司_202511289030.3
    本发明提供一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件及其制造方法。一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件，包括：复合衬底层；所述外延层设置于所述复合衬底层的一侧，所述外延层的一侧设置有源极。本发明提供一种基于...
    2026-01-18
  • 一种具有低导通电阻的GaN Trench MOSFET器件及其制备方法
    一种具有低导通电阻的GaN Trench MOSFET器件及其制备方法_北京大学_202511250046.3
    本发明提供一种具有低导通电阻的GaN Trench MOSFET器件及其制备方法，该器件结构包括n‑GaN衬底、低掺杂n‑GaN漂移层、AlGaN层、p‑GaN层、高掺杂n‑GaN层，在p‑GaN下方插入一层AlGaN，并通过栅槽刻蚀至低掺...
    2026-01-18
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511103438.7
    本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件包括相对设置第一表面和第二表面的半导体本体。半导体本体还包括设置于第一表面、第一区域，以及阱区。半导体器件还包括钝化层、栅极结构、源极和漏极。...
    2026-01-18
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510689201.5
    本申请改善半导体装置的耐压与导通电阻的折衷关系。半导体装置具备：第1导电型的漂移层、第2导电型的沟道层、第1导电型的源极层、栅极电极、源极电极以及漏极电极，漂移层的杂质浓度在漂移层内不同，在将施加到漂移层的电场的积分值设为耐压值，并将漂移层...
    2026-01-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511715777.0
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件中，多个氧化隔离结构均位于相对设置的隔离阱之间；源区位于外延层中，且位于第一区域中；第一掺杂区位于外延层中，且位于第二区域中，第一掺杂区与位于其两侧的两个氧化隔离结构以及栅极氧化层均接触；漏...
    2026-01-18
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511468955.4
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：有源区；漏区和源区，分别位于所述有源区内；耐压增强结构，位于所述有源区内，所述漏区和所述源区分别位于所述耐压增强结构两侧，所述耐压增强结构的底部的深度，在从漏区向源区的方向上逐渐减小...
    2026-01-18
  • 具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置
    具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置_安华高科技股份有限公司_202510733422.8
    本公开涉及具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置。一种具有变化的阈值电压的实例多栅极半导体装置包含：沟道；源极，其安置在所述沟道上；漏极，其安置在所述沟道上；第一栅极，其在所述沟道上安置在所述源极与所述漏极之间；及第二栅极，其在所述沟道上...
    2026-01-18
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