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最新专利技术
  • 一种BGA器件的检测方法及系统
    一种BGA器件的检测方法及系统_深圳市华汉伟业科技有限公司_202511086389.0
    一种BGA器件的检测方法及系统，用于对BGA器件中锡球的表面缺陷进行检测；根据待测BGA器件的实时图像得到待测BGA器件的初始检测范围，进而得到待测BGA器件的实际检测范围；根据所述实际检测范围得到每个锡球的检测区域；获取每个锡球的检测区域...
    2026-01-29
  • 一种侧面进线的超细间距焊线劈刀结构及其使用方法
    一种侧面进线的超细间距焊线劈刀结构及其使用方法_宁波市鑫瑞鸿新材料科技有限公司_202511224293.6
    本发明公开了一种侧面进线的超细间距焊线劈刀结构及其使用方法，涉及半导体封装技术领域，包括工作台、升降台、升降计数机构、转换机构、放线管、劈刀机构和吸烟机构，升降台滑动设置于工作台与安装架之间，升降计数机构设置于安装架上，转换机构设置于升降台...
    2026-01-29
  • 一种单头植球机
    一种单头植球机_湖南健坤精密科技有限公司_202511612556.0
    本发明涉及植球机技术领域，具体涉及一种单头植球机，包括支座和植球机构。植球机构包括壳体、植球导管和超声波震动圈。壳体上开设有植球腔，锡球放置在植球腔内，植球导管安装于壳体上且与植球腔连通，超声波震动圈安装于壳体上，超声波震动圈位于植球导管上...
    2026-01-29
  • 一种CoWoS制程方法
    一种CoWoS制程方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511244220.3
    本发明公开了一种CoWoS制程方法，包括步骤一：准备玻璃晶圆；步骤二：在所述玻璃晶圆上方植铜针或电镀铜针；步骤三：通过塑封胶形成的塑封体将玻璃晶圆和铜针包裹；步骤四：对所述塑封体进行研磨，使所述铜针露出；步骤五：在所述铜针上方进行微凸块制作...
    2026-01-29
  • 一种半导体器件的制造方法、封装结构
    一种半导体器件的制造方法、封装结构_湖北星辰技术有限公司_202511233900.5
    本公开实施例提供一种半导体器件的制造方法、封装结构。所述方法包括：提供待键合的器件晶圆和多个待键合的第一芯片；待键合的第一芯片包括第一载片、第一器件层、第一衬底和第一键合层，第一器件层位于第一衬底的正面，第一键合层位于第一衬底的背面；器件晶...
    2026-01-29
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511212089.2
    一种半导体结构及其形成方法、电子设备，在半导体结构的形成方法中，凸块结构形成在凹槽结构上，且导电层电连接相邻凸块结构，从而各个凸块结构呈短路状态。在对凸块结构进行热回流处理的步骤中，以及将晶圆的多个芯片区相分离的步骤中，即使在半导体结构中产...
    2026-01-29
  • 一种用于芯片生产的集成封装设备
    一种用于芯片生产的集成封装设备_长春曦彩科技有限公司_202511200436.X
    本发明公开了一种用于芯片生产的集成封装设备，涉及芯片封装技术领域。该用于芯片生产的集成封装设备，包括：封装仓和输送设备，所述封装仓的内部装配有可进行移动的点胶头和封装模具，所述封装仓的内部装配有由线性电机驱动的移动杆，所述移动杆的侧面装配有...
    2026-01-29
  • 芯片封装打线方法及芯片
    芯片封装打线方法及芯片_深圳市紫光同创电子股份有限公司_202511028227.1
    本申请公开了一种芯片封装打线方法及芯片。所述芯片封装打线方法包括：在裸片上自外向内设置多圈裸片焊盘，以及在四方扁平无引脚封装结构的引线框架上自外向内设置多圈引脚；配置高速差分信号的正信号的引线键合线和高速差分信号的负信号的引线键合线的夹角处...
    2026-01-29
  • 一种纳米铜膏辅助混合键合的方法
    一种纳米铜膏辅助混合键合的方法_广东工业大学_202510901410.1
    本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种纳米铜膏辅助混合键合的方法，基板布线完成后，经机械化学抛光和预处理，所述基板的待键合面具有铜凸块和介电层，所述铜凸块的顶面低于所述介电层的顶面；基板的待键合面设置掩膜版，使所述待键合面的铜凸块裸露；向...
    2026-01-29
  • 光电合封器件的封装方法
    光电合封器件的封装方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511303001.8
    一种光电合封器件的封装方法，包括：提供电子集成电路晶圆，电子集成电路晶圆键合有支撑晶圆；对电子集成电路晶圆进行处理形成未贯穿的第一切割沟槽；将电子集成电路晶圆贴附胶带膜；剥离支撑晶圆；对电子集成电路晶圆进行切割形成第二切割沟槽，以将其分割为...
    2026-01-29
  • 芯片封装方法和电路板
    芯片封装方法和电路板_天芯互联科技有限公司_202510973747.3
    本申请提供了一种芯片封装方法和电路板，其中，芯片封装方法包括：获取带有承载层的第一线路层，并将第一芯片嵌设于所述第一线路层内；从所述承载层靠近所述第一芯片一侧进行塑封，形成第一封装层，并去除所述承载层，以暴露所述第一芯片的一侧端面；将第二芯...
    2026-01-29
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410708044.3
    本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层包括氮化物薄膜；进行化学预处理以形成隔离阻挡层于氮化物薄膜上方；形成光刻胶层于隔离阻挡层上方并图形化光刻胶层；基于图形化后的光刻胶层对氮化物薄膜进行刻蚀以...
    2026-01-29
  • 一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法
    一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511186211.3
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种预制真空腔体集成的超声波指纹芯片封装方法，包括如下步骤：S1：进行第一层的金属布线，在玻璃基板上通过溅射或蒸发沉积金属层，采用光刻和刻蚀工艺形成互连线路，得到RDL1；S2：铺设PI层和PVDF层；S...
    2026-01-29
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202510738072.4
    在本公开中，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，能够抑制在控制器芯片周围产生空隙。半导体装置的制造方法具有：准备层叠体的工序，所述层叠体中，跨及粘合膜与绝缘粘合膜双方而埋入有控制器芯片；以及使所述层叠体中的所述绝缘粘合膜侧与基板相向，...
    2026-01-29
  • 高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用
    高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用_苏州博志金钻科技有限责任公司_202511577694.X
    本发明公开了一种高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用，其中，制备工艺，包括：步骤S100、于基材第一侧进行微弧氧化处理以形成第一绝缘层；步骤S200、将基材浸渍于封孔液中，进行低温封孔处理形成致密封孔层；步骤S300、采用磁控溅射方法和/...
    2026-01-29
  • 一种石英晶体引脚整形机
    一种石英晶体引脚整形机_米图(广东)科技有限公司_202511551560.0
    本发明公开了一种石英晶体引脚整形机，包括机架以及设置在机架上的转盘、驱动装置、上料装置、开脚装置、剪脚装置和折脚装置；驱动装置的输出端与转盘连接；开脚装置对接于上料装置的后端且其上设置有开脚槽位；剪脚装置对接于开脚装置的后端且其上设置有剪脚...
    2026-01-29
  • 一种玻璃基顶层芯板及其制备方法
    一种玻璃基顶层芯板及其制备方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511270621.6
    本发明提供的玻璃基顶层芯板的制备方法，包括：提供玻璃基板，采用镭射钻孔在玻璃基板中形成初始通孔；在玻璃基板表面和通孔中压合第一介电材料层；对初始通孔进行二次镭射钻孔或机械钻孔形成目标通孔；对目标通孔进行电镀并形成线路；将两片上述玻璃基板以介...
    2026-01-29
  • 一种新型封装基板及其制作方法
    一种新型封装基板及其制作方法_江西晶弘新材料科技有限责任公司_202511222662.8
    本发明公开一种新型封装基板及其制作方法，包括以下步骤：(1)将绝缘基层打孔后进行磁控溅射金属化，以在绝缘基层上形成导通孔，该导通孔贯穿绝缘基层的上下表面；(2)对上述金属化后的绝缘基层进行电镀金属铜，以在绝缘基层的上下表面均形成线路层，同时...
    2026-01-29
  • 多组件电注入方法及光伏组件制备方法
    多组件电注入方法及光伏组件制备方法_秦皇岛奥特维智远设备有限公司_202410656389.9
    本发明实施例公开了一种多组件电注入方法，所述多组件电注入方法应用在多组件电注入装置中，所述多组件电注入装置包括：承载台，配置为接收经层压工艺处理后的光伏组件，且具有至少两个光伏组件放置位置，承载台接收到的光伏组件的温度为80℃‑160℃；至...
    2026-01-29
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708220.3
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在执行第一退火工艺形成高阻相的钴硅化物且将未反应的钴去除之后，将第二退火工艺拆分呈若干次不同温度下的毫秒量级以下的退火处理(即多个高温且短时间的退火处理)，且退火温度越高的退火处理的退火时间越短，由此既能...
    2026-01-29
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