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最新专利技术
  • 一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备
    一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备_华为技术有限公司_202410788776.8
    本申请实施例公开了本申请实施例提供一种晶体管、芯片、半导体器件及电子设备，该晶体管包括源极、漏极、栅极、栅氧介质层、沟道和插入层，栅氧介质层设置于栅极与沟道之间；插入层设置于以下位置中的至少一处：源极和沟道之间、漏极和沟道之间或栅极与栅氧介...
    2026-01-03
  • 一种超结MOS晶体管及其制备方法
    一种超结MOS晶体管及其制备方法_江西萨瑞半导体技术有限公司_202511714344.3
    本发明提供一种超结MOS晶体管及其制备方法，通过设置衬底以及沉积在衬底上的N型外延层，N型外延层的两侧开设有第一沟槽，第一沟槽内填充有P型外延层，N型外延层中部开设有第二沟槽，第二沟槽内有呈左右结构设置的处于隔离状态的N+多晶硅和P+多晶硅...
    2026-01-03
  • 一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片
    一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511691838.4
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，通过将器件内部的P型阱区离散为掺杂浓度不同的第一P型阱区和第二P型阱区，在器件阻断状态下，主要由第一P型阱区发挥耐压结的作用，第一P型阱区的高掺杂可以确保器件的...
    2026-01-03
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511253250.0
    本发明提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，通过使半导体结构包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、沟槽、第一绝缘层、屏蔽栅极、第二绝缘层、控制栅极、第二导电类型掺杂区以及连接结构；其中，第一绝缘...
    2026-01-03
  • 碳化硅半导体结构、其制造方法及使用其的半导体工作器件的制造方法
    碳化硅半导体结构、其制造方法及使用其的半导体工作器件的制造方法_瑞砻科技股份有限公司_202410760597.3
    一种碳化硅半导体结构，其III‑V族基层与支持基板可以作为供碳化硅外延层或碳化硅外延掺杂层生长成完美单晶的基础生长界面，支持基板例如为蓝宝石基板、氮化铝基板或碳化硅基板，如果支持基板是氮化铝基板，则可以直接生长碳化硅外延层或碳化硅外延掺杂层...
    2026-01-03
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511653535.3
    本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，采用间隔设置的多个STI结构作为场板，可调整漂移区的表面电场，增加电场峰值点的数量，避免单一高电场点，实现“电场阶梯化”，可提升LDMOS器件的击穿电压，且可不改变电流的流动路径及导通电阻。进一步的...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511608005.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；漂移区，位于衬底上，且漂移区中掺杂有第一型离子；体区，位于漂移区侧部的衬底上，体区与漂移区相接触，且体区环绕漂移区，体区中掺杂有第二型离子，第一型离子与第二型离子的离子类型不同；反型层，间隔分布于...
    2026-01-03
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202511498735.6
    本申请涉及一种半导体功率器件及其制备方法。该半导体功率器件包括：衬底、外延层、第一栅极、第二栅极、第一介质层、第二介质层、多晶硅区与源极，衬底的材料包括碳化硅；外延层包括漂移区、阱层、第一沟槽、源区与源极接触区；第一沟槽自外延层远离衬底的表...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427928.2
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，设置为第一导电类型，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区、第一区域、第二区域和第三区域；第一表面设置有至少一个栅极沟槽，每一栅极沟...
    2026-01-03
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427926.3
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：终端区、过渡区和元胞区；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面设置有位于过渡区的第一沟槽、位于终端区的第二沟槽和位于元胞区的第三沟槽，第一沟...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511424579.9
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体还包括阱区、第一区域、第二区域、第三区域和至少一个第四区域；第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面设置有至少一个栅极沟槽，...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345283.8
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345269.8
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体的第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁连接；半导体本体还包括阱区和第一...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345258.X
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁...
    2026-01-03
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202511345253.7
    本申请公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一子面和第二子面，第一子面与第二表面的距离大于第二子面与第二表面的距离，第一子面和第二子面通过第一侧壁...
    2026-01-03
  • 垂直功率器件及其制造方法
    垂直功率器件及其制造方法_苏州纳维科技有限公司_202511172942.2
    本发明提供了一种垂直功率器件及其制造方法，垂直功率器件包括：具漏极的复合衬底，设置于复合衬底上的具有鳍部的有源层；形成于鳍部的上表面上方的源极；围绕鳍部的鳍侧壁并延伸至栅极沟槽的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上方并位于源极两侧且相互隔离的第一...
    2026-01-03
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510374032.6
    一种半导体装置包括：背面层间绝缘膜；有源图案，在背面层间绝缘膜上在第一方向上延伸；栅极结构，在有源图案上在第二方向上延伸；凹部，在有源图案中并且在栅极结构的一侧上；源极/漏极间隔件，在凹部中；源极/漏极图案，在凹部中并且在源极/漏极间隔件上...
    2026-01-03
  • FDSOI NMOS器件及其制造方法
    FDSOI NMOS器件及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587264.6
    本发明公开了一种FDSOI NMOS器件，包括：形成于SOI层的顶部表面上的栅极结构，被栅极结构所覆盖的SOI层作为沟道区。在栅极结构两侧的形成有N型重掺杂的源漏区，源漏区包括形成于SOI层的顶部表面上的外延抬升结构。外延抬升结构包括形成于...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件和射频模组
    一种半导体器件和射频模组_泉州市三安集成电路有限公司_202511695092.4
    本发明涉及一种半导体器件和射频模组。半导体器件的通孔自衬底、半导体叠层方向延伸至贯穿半导体叠层并暴露出源极，且通孔包括位于衬底内且连接第二表面的第一孔段、以及跨设于衬底和半导体叠层内的第二孔段，第二孔段自第一孔段向半导体叠层延伸并贯穿；金属...
    2026-01-03
  • 一种用于氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
    一种用于氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511335815.X
    本申请提供了一种用于氮化镓高电子迁移率晶体管的密封环技术。密封环包括：密封孔；环形金属层，至少部分的所述环形金属层覆盖在所述密封孔的壁面以及所述密封孔内的衬底的上表面；环形隔断槽，所述环形隔断槽位于至少部分的所述环形金属层的上方。本申请的有...
    2026-01-03
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