Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种III-V族/硅叠层光伏电池及其制备方法
    一种III-V族/硅叠层光伏电池及其制备方法_江苏宜兴德融科技有限公司_202511158480.9
    本申请公开了一种III‑V族/硅叠层光伏电池及其制备方法。所述III‑V族/硅叠层光伏电池包括硅电池片、III‑V族太阳电池片及设置在硅电池片和III‑V族太阳电池片之间的复合键合层，其中，所述复合键合层具有纳米级厚度，包括多个金属纳米颗粒...
    2025-12-25
  • 一种静电释放结构、显示基板及显示装置
    一种静电释放结构、显示基板及显示装置_成都京东方显示科技有限公司_202410689251.9
    本发明公开了一种静电释放结构、显示基板及显示装置，该静电释放结构，用于连接于两条信号线之间，包括至少一个薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构包括栅极、氧化物半导体、第一电极、第二电极以及N个导电机构；氧化物半导体位于栅极的一侧、且与栅极绝缘，氧化...
    2025-12-25
  • 显示装置、制造显示装置的方法和电子装置
    显示装置、制造显示装置的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510653989.4
    公开了一种显示装置、用于制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置，根据实施例的显示装置包括：基底；半导体层，在基底上；栅电极，与半导体层的一部分叠置；以及源电极和漏电极，电连接到半导体层的另一部分，其中，半导体层包括包含多晶硅的第一区以及...
    2025-12-25
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202410720405.6
    本申请公开一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括基板和设置于基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括栅极、第一金属氧化物有源层以及源极和漏极。第一金属氧化物有源层位于栅极的一侧，并包括铟元素、镧系元素以及铜元素。源极和漏极与第一金属氧化物有源层连接...
    2025-12-25
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_TCL华星光电技术有限公司_202511200386.5
    本申请涉及一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括基板、第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一有源部和设置于第一有源部远离基板一侧的第一栅极；第二晶体管设于第一晶体管远离基板的一侧，第二晶体管包括第二有源部和设置于第二有源部远离基板一侧的第...
    2025-12-25
  • 显示面板、显示器及显示面板的制作方法
    显示面板、显示器及显示面板的制作方法_深圳市华星光电半导体显示技术有限公司_202410718208.0
    本申请实施例公开了一种显示面板、显示器及显示面板的制作方法。显示面板包括第一区域和第二区域，显示面板包括依次设置的第一弹性层、柔性衬底层、薄膜晶体管、发光器件和第二弹性层，柔性衬底层上对应第一区域的位置开设有通孔，薄膜晶体管和发光器件位于第...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511652165.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括第一区域和第二区域，所述第二区域多个晶体管，每个所述晶体管包括：半导体层和源区、漏区，所述源区和漏区位于所述半导体层中且靠近表面；第二栅介质层，位于所述半导体层的表面上；栅极导体，位于所...
    2025-12-25
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511153945.1
    提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，通过第一隔离沟槽分离并在第一方向上延伸；第三鳍图案，在与第一方向相交的第二方向上与第一鳍图案间隔开并在第一方向上延伸；第四鳍图案，通过第二隔离沟槽与第三鳍图案分离；第一栅结构，...
    2025-12-25
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_三星电子株式会社_202510383418.3
    提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。根据各种实施例的半导体装置包括：衬底和形成在衬底上的多个晶体管堆叠件。每个晶体管堆叠件包括下晶体管和上晶体管，下晶体管包括至少一个下沟道层和包围至少一个下沟道层的下栅极结构并且形成在衬底上，上晶体管包...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510726803.3
    一种半导体装置包括：绝缘基础层；鳍型图案，在绝缘基础层上，并且在第一方向上延伸；多个沟道结构，在鳍型图案上，并且在第一方向上彼此间隔开，所述多个沟道结构中的每个包括在与第一方向垂直的第二方向上彼此间隔开的多个沟道层；多个栅极结构，分别围绕所...
    2025-12-25
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510671964.7
    本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及半导体器件结构。该结构包括：衬底；绝缘材料，设置在所述衬底上；第一鳍结构，从所述衬底向上延伸穿过所述绝缘材料；第二鳍结构，从所述衬底向上延伸穿过所述绝缘材料；源极/漏极(S/D)特征，...
    2025-12-25
  • 具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件
    具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件_剑桥氮化镓器件有限公司_202511192508.0
    公开了一种异质结芯片，包括：基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括：第一异质结晶体管、第二异质结晶体管，以及与所述第二异质结晶体管操作性地连接的接口电路；其中，第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的一个是增强型场效应晶体管，而第一异...
    2025-12-25
  • 芯片电池及其制备方法
    芯片电池及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511563496.8
    本申请提供了一种芯片电池及其制备方法，属于半导体技术领域，包括衬底及至少一条控制线路，每条控制线路包括串联的浮栅晶体管及储能单元，储能单元包括一个或至少两个并联的电容结构，浮栅晶体管的至少部分位于衬底上，电容结构位于衬底内；芯片电池在使用之...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202510504304.X
    本发明提供一种半导体装置，具有：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；多个沟槽部，其具有栅极沟槽部以及虚设沟槽部，并在预先确定的沟槽排列方向上以预先确定的间距进行排列；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其掺杂浓度...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511625543.7
    本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的一侧依次形成伪栅材料层和掩膜层，掩膜层包括第一掩膜部以及第二掩膜部；基于掩膜层图形化伪栅材料层，形成伪栅极结构，伪栅极结构包括第一...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411856276.X
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：形成包覆鳍部的栅结构；所述鳍部沿第一方向延伸、且贯穿所述栅结构；所述栅结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；在相邻的所述栅结构之间的鳍部中形成第一有源区；在所述第...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410720450.1
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的鳍部，衬底包括基底以及位于基底上的隔离层，鳍部位于基底上，衬底包括第一器件区；在第一器件区的衬底上和第一器件区的鳍部上形成牺牲层，牺牲层顶部高于鳍部的顶部；在牺牲层内形成栅极开口，...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410713233.X
    一种半导体结构及其形成方法，包括：形成位于基底上沿第一方向延伸的介质鳍槽、形成沿第二方向延伸且横穿所述介质鳍槽的隔断槽；形成位于介质鳍槽中第一牺牲层和位于隔断槽中第二牺牲层；进行图形化处理，获得多个鳍，包括：图形化第一牺牲层获得牺牲鳍，图形...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511649809.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：检测所述第一器件和所述第二器件的栅极结构之间的高度差；在所述半导体结构的表面依次沉积多晶硅层和牺牲层；减薄所述牺牲层至暴露所述第二器件的栅极结构上的多晶硅层的上表面；对所述第二器件中的栅极结构上...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511649237.7
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，栅极在栅极延伸方向上被切割成多段，相邻段栅极之间形成有栅极隔离结构，通过在侧壁氮化硅及在被暴露出来的衬底上引入水汽，利用疏水性原理，采用自对准工艺在栅极的顶部和栅极隔离结构的顶部形成保护层。在回刻工艺中...
    2025-12-25
首页 上一页 18 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证