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最新专利技术
  • 压电散热装置、压电散热方法及光谱传感器
    压电散热装置、压电散热方法及光谱传感器_四川虹信软件股份有限公司_202511228033.6
    本发明公开了电子设备技术领域的一种压电散热装置、压电散热方法及光谱传感器，包括壳体，压电组件包括第一压电组件和第二压电组件，并设于壳体内，第一压电组件将壳体内部分为第一腔室和第二腔室，第一压电单元含第一振膜和第一压电体，第一振膜与壳体形成狭...
    2026-01-28
  • 一种芯片核心散热装置
    一种芯片核心散热装置_上海应用技术大学_202511267284.5
    本发明涉及一种芯片核心散热装置，包括由下至上依次布置的芯片底板、散热器冷板和散热器盖板，其中，散热器盖板上连接安装有用于冷却工质流入流出的散热器接头，散热器冷板密封安装在散热器盖板内，散热器冷板和散热器盖板之间合围形成换热腔室，散热器冷板朝...
    2026-01-28
  • 一种具有复合结构的强化换热表面及芯片散热结构
    一种具有复合结构的强化换热表面及芯片散热结构_上海应用技术大学_202511266800.2
    本发明涉及一种具有复合结构的强化换热表面及芯片散热结构，其中，强化换热表面包括：底板、金属框架、气泡逸出孔和多孔介质，底板与金属框架为一体结构，多孔介质设于底板的上表面，填充在框架内的多孔介质设有气泡逸出孔；芯片散热结构包括：第一盖板、第一...
    2026-01-28
  • 一种强化换热表面及芯片冷却结构
    一种强化换热表面及芯片冷却结构_上海应用技术大学_202511266797.4
    本发明涉及一种强化换热表面及芯片冷却结构，其中，强化换热表面包括基板、多孔层、肋柱和微型凹孔，多孔层覆盖于基板顶面并设置有若干微型凹孔，肋柱和基板为一体结构，若干肋柱设置于基板顶面；芯片冷却结构包括盖板、散热器接头、底板，底板顶面设置有强化...
    2026-01-28
  • 一种高散热芯片封装结构
    一种高散热芯片封装结构_广东长兴半导体科技有限公司_202511598721.1
    为克服现有芯片封装结构存在散热效率不足的问题，本发明提供了一种高散热芯片封装结构，包括PCB板、芯片基板、封装层和芯片晶圆；所述芯片基板包括依次层叠的第一线路板、半固化片和第二线路板，所述第一线路板包括第一基板以及位于所述第一基板两侧的第一...
    2026-01-28
  • 一种新型半桥碳化硅模块
    一种新型半桥碳化硅模块_合肥钧联汽车电子有限公司_202511272406.X
    本发明公开了一种新型半桥碳化硅模块，包括：散热底板，所述散热底板的上表面固定连接有功率模块和壳体，所述壳体围绕所述功率模块设置，所述壳体的上部卡扣连接有上盖，所述上盖用于保护所述功率模块，所述散热底板、壳体以及上盖所形成的空间内填充有硅凝胶...
    2026-01-28
  • 一种集成式芯片散热盖板结构
    一种集成式芯片散热盖板结构_上海应用技术大学_202511267279.4
    本发明涉及一种集成式芯片散热盖板结构，包括基板及其上方连接安装的顶盖，其中，基板与顶盖之间围合形成密封的换热腔室，基板的顶面一体化设置有若干肋柱或肋片，基板的顶面覆盖有多孔层，肋柱或肋片穿入多孔层，多孔层的表面开设有若干微型凹孔，顶盖上连接...
    2026-01-28
  • 一种基于PVDF膜与半导体制冷片的电子元件冷却器及方法
    一种基于PVDF膜与半导体制冷片的电子元件冷却器及方法_西安西热锅炉环保工程有限公司_202511230365.8
    本发明公开了一种基于PVDF膜与半导体制冷片的电子元件冷却器及方法，包括壳体、压电薄膜及热电制冷功能层、射流孔层和散热层；压电薄膜及热电制冷功能层安装于壳体的顶部开口处，散热层安装于壳体的底部开口处，射流孔层安装于壳体内；所述压电薄膜及热电...
    2026-01-28
  • 用于半导体封装的微通道冷却方法及系统
    用于半导体封装的微通道冷却方法及系统_苏州中瑞宏芯半导体有限公司_202511212746.3
    本发明公开了用于半导体封装的微通道冷却方法及系统，属于半导体封装检测技术领域，其具体包括：在半导体封装基板内构建分级微通道网络，其由一级主通道与等效水力直径更小的二级分支通道构成，二者通过锥形过渡段连通。泵通过一级主通道向二级分支通道泵入冷...
    2026-01-28
  • 封装结构
    封装结构_瑞昱半导体股份有限公司_202510507348.8
    一种封装结构包含第一基板、晶粒、模塑层、第二基板、导通孔及散热层。第一基板的上、下表面分别具有第一上接触点及第一下接触点。第一上接触点通过第一基板的走线层个别地电性连接第一下接触点。晶粒的主动面电性连接第一上接触点。模塑层侧向地包封晶粒。第...
    2026-01-28
  • 一种功率模块封装结构
    一种功率模块封装结构_深圳市力创半导体有限公司_202410728105.2
    本发明提出一种功率模块封装结构，包括层叠设置的第一导电散热外壳，芯片组和第二导电散热外壳，芯片组至少包括层叠设置的第一功率芯片组和第二功率芯片组，第一功率芯片组和第二功率芯片分别至少包括一个功率芯片单元，功率芯片单元至少包括相对设置的第一电...
    2026-01-28
  • 一种功率模块封装器件
    一种功率模块封装器件_深圳市力创半导体有限公司_202410726036.1
    本发明提供一种功率模块封装器件，包括：第一散热金属外壳、第二散热金属外壳和位于所述第一散热金属外壳和第二散热金属外壳之间的功率半导体组件，所述功率半导体组件至少包括第一功率半导体组件，所述第一功率半导体组件包括第一功率芯片组以及第一绝缘散热...
    2026-01-28
  • 钝化层结构及其制作方法
    钝化层结构及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511621884.7
    本申请提供一种钝化层结构及其制作方法，所述结构包括依次堆叠的氧化铪层、氧化铪与石墨烯量子点组成的复合材料层、石墨烯量子点层以及氟化非晶碳层。所述氧化铪层、所述复合材料层、所述石墨烯量子点层以及所述氟化非晶碳层共同组成钝化层结构，四层材料层协...
    2026-01-28
  • 一种封装晶圆的微凸点结构、制备方法及封装晶圆组合结构
    一种封装晶圆的微凸点结构、制备方法及封装晶圆组合结构_北京芯粒集成科技有限公司_202510980327.8
    本发明属于封装晶圆技术领域，具体涉及一种封装晶圆的微凸点结构、制备方法及封装晶圆组合结构。微凸点结构包括从下至上依次设置在封装晶圆上的种子层、微凸点导电柱、镍阻挡层、微凸点铜层、焊料凸点；封装晶圆的无机介质层设置于承载晶圆的上表面，在无机介...
    2026-01-28
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510194233.8
    描述了封装结构及其形成方法。在一些实施例中，该结构包括：通孔、与通孔相邻设置的第一半导体管芯、设置在通孔的侧表面和第一半导体管芯的侧表面上的应力释放层以及设置在应力释放层上并且在通孔和第一半导体管芯之间的模制材料。通孔、半导体管芯和模制材料...
    2026-01-28
  • 半导体装置及制备方法以及电气系统
    半导体装置及制备方法以及电气系统_深圳赛意法微电子有限公司_202410712120.8
    本公开涉及半导体装置、制备方法以及电气系统。公开了一种半导体装置，包括：半导体衬底，包括至少一个功率半导体器件；在半导体衬底上的绝缘膜片，具有穿通绝缘膜片的至少一个第一开口，至少一个第一开口使得半导体衬底的相应的第一部分露出；导电的至少一个...
    2026-01-28
  • 一种集成电路的高阻尼防振基座
    一种集成电路的高阻尼防振基座_江苏瑞鑫集成电路设备有限公司_202511251412.7
    本发明属于集成电路设备技术领域，且公开了一种集成电路的高阻尼防振基座，包括下基座，将集成电路设备放置在上基座的内部，被夹持组件中的四个第一柔性方环进行对中夹持定位，之后使用集成电路设备，集成电路设备运行过程中，受到震动时，使上基座产生震动现...
    2026-01-28
  • 半导体晶片结构及半导体器件
    半导体晶片结构及半导体器件_联咏科技股份有限公司_202510737085.X
    本发明公开一种半导体晶片结构及半导体器件。所述半导体晶片结构包括半导体晶片及多个沟槽组。半导体晶片具有多个管芯区域及设置在管芯区域之间用于分离多个管芯区域的多个切割道。多个沟槽组设置在多个管芯区域及多个切割道之间。多个管芯区域中的每一个由多...
    2026-01-28
  • 一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺
    一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺_金兰功率半导体(无锡)有限公司_202511607320.8
    本发明提供一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺，涉及半导体封装技术领域，自动分裂系统包括上料模组，上料模组设置至少一个转运料盒和气缸开关，转运料盒一侧壁设置气缸组件和转运传感器，控制器通过接收转运传感器的信号，驱动转运机器人从转运料盒取出陶...
    2026-01-28
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511613306.9
    本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。本发明包括：提供具有第一导电类型掺杂离子的基底，形成深沟槽位于基底内，形成具有第二导电类型掺杂离子的掺杂区位于深沟槽下方的部分基底内，形成金属硅化物层位于深沟槽的底部；从而可通过将...
    2026-01-28
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