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最新专利技术
  • 一种太阳能电池组件、光伏系统及其制备方法
    一种太阳能电池组件、光伏系统及其制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511739613.1
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池组件、光伏系统及其制备方法，该太阳能电池组件包括：第一电池串、第二电池串、第一焊带、第二焊带、汇流条及绝缘层；第一电池串包括若干串联的第一电池片，其中包括第一端部电池片，第二电池串包括若干串联的...
    2026-01-02
  • 待层压的叠层组件、层压件、光伏组件和层压设备
    待层压的叠层组件、层压件、光伏组件和层压设备_天合光能股份有限公司_202511736898.3
    本申请实施例提供一种待层压的叠层组件、层压件、光伏组件和层压设备，属于光伏组件的制备技术领域。其中，待层压的叠层组件包括：由第一封装玻璃、第一封装胶膜、电池串、第二封装胶膜、第二封装玻璃依顺序叠设的初始叠层组件；胶膜垫条，初始叠层组件包括至...
    2026-01-02
  • 一种仿口琴管流道型PVT组件及一次成型加工工法
    一种仿口琴管流道型PVT组件及一次成型加工工法_大连理工大学_202511625931.5
    本发明属于太阳能开发利用技术领域，公开了一种仿口琴管流道型PVT组件及一次成型加工工法，包括由光伏玻璃盖板、光伏电池片、TPT背板、仿口琴管流道换热板、保温板和防护板；仿口琴管流道换热板包括仿口琴管、集液管、螺纹接头、金属导热垫板。本发明采...
    2026-01-02
  • 一种基于中空结构的光伏组件
    一种基于中空结构的光伏组件_中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司_202511296786.0
    本公开提出一种基于中空结构的光伏组件，包括：第一透光板、第二透光板、电池片组和多个透光支撑件；其中，第一透光板和第二透光板沿光伏组件的厚度方向间隔分布，且第一透光板和第二透光板之间形成密封的中空腔室，中空腔室内充入第一预设压力的惰性气体；电...
    2026-01-02
  • 一种柔性薄膜太阳电池组件层压-互连一体化封装工艺
    一种柔性薄膜太阳电池组件层压-互连一体化封装工艺_中国电子科技集团公司第十八研究所_202511206436.0
    本发明提供一种柔性薄膜太阳电池组件层压‑互连一体化封装工艺，包括将上封装层、薄膜电池电路层、下封装层按顺序叠放；真空加热固化，使热固化封装胶和高透过封装膜熔融流动，并使太阳电池片之间、太阳电池片与预埋线路柔性基板之间形成金属‑金属接触。本发...
    2026-01-02
  • 彩色光伏组件及其制备方法
    彩色光伏组件及其制备方法_江苏秀强玻璃工艺股份有限公司_202511112206.8
    本申请提供了一种彩色光伏组件及其制备方法，属于彩色光伏组件技术领域。本申请采用无机纳米结构色与树脂基材通过共混造粒，再熔融挤出，得到彩色胶膜，再将彩色胶膜与其他层材料进行真空层压，得到彩色光伏组件，该彩色光伏组件无需额外使用透明釉料类连接材...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510622596.7
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅衬底，硅衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第一表面依次层叠有第一钝化层和N型掺杂硅层，第二表面依次层叠有第二钝化层和P型掺杂硅层；N型掺杂硅层和P型掺杂硅层中的至少一...
    2026-01-02
  • ESD防护装置及其制备方法
    ESD防护装置及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511224315.9
    本申请涉及一种ESD防护装置及其制备方法。ESD防护装置包括ESD防护二极管，ESD防护二极管为欧姆接触型p‑GaN基二极管，ESD防护二极管的第一端与待防护增强型晶体管的栅极连接，ESD防护二极管的第二端与待防护增强型晶体管的源极连接；E...
    2026-01-02
  • 一种抗噪声的大电流同步BUCK芯片
    一种抗噪声的大电流同步BUCK芯片_成都锐成芯微科技股份有限公司_202511381264.0
    本发明公开了一种抗噪声的大电流同步BUCK芯片，包括相互隔离设置的高边功率场效应晶体管、低边功率场效应晶体管、驱动模块和控制模块及其他功能模块；将低边功率场效应晶体管和高边功率场效应晶体管相邻设置，两者四周设置有阻断层结构，将其相互隔离的同...
    2026-01-02
  • 包括信号传输填充单元的集成电路
    包括信号传输填充单元的集成电路_三星电子株式会社_202510117463.4
    一种集成电路，包括：第一标准单元，包括在第一方向上延伸的第一多个图案，第一标准单元具有第一间距；第二标准单元，包括在第一方向上延伸的第二多个图案，第二标准单元具有与第一间距不同的第二间距，第二标准单元在第一方向上与第一标准单元间隔开；信号传...
    2026-01-02
  • 显示面板
    显示面板_瀚宇彩晶股份有限公司_202410785238.3
    本发明公开了一种显示面板，其包括一基板以及一子像素。子像素设置在基板上，其包括一晶体管，且晶体管包括一栅极、一半导体层、一漏极、一源极以及一虚设电极。栅极设置在基板上，半导体层设置在栅极上，其中半导体层包括分开的第一部分和第二部分。漏极设置...
    2026-01-02
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_华虹半导体(无锡)有限公司_202511384608.3
    本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该方法旨在解决现有绝缘体上硅器件制造工艺中，晶边刻蚀步骤直接作用于金属层导致的等离子体感应损伤及良率低下的问题。该方法包括：在绝缘体上硅衬底上形成金属层；在所述金属层...
    2026-01-02
  • 一种单层十字交叉二维沟道逻辑器件
    一种单层十字交叉二维沟道逻辑器件_华东师范大学_202511350014.0
    一种单层十字交叉二维沟道逻辑器件，属于信息工程技术领域，适用于反相器Inverter、或门OR、或非门NOR。包括器件背栅、覆盖于器件背栅上的底部介电层、覆盖于底部介电层上的十字交叉沟道，所述十字交叉沟道由处于同一沟道平面的N型沟道和P型沟...
    2026-01-02
  • 一种三维半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种三维半导体器件及其制造方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511197206.2
    本发明公开一种三维半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以提高三维半导体器件的集成度和工作性能。三维半导体器件包括半导体基底、第一晶体管、第二晶体管、栅极侧墙和第一隔离结构。第一晶体管和第二晶体管沿半导体基底的厚度方向间隔设...
    2026-01-02
  • 集成电路
    集成电路_三星电子株式会社_202510268059.7
    一种集成电路包括：第一器件区域和第二器件区域，在基底上在第一方向上彼此平行延伸；第一栅电极，在第二方向上延伸，并且与第一器件区域和第二器件区域相交；第一晶体管，在第一器件区域中包括第一栅电极的至少一部分和具有第一导电类型的第一沟道；以及第二...
    2026-01-02
  • 一种分离栅器件结构、半导体封装结构和电源模块
    一种分离栅器件结构、半导体封装结构和电源模块_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511373236.4
    本申请提供了一种分离栅器件结构、半导体封装结构和电源模块，涉及半导体技术领域，该分离栅器件结构包括：集成设置在同一衬底上的多个功率管，多个功率管分别具有不同的开启阈值；多个功率管的漏极连接同一漏极端，多个功率管的源极连接同一源极端，多个功率...
    2026-01-02
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510446467.7
    一种半导体器件，包括堆叠式多栅极晶体管，该半导体器件包括：衬底；包括第一下有源图案和第一上有源图案的第一有源图案；包括第二下有源图案和第二上有源图案的第二有源图案；在第一有源图案上的第一栅极结构，在第二有源图案上的第二栅极结构，第一栅极结构...
    2026-01-02
  • 电压生成电路
    电压生成电路_三美电机株式会社_202510822724.2
    一种电压生成电路，具备：第一端子，被供给第一电压；第二端子，被供给第二电压；多个扩散电阻，设置在半导体基板上，串联连接在第一端子与第二端子之间，具有第一导电型；多个区域，设置在半导体基板上，分别包围多个扩散电阻，具有与第二导电型；第一晶体管...
    2026-01-02
  • 一种级联碳化硅开关器件及其原胞结构、制造方法
    一种级联碳化硅开关器件及其原胞结构、制造方法_安徽芯塔电子科技有限公司_202511264073.6
    本发明提供了一种级联碳化硅开关器件及其原胞结构、制造方法，包括 : 碳化硅双极型晶体管，所述碳化硅双极型晶体管包括基极、发射极、集电极，施加基极‑发射极偏置电流后，集电极与发射极之间导通；碳化硅结型场效应晶体管，所述碳化硅结型场效应晶体管包...
    2026-01-02
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410798563.3
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底包括第一区和第二区；图形化第一核心材料层，形成第一核心层；形成第一侧墙；对第二区的部分第二核心材料层进行改性处理，形成与第二核心材料层具有刻蚀选择比的第三核心材料层；图形化第二区的第二核心材料层和第三核心...
    2026-01-02
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