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最新专利技术
  • 基于基因本体引导和多模态注意力的药物-靶点亲和力预测方法及系统
    基于基因本体引导和多模态注意力的药物-靶点亲和力预测方法及系统_海南大学_202511209360.7
    本发明涉及一种基于基因本体引导和多模态注意力的药物‑靶点亲和力预测方法及系统。所述方法包括：补全靶点蛋白的基因本体GO功能注释；提取GO特征表示，使用ESM‑2模型提取出序列特征，通过门控机制进行融合得到蛋白质特征；使用Molformer模...
    2026-02-07
  • 基于融合基因数据构建染色体三维结构的方法及其应用
    基于融合基因数据构建染色体三维结构的方法及其应用_江南大学_202511168607.5
    本发明公开了一种基于融合基因数据构建染色体三维结构的方法及其应用，属于基因组技术领域。该方法通过分析融合基因的的内互作以及染色体之间的间互作，通过计算互作的频次明确了染色体的二、三和四级的层级结构，并且再根据染色体二、三和四级的层级结构构建...
    2026-02-07
  • 芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质
    芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质_深圳市因梦晶凯测试技术有限公司_202511677329.6
    本申请提出一种芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质。芯片存储区域测试方法包括：获取待测试DRAM芯片中用于存放目标测试程序的目标区域的地址；加载初始测试程序至测试系统SOC中的SRAM芯片，调用初始测试程序根据地址对目标区域进...
    2026-02-07
  • 内存老化测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品
    内存老化测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品_中国移动通信有限公司研究院_202511281452.6
    本申请涉及人工智能芯片领域，提供一种内存老化测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品，该方法包括：按照待测试的处理器的内核数量，将处理器的内存空间划分为多个内存地址块分配给处理器的内核；对多个内存测试算法进行排列组合，生成多个第一算法序列；...
    2026-02-07
  • 存储设备预警的方法及装置、电子设备和存储介质
    存储设备预警的方法及装置、电子设备和存储介质_北京罗克维尔斯科技有限公司_202410764077.X
    本公开提供了一种存储设备预警的方法及装置、电子设备和存储介质，收集存储设备的状态配置信息，并将状态配置信息上传云端服务器；接收云端服务器发送的第一预警模型的模型参数，对第二预警模型进行调整优化；将目标存储设备的状态配置信息，输入优化后的第二...
    2026-02-07
  • 一种存储器用数据误码率降低方法
    一种存储器用数据误码率降低方法_力瑞信(深圳)科技有限公司_202511250097.6
    本发明公开了一种存储器用数据误码率降低方法，本发明涉及存储器技术领域，本发明将单事件因果链归入物理劣化型、串扰型、环境干扰型三类误码，通过频次统计与互信息分析筛选核心特征子集；利用稀疏特征胶囊网络预测误码率，结合双维紧急度矩阵生成脉冲参数动...
    2026-02-07
  • 存储设备的工作模式确定方法及装置
    存储设备的工作模式确定方法及装置_中国移动通信有限公司研究院_202511102528.4
    本申请提供一种存储设备的工作模式确定方法及装置，该方法包括：对存储设备的逻辑存储单元运行多个阶段的IO压力测试，得到压力测试值；获取每个阶段IO压力测试对应的设备基础信息和设备外读取信息；设备外读取信息包括逻辑存储单元的多路径IO流量、多路...
    2026-02-07
  • 一种固态硬盘检测方法、装置及终端设备
    一种固态硬盘检测方法、装置及终端设备_力瑞信(深圳)科技有限公司_202511231009.8
    本申请提供了一种固态硬盘检测方法、装置及终端设备，适用于信号处理技术领域，该方法包括：对固态硬盘存储信号信息进行结构化特征提取，生成初始固态硬盘存储信号特征信息；对初始固态硬盘存储信号特征信息进行筛选，生成目标固态硬盘存储信号特征信息；根据...
    2026-02-07
  • 管理存储装置中的ZQ校准
    管理存储装置中的ZQ校准_长江存储科技有限责任公司_202410758900.6
    提供了用于管理半导体装置中的ZQ校准的系统、装置和方法。在一个方面中，一种电路包括被配置为提供偏移码的存储器和逻辑电路。逻辑电路被配置为接收ZQ校准码作为第一输入并且接收偏移码作为第二输入，并且基于ZQ校准码和偏移码来提供电阻器码作为输出。
    2026-02-07
  • 一种模拟存储器的方法及装置
    一种模拟存储器的方法及装置_北京经纬恒润科技股份有限公司_202511270520.9
    本申请公开了一种模拟存储器的方法及相关装置，方法包括：将Flash存储器的第一扇区划分出若干个存储组用于模拟EEPROM；为不同频率段的数据分配不同的存储组进行存储，其中的不同频率表征数据获取频率或数据更新频率。上述方案基于硬件Flash实...
    2026-02-07
  • 存储器装置以及其数据存取方法
    存储器装置以及其数据存取方法_旺宏电子股份有限公司_202410809676.9
    本公开提供了一种存储器装置以及其数据存取方法。存储器装置的数据存取方法包括：在第一时间区间中，对第一存储单元区块的第一读取选中字线施加读取电压；在第一时间区间中的第一数据读出时间区间中开启第一存储单元区块中的至少一第一存储单元串；在第二时间...
    2026-02-07
  • 一种可编程flash掉电保护系统
    一种可编程flash掉电保护系统_中国兵器装备集团自动化研究所有限公司_202511170052.8
    本发明公开了一种可编程flash掉电保护系统，涉及供电保护技术领域，减少了硬件设计复杂度，无需考虑掉电保护具体时间。可增强掉电保护稳健性，可靠性，同时避免掉电保护导致的欠压状态时间下工作时间过长的问题，有效保护硬件资源使用寿命。
    2026-02-07
  • 具有初始化数据块的非易失性存储器件及其设置方法
    具有初始化数据块的非易失性存储器件及其设置方法_三星电子株式会社_202510290744.X
    一种设置非易失性存储器件的初始化数据块的方法包括：生成要编程到初始化数据块中的初始化数据和虚设模式；将用于对非易失性存储器件进行初始化的初始化数据编程到与初始化数据块的初始化数据区域相对应的第一NAND单元串的存储单元中；以及将虚设模式编程...
    2026-02-07
  • 存储装置、非易失性存储器装置以及操作存储器控制器的方法
    存储装置、非易失性存储器装置以及操作存储器控制器的方法_三星电子株式会社_202510182440.1
    提供了一种存储装置、非易失性存储器装置以及操作存储器控制器的方法。所述存储装置包括：非易失性存储器裸片以及输出第一数据输出命令地址包并接收第一数据的存储器控制器。存储器控制器通过数据总线从第一非易失性存储器裸片接收第一数据，并且顺序地输出命...
    2026-02-07
  • 用于存储器存取操作的独立源时钟
    用于存储器存取操作的独立源时钟_美光科技公司_202510790454.1
    本申请涉及用于存储器存取操作的独立源时钟。存储器系统可配置成支持多源时钟方案，所述多源时钟方案利用独立源时钟进行跨接口的读取数据传送和写入数据传送。基于执行所述读取操作，所述存储器系统可使用在第一频率下操作的第一源时钟在信道上传达读取数据。...
    2026-02-07
  • 存储器系统
    存储器系统_铠侠股份有限公司_202510082961.X
    本发明实现一种存储器系统，其能够有效率地利用资源。控制器将多个超级区块中的最大可写入尺寸作为第1尺寸通知给主机，所述第1尺寸是主机对数据的管理单位的尺寸。所述控制器响应于从所述主机接收到指定具有所述第1尺寸的第1管理单位的一个以上的写入命令...
    2026-02-07
  • TCSPC存储电路及其数据读写方法
    TCSPC存储电路及其数据读写方法_苏州识光芯科技术有限公司_202511678550.3
    本发明提供一种TCSPC存储电路及其数据读写方法。其中，所述TCSPC存储电路是利用第一存储器存储各个时差区间内的单次采集数据，以及利用第二存储器存储各个所述时差区间内的多次所述采集数据经逻辑运算后的数据。基于此，通过灵活配置所述第一存储器...
    2026-02-07
  • 静态随机存取存储器和电子设备
    静态随机存取存储器和电子设备_华为技术有限公司_202410774007.2
    本申请提供了一种静态随机存取存储器和电子设备，包括延迟信号线、存储单元和延迟电路，延迟电路包括输入电路和输出电路，输入电路包括输入端口、第一MOS管和第二MOS管，输入端口与第一MOS管和第二MOS管的栅极连接，第一MOS管的第一极用于接入...
    2026-02-07
  • 一种基于fpga的DDR3多端口读写调度控制方法及系统
    一种基于fpga的DDR3多端口读写调度控制方法及系统_三峡智控科技有限公司_202511219254.7
    本发明涉及控制技术领域，尤其涉及一种基于fpga的DDR3多端口读写调度控制方法及系统，该方法包括：基于fpga内自定义逻辑生成对DDR3的读写请求，识别读写请求，基于识别结果将其存储至对应的存储队列；RR调度器判断当前存储队列是否为非空，...
    2026-02-07
  • 防行锤攻击方法、行译码方法及装置、存储介质及DRAM
    防行锤攻击方法、行译码方法及装置、存储介质及DRAM_上海芯高峰微电子有限公司_202511256715.8
    一种防行锤攻击方法、行译码方法及装置、存储介质及DRAM。所述方法应用于DRAM，所述DRAM包括若干存储行及冗余行单元构成的存储阵列；所述方法包括：监测所述存储阵列中各存储行的访问频率，并标记访问频率大于预设频率阈值的存储行单元；为访问频...
    2026-02-07
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